Abstract:
본 개시는, 기판을 제공하는 단계, 기판 상에 제1 페로브스카이트 층을 형성하는 단계, 기판을 기체 상태의 금속 할라이드, 금속 산화물, 금속 황화물 중 어느 하나 또는 이들의 조합에 노출함으로써, 제1 페로브스카이트 층 상에 금속 층을 형성하는 단계, 및 금속 층 상에 할로겐 화합물을 공급하여, 금속 층에 포함된 금속 할라이드, 금속 산화물, 금속 황화물 중 어느 하나 또는 이들의 조합과 공급된 할로겐 화합물 간의 반응에 의해, 제2 페로브스카이트 층을 형성하는 단계를 포함하는, 복층 구조의 페로브스카이트를 제조하는 방법을 개시한다.
Abstract:
본 발명의 일 실시예에 따른 특정 파장의 광원을 이용하여 대상물의 표면을 평탄화하는 방법은, 메인 챔버 내부에 평탄화하고자 하는 대상물을 제공하는 단계; 상기 메인 챔버 내부에 식각용 가스를 주입하는 단계; 상기 특정 파장의 광원을 상기 대상물의 표면에 입사하는 단계; 및 상기 대상물의 온도를 제어하는 단계를 포함한다. 상기 방법에 의하면 종래의 CMP 공정에 의한 평탄화에서 발생하는 시료의 스크래치 또는 오염 등의 부작용을 최소화할 수 있고 공정 난이도가 낮아 평탄화 공정에 소요되는 비용 및 시간을 줄일 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에 따르면 나노미터(nm) 단위의 정교한 평탄화가 가능하며, 대면적의 표면뿐만 아니라 소자 측면의 평탄화도 동시에 수행 가능하므로, 평탄화 공정에 소요되는 비용 및 시간을 줄일 수 있다. 또한, 표면 거칠기를 개선하고 전기 전도도를 향상시킴으로써 LED 소자의 효율 증대 및 고출력화가 가능하다.
Abstract:
The present invention relates to an organic electroluminescent light emitting device using graphene oxide and a method of fabricating the same. Disclosed is the organic electroluminescent light emitting device and a method of fabricating the same, whereby at least one of a hole injection layer and an electron injection layer includes graphene oxide in the organic electroluminescent light emitting device having a positive electrode, the hole injection layer, a light emitting layer, the electron injection layer, and a negative electrode laminated on a substrate.
Abstract:
태양광 시뮬레이터 하부에 개방된 면적을 제어할 수 있는 조절부가 결합된 집광비 제어장치를 장착하여 조절부를 조절함에 따라서 개방 면적이 조절되고, 그 결과 조절부 하부에 놓인 프레넬 렌즈를 통해 입사되는 광량을 변화시켜서 집광기 아래에 놓인 태양전지 표면에 조사되는 광량 즉, 집광비를 조절할 수 있는 집광형 태양전지용 집광비 제어장치를 제공한다. 본 발명의 실시예에 따른 집광형 태양전지용 집광비 제어장치는 광원으로부터 조사되는 광량을 1차적으로 집광하는 제1 집광부, 제1 집광부의 하부와 태양전지 사이에 배치되어 제1 집광부를 통과한 광량을 2차적으로 집광하여 태양전지로 조사하는 제2 집광부, 광원과 제1 집광부 사이에 배치되어 외력에 따라 제1 집광부의 집광 면적을 조절하여 제1 집광부로 집광되는 광량을 조절하는 조절부, 및 입력되는 신호를 분석하여 조절부로 해당되는 구동 제어신호를 공급하는 제어부를 포함한다. 집광부로 집광되는 광량을 조절하는 조절부의 개방면 형상은 사각형, 원형 또는 다각형일 수 있다.
Abstract:
본 발명은 HgCdTe 반도체를 사용하여 광전압형 적외선 감지 소자를 제작할 때 ZnS, CdS 등 황(S) 원소를 포함하는 물질로 표면 보호막을 형성할 때 기판의 표면 처리를 통하여 양질의 전기적 특성을 갖는 표면 보호막을 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 표면 보호막 형성 방법은 HgCdTe 반도체 표면을 습식 식각하여 반도체 표면 상의 자연 산화막을 제거하는 단계, 습식 식각 처리된 HgCdTe 반도체 표면을 황 함유 용액으로 표면 처리하여 표면에 황화물질층을 형성하는 단계 및 상기 황화물질층이 형성된 표면 상에 ZnS 또는 CdS를 증착시켜 표면 보호막을 형성시키는 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면, HgCdTe를 이용한 광전압형 소자의 제작시 표면 누설전류를 크게 줄일 수 있는 양질의 표면 보호막을 얻을 수 있다. 적외선 감지 소자, 표면 보호막, ZnS, CdS, HgCdTe, 황 함유 용액
Abstract:
본 발명은 산소 플라즈마 급속 열처리를 이용한 강유전체 게이트 제조방법에 관한 것으로, 강유전체 내의 산소결핍을 막고, 강유전체와 실리콘 기판사이에 원하지 않는 실리콘 산화막이 두껍게 성장하는 것을 방지 하는 방법을 제공함으로써 강유전체 게이트산화막을 사용한 트랜지스터의 전기적특성을 현저히 개선시키는 효과를 가져올 수 있다. 본 발명에 따른 산소 플라즈마 열처리에 의하여 강유전체박막 내의 산소 및 휘발성재료가 700 - 800℃의 고온에서 휘발하여 결핍되는 현상을 막을 뿐만 아니라, 플라즈마 상태로 반응성이 높은 활성화된 산소를 오히려 강유전체 박막 내에 주입 할 수 있으므로 원활한 산소의 공급이 이루어져 600 - 700℃ 정도의 보다 낮은 온도에서 강유전체를 특성을 발현할 수 있는 우수한 화학 양론적 조성과 c축방향으로 배향된 결정성을 얻을 수 있다.
Abstract:
본 발명은 회전식 컴플라이언트 조인트(Compliant Joint)에 있어서, 스프링의 탄성력과 자기유변 유체 회전력을 이용하여 주변환경과의 상호 작용(Interaction) 성능과 조인트의 내구성을 확보하기 위한 컴플라이언트 조인트를 제공하는 데 그 목적이 있다. 본 발명에 따르면, 두 개의 제1, 제2 링크(201, 202)가 상대 회전하도록 상호 연결하는 컴플라이언트 조인트에 있어서, 구동부(300)와 연결되어 회전하며 제1 링크(201)에 대해 회전 가능하게 고정되는 하우징(111)과, 일단부가 하우징(111)에 회전 가능하게 삽입되어 위치하며 타단부는 제2 링크(202)에 연결되는 로터(161)와, 로터(161)와 하우징(111)의 내면 사이에 채워져 자속밀도에 따라 항복응력이 변화하는 자기유변 유체(115)와, 제2 링크(202)와 마주하는 하우징(111)의 일면에 형성된 원형의 홈(112)에 삽입되는 다수 개의 스프링(169) 및, 로터의 타단에 고정되어 홈(112)을 폐쇄하며 제2 링크(202)와 연동하면서 다수 개의 스프링(169)을 신축하는 덮개(163)를 포함하는 회전식 컴플라이언트 조인트가 제공된다.
Abstract:
PURPOSE: A method is provided to culture and generate efficiently a human serum albumin by minimizing the analysis of the albumin being revealed from a transformed body. CONSTITUTION: A method for generating a re-combined human serum albumin comprises: assembling a revealing vector containing an existent promoter being connected to a human serum albumin cDNA to a yeast saccharomyces cerevisiae; introducing the assembled material to the yeast saccharomyces cerevisiae for forming a transformed yeast strain; fermenting and culturing for revealing efficiently the human serum albumin. Herein, a buffering liquid or a nitrogen is added to the transformed yeast strain for maintaining the pH of the culturing for 5 ¯ 6 for minimizing the analysis of the albumin being revealed by fermenting and culturing.