公开(公告)号：KR100809367B1

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：KR1020070015122

申请日：2007-02-14

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 강종윤 ,  김현재 ,  윤석진 ,  조광환 ,  이칠형

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67098 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67017

Abstract: A tube-furnace for improving ferroelectricity of a ferroelectric thin film by applying electric field with heat treatment and a method for improving ferroelectricity of the ferroelectric thin film using the same are provided to prevent increase of a surface roughness of the ferroelectric thin film. A pair of electrodes(12) are installed in a tube-furnace(1) so as to apply electric filed during a thermal treatment. A rotatable sample holder(13) fixes a thin sample located between the electrodes. A gas inlet(14) and a gas outlet(15) are prepared on the tube-furnace. The tube-furnace has a T-shape. The sample holder has a lode-lock shape and rotates for 360 degrees. A cross section of the electrode is greater than a total size of the thin sample fixed by the sample holder and electric field is applied to the whole surface of the thin sample.

Abstract translation: 为了防止铁电薄膜的表面粗糙度的增加，提供了一种用于通过施加电场进行热处理来提高铁电薄膜的铁电性的管式炉和提高使用其的强电介质薄膜的铁电性的方法。 一对电极（12）安装在管式炉（1）中，以便在热处理期间施加电场。 可旋转的样品保持器（13）固定位于电极之间的薄样品。 在管式炉上制备气体入口（14）和气体出口（15）。 管式炉具有T形。 样品架具有锁定形状并旋转360度。 电极的横截面大于由样品保持器固定的薄样品的总尺寸，并且电场施加到薄样品的整个表面。

公开(公告)号：KR1020100132095A

公开(公告)日：2010-12-17

申请号：KR1020090050729

申请日：2009-06-09

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 강종윤 ,  윤석진 ,  김진상 ,  강민규 ,  조광환

IPC: H01L35/00

CPC classification number: H01L35/22 ,  C01G51/04 ,  H01L35/34

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a dense calcium-cobalt oxide thermoelectric semiconductor is provided to obtain a compact sintered body by recombining separated calcium-cobalt oxide into a single phase. CONSTITUTION: Calcium carbonate powder and cobalt oxide powder are mixed and dried(S01). The mixed powder is primarily calcined(S02). The mixed powder is pulverized and dried(S03). The primarily calcined powder is pressed and secondarily calcined(S04). The secondarily calcined powder is pulverized and dried(S05). The secondarily calcined powder is pressed(S06). The pressed powder is sintered and cooled at room temperature(S07). The cooled sintered body is thermally treated and is recombined in a single phase(S08).

Abstract translation: 目的：提供一种制造致密的钙 - 钴氧化物热电半导体的方法，通过将分离的钙 - 钴氧化物重新组合成单​​相来获得致密的烧结体。 构成：将碳酸钙粉末和氧化钴粉末混合并干燥（S01）。 混合粉末主要煅烧（S02）。 将混合粉末粉碎并干燥（S03）。 将主要煅烧的粉末压制并二次煅烧（S04）。 将二次煅烧粉末粉碎并干燥（S05）。 二次煅烧粉末被压制（S06）。 将压制粉末在室温下烧结并冷却（S07）。 将冷却的烧结体进行热处理，并在单相中复合（S08）。

公开(公告)号：KR101018291B1

公开(公告)日：2011-03-04

申请号：KR1020090023195

申请日：2009-03-18

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 강종윤 ,  조광환 ,  윤석진 ,  최지원 ,  김진상

IPC: B32B9/00 ,  H01B3/10 ,  B32B33/00

Abstract: 기판 상에 번갈아 적층된 강유전체 박막 및 그 제조 방법이 개시된다. 강유전체 박막 및 산화물이 첨가된 강유전체 박막을 번갈아 적층하여 강유전성과 가변율을 감소시키지 않으면서 유전손실을 감소시킬 수 있다.
강유전체, 산화물, 적층, 유전손실, 강유전성, 가변율

公开(公告)号：KR101068615B1

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：KR1020090050729

申请日：2009-06-09

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 강종윤 ,  윤석진 ,  김진상 ,  강민규 ,  조광환

IPC: H01L35/00

Abstract: 본 발명은 칼슘-코발트 산화물 열전반도체의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로 본 발명에 따른 제조방법은 1) 탄산칼슘 분말과 산화코발트 분말을 혼합하여 건조시키는 단계; 2) 상기 혼합분말을 1차 하소한 후 분쇄 및 건조시키는 단계; 3) 상기 1차 하소된 분말을 가압성형 후 2차 하소하는 단계; 4) 상기 2차 하소된 분말을 분쇄 및 건조시킨 후 가압성형하는 단계; 5) 상기 가압성형된 분말을 소결한 후 상온으로 냉각시키는 단계; 및 6) 상기 냉각된 소결체를 열처리하여 소결 단계에서 다수 개로 분리된 상을 단일상으로 재조합하는 단계를 포함하여, 간단하고 경제적인 방법으로 고밀도의 우수한 물성을 갖는 단일상의 칼슘-코발트 산화물 열전반도체를 제조할 수 있다.
칼슘-코발트 산화물, 열전반도체, 상 재조합

公开(公告)号：KR1020100104636A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：KR1020090023195

申请日：2009-03-18

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 강종윤 ,  조광환 ,  윤석진 ,  최지원 ,  김진상

IPC: B32B9/00 ,  H01B3/10 ,  B32B33/00

CPC classification number: B32B7/02 ,  B32B9/00 ,  B32B33/00 ,  B32B2307/20 ,  H01B3/10

Abstract: PURPOSE: A ferroelectric thin film, a laminated structure thereof, and a manufacturing method thereof are provided to remarkably improve performance by including the laminated structure of a ferroelectric thin film and oxide ferroelectric thin film. CONSTITUTION: A laminated structure includes a substrate(10), an oxide ferroelectric thin film(11a, 11b, 11n) formed in the top of the substrate, and a ferroelectric thin film formed on the ferroelectric thin film in which oxide is added. A lattice constant difference degree between the ferroelectric thin film in which oxide is added and the ferroelectric thin film is 0%~0.1%. The substrate is an oxide substrate.

Abstract translation: 目的：提供铁电薄膜及其层叠结构及其制造方法，通过包含铁电薄膜和氧化物铁电体薄膜的叠层结构，显着提高性能。 构成：叠层结构包括：基板（10），形成在基板顶部的氧化物铁电薄膜（11a，11b，11n）和形成在其上添加有氧化物的铁电薄膜上的铁电薄膜。 添加氧化物的铁电薄膜与铁电薄膜的晶格常数差为0％〜0.1％。 衬底是氧化物衬底。