플라스마 증착 장치 및 방법
    1.
    发明授权
    플라스마 증착 장치 및 방법 失效
    等离子体沉积装置和方法

    公开(公告)号:KR100899355B1

    公开(公告)日:2009-05-27

    申请号:KR1020070116932

    申请日:2007-11-15

    CPC classification number: H01J37/3497 H01J37/3435

    Abstract: 본 발명은 플라스마 증착 장치 및 방법에 관한 것으로, 직류 전원(방전) 플라스마 증착 공정에 의해 다이아몬드를 비롯한 물질을 증착함에 있어 고융점 금속재질의 음극표면에 균열을 생기는 현상을 방지하며, 실리콘 등의 반도체 기판을 사용할 경우 반도체 기판의 손상을 방지하여 균일하고 손상이 없는 상태로 박막을 증착할 수 있는 이점이 있다.
    플라스마 증착, 박막 증착, 힛업(heatup)

    고온 산화 분위기에서 다이아몬드층과 금속 전극층의 밀착력이 향상된 소자
    2.
    发明公开
    고온 산화 분위기에서 다이아몬드층과 금속 전극층의 밀착력이 향상된 소자 失效
    在高温氧化气氛下,金刚石层与金属电极层之间具有改善偏差的装置

    公开(公告)号:KR1020100042948A

    公开(公告)日:2010-04-27

    申请号:KR1020080102175

    申请日:2008-10-17

    Abstract: PURPOSE: A device with improved adhesive force between a diamond layer and a metal electrode layer under a high temperature oxidation atmosphere is provided to use a material from metal to oxide by maintaining the junction between diamond and metal electrodes. CONSTITUTION: A device comprises a diamond layer, a metal electrode layer and a buffer layer. The buffer layer is positioned between the diamond layer and the metal electrode layer. The buffer layer includes a layer repeatedly stacked with the layer selected from a group comprised of a (Me-N) layer, a (Si-N) layer, a (Me-Si-N) layer, a (B-N) layer, and a (Me-Si-N) layer.

    Abstract translation: 目的:提供一种在高温氧化气氛下在金刚石层和金属电极层之间具有改善的粘合力的装置,以通过维持金刚石和金属电极之间的接合来使用金属与氧化物的材料。 构成:装置包括金刚石层,金属电极层和缓冲层。 缓冲层位于金刚石层和金属电极层之间。 缓冲层包括与由(Me-N)层,(Si-N)层,(Me-Si-N)层,(BN)层和 (Me-Si-N)层。

    바이오 센서 소자 및 제조 방법
    3.
    发明公开
    바이오 센서 소자 및 제조 방법 有权
    生物传感器装置及其方法

    公开(公告)号:KR1020090094631A

    公开(公告)日:2009-09-08

    申请号:KR1020080019699

    申请日:2008-03-03

    CPC classification number: G01N27/4145 H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: A biosensor device and manufacturing method thereof are provided to improve lifetime, repeatability, and stability of sensor. A biosensor device comprises: a gate electrode (6) which is made of a diamond thin film; a gate insulating layer (5) which is made at lower part of gate electrode; a channel layer (2) which is made on semiconductor substrate of the lower portion of insulating layer; and a source/drain area (3, 4) which is made on the semiconductor substrate of both sides of gate electrode.

    Abstract translation: 提供了一种生物传感器装置及其制造方法,以提高传感器的寿命,重复性和稳定性。 生物传感器装置包括:由金刚石薄膜制成的栅电极(6); 栅极绝缘层(5),其形成在栅电极的下部; 沟道层(2),其形成在绝缘层下部的半导体衬底上; 以及在栅电极的两侧的半导体衬底上制成的源/漏区(3,4)。

    플라스마 증착 장치 및 방법
    4.
    发明公开
    플라스마 증착 장치 및 방법 失效
    等离子体沉积装置和方法

    公开(公告)号:KR1020090050484A

    公开(公告)日:2009-05-20

    申请号:KR1020070116932

    申请日:2007-11-15

    CPC classification number: H01J37/3497 H01J37/3435

    Abstract: 본 발명은 플라스마 증착 장치 및 방법에 관한 것으로, 직류 전원(방전) 플라스마 증착 공정에 의해 다이아몬드를 비롯한 물질을 증착함에 있어 고융점 금속재질의 음극표면에 균열을 생기는 현상을 방지하며, 실리콘 등의 반도체 기판을 사용할 경우 반도체 기판의 손상을 방지하여 균일하고 손상이 없는 상태로 박막을 증착할 수 있는 이점이 있다.
    플라스마 증착, 박막 증착, 힛업(heatup)

    Abstract translation: 本发明涉及一种等离子沉积装置和方法,一个DC电源(放电)从它的负电极表面上产生的裂纹的高熔点金属材料为包括通过等离子体沉积工艺金刚石的沉积材料防止,以及半导体诸如硅 当使用衬底时,具有能够防止半导体衬底受损并且可以以均匀且未受损的状态沉积薄膜的优点。

    바이오 센서 소자 및 제조 방법
    5.
    发明授权
    바이오 센서 소자 및 제조 방법 有权
    生物传感器装置及其方法

    公开(公告)号:KR100998645B1

    公开(公告)日:2010-12-06

    申请号:KR1020080019699

    申请日:2008-03-03

    CPC classification number: G01N27/4145 H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 본 발명은 바이오 센서 소자 및 제조 방법에 관한 것이다. 즉, 본 발명은 FET 바이오센서 소자의 게이트를 생체 적합성이 탁월한 다이아몬드 박막을 사용하여 제조함으로써 센서의 수명, 반복성 및 안정성을 크게 개선시킴과 동시에, 채널 영역에 다이아몬드를 도입했던 기존의 다이아몬드 기반의 바이오 센서(Bio-sensor)와 달리 다이아몬드를 채널 영역에서 배제한 FET(Field Effect Transistor)구조를 구현하여 센서의 민감도 개선과 더불어, 실리콘(Si) 전자회로와 동시 집적이 가능하도록 한다.
    바이오, 센서, 다이아몬드, 분자, DNA, 바이러스

    고온 산화 분위기에서 다이아몬드층과 금속 전극층의 밀착력이 향상된 소자
    6.
    发明授权
    고온 산화 분위기에서 다이아몬드층과 금속 전극층의 밀착력이 향상된 소자 失效
    在高温氧化气氛下,金刚石层与金属电极层之间具有改善偏差的装置

    公开(公告)号:KR100998349B1

    公开(公告)日:2010-12-03

    申请号:KR1020080102175

    申请日:2008-10-17

    Abstract: 본 발명은 다이아몬드와 금속의 밀착력 향상에 관한 것으로 보다 구체적으로는 고온, 산화 분위기에서 버퍼층의 소재 및 구조를 디자인하여 다이아몬드와 금속의 접합력을 유지하는 방법에 관한 것이다. 구체적으로 본 발명은 다이아몬드층, 금속 전극층, 및 다이아몬드층과 금속 전극층 사이에 위치하는 버퍼층을 포함하는 소자에 있어서, 상기 버퍼층이 (i) 금속 질화물층(Me-N) 및 (ii) 실리콘 질화물층(Si-N), 금속-실리콘-질화물층(Me-Si-N), 보론 질화물층(BN) 및 금속-보론 질화물층(Me-BN)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 층을 나노두께로 반복적층한 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 소자를 제공한다.
    나노 다층막, 확산 방지 막, 다이아몬드, 금속 전극, 밀착력, metallization

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