公开(公告)号：KR1020060082342A

公开(公告)日：2006-07-18

申请号：KR1020050003016

申请日：2005-01-12

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원준 ,  황성호 ,  송진동 ,  이정일

IPC: H01L31/00

CPC classification number: H01L31/035218 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18 ,  H01L31/186

Abstract: 본 발명은 양자점 성장시 생성되는 결함을 수소화 처리를 통하여 줄여서, 반도체 소자의 광특성 뿐만 아니라 전기적 특성을 향상시킬 수 있는, 양자점 구조를 가지는 광 소자의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 광 소자 제조 방법은, a) 기판을 준비하는 단계; b) 상기 기판 상에 제 1 도전층을 형성하는 단계; c) 상기 제 1 도전층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; e) 상기 버퍼층 상에 양자점을 형성하는 단계; f) 상기 양자점을 덮는 덮개층을 형성하는 단계; g) 상기 덮개층 상에 제 2 도전층을 형성하는 단계; 및 h) 수소화 처리를 실시하는 단계를 포함한다.
양자점, InAs, InGaAs, GaAs, 수소화 처리, 결함

Abstract translation: 本发明涉及一种制造具有量子点结构的光学元件的方法，该量子点结构不仅能够通过减少氢化期间量子点生长期间产生的缺陷而改善半导体器件的光学特性而且还改善电学特性。 根据本发明的光学器件制造方法包括以下步骤：a）准备衬底; b）在衬底上形成第一导电层; c）在第一导电层上形成缓冲层; e）在缓冲层上形成量子点; f）形成覆盖量子点的覆盖层; g）在覆盖层上形成第二导电层; 和h）进行加氢处理。

公开(公告)号：KR100644970B1

公开(公告)日：2006-11-14

申请号：KR1020050003016

申请日：2005-01-12

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원준 ,  황성호 ,  송진동 ,  이정일

IPC: H01L31/00

Abstract: 본 발명은 양자점 성장시 생성되는 결함을 수소화 처리를 통하여 줄여서, 반도체 소자의 광특성 뿐만 아니라 전기적 특성을 향상시킬 수 있는, 양자점 구조를 가지는 광 소자의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 광 소자 제조 방법은, a) 기판을 준비하는 단계; b) 상기 기판 상에 제 1 도전층을 형성하는 단계; c) 상기 제 1 도전층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; e) 상기 버퍼층 상에 양자점을 형성하는 단계; f) 상기 양자점을 덮는 덮개층을 형성하는 단계; g) 상기 덮개층 상에 제 2 도전층을 형성하는 단계; 및 h) 수소화 처리를 실시하는 단계를 포함한다.
양자점, InAs, InGaAs, GaAs, 수소화 처리, 결함