비 백금형 촉매 및 이의 제조방법
    7.
    发明公开
    비 백금형 촉매 및 이의 제조방법 有权
    非铂型催化剂及其生产方法

    公开(公告)号:KR1020170053528A

    公开(公告)日:2017-05-16

    申请号:KR1020150156159

    申请日:2015-11-06

    Abstract: 본발명은 (ⅰ) 코어, 및 (ⅱ) 상기코어를둘러싸는탄소체쉘;을포함하는비 백금형촉매로, 상기코어는금속또는금속산화물이며, 상기쉘의표면에는도판트가함유되고, 상기촉매는나노-마이크론단위의입자크기를가지는분말형태의비 백금형촉매를제조함으로써, 상기촉매는우수한개시전위(Onset potential) 및높은전류밀도(Current density)와함께 4-전자(4-electron) 반응에근접하는우수한산소환원촉매성능을나타내는데현저한효과를나타낸다. 또한, 상기촉매는생산단가가저렴하고대량으로수득할수 있는장점으로인하여, 기존의백금촉매를대체할수 있으며가격경쟁력에있어서도획기적인증대효과를나타낼수 있다.

    Abstract translation: 本发明(ⅰ)芯,和(ⅱ)围绕所述芯碳cheswel;包含所述芯的非铂类催化剂是一种金属或金属氧化物,所述壳的表面上,以及含有掺杂剂,所述 催化剂纳米通过制备具有微米单位的粒度的非铂类催化剂的粉末,该催化剂是4-E(4-电子)具有良好的起始电势(开始电位)和高电流密度(电流密度) 并且表现出接近反应的优异的氧还原催化剂性能。 另外,由于其生产成本低,收率高,可以用传统的铂催化剂代替催化剂,并且价格竞争力可以显着提高。

    템플릿 식각을 이용한 3차원 그래핀 제조방법, 이에 의하여 제조된 3차원 그래핀 입자 및 이를 포함하는 하이브리드 입자
    8.
    发明授权
    템플릿 식각을 이용한 3차원 그래핀 제조방법, 이에 의하여 제조된 3차원 그래핀 입자 및 이를 포함하는 하이브리드 입자 有权
    3 3通过使用模板蚀刻制备3D石墨烯的方法,由此制备的3D石墨烯颗粒和包含其的混合颗粒

    公开(公告)号:KR101716256B1

    公开(公告)日:2017-03-14

    申请号:KR1020150015223

    申请日:2015-01-30

    Abstract: 본발명은템플릿식각을이용한 3차원그래핀제조방법을포함하고, 상기방법으로제조된 3차원구겨진그래핀입자와이를포함하는하이브리드분말입자, 및이들로구성된 3차원다공성망상구조체에관한것이다. 상기제조방법은선택적인식각이용이한템플릿입자의표면에 2차원형상의그래핀유도체를코팅하는단계; 및상기제조된템플릿-그래핀코어-쉘입자전구체의용액상화학적식각을진행하는단계를포함하는것을특징으로하며, 이들은상기 3차원의그래핀입자및 이를포함하는하이브리드입자분말들을대량으로효율적으로제조할수 있고, 종래 2차원그래핀의건조, 환원, 및기기제조공정에서필수적으로발생하는적층및 물성감소현상을해결할수 있다. 본발명의여러구현예에따르면, 상기제조방법을통하여우수한전기전도도, 수용액상에서의우수한분산안정성을보이는상기 3차원그래핀입자및 이를포함하는하이브리드입자들을얻을수 있으며, 뿐만아니라상기입자들은기판이나크기의제약없고바인더첨가제및 전도성필러가없이도 3차원다공성/전도성망상구조체로빠르고쉽게조립이가능하여, 차세대에너지변환및 전환기기등으로활용이용이한활성전극용구조체재료로용이하게사용될수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及使用模板蚀刻制备三维(3D)石墨烯的方法,通过该方法获得的3D波纹石墨烯颗粒,包含该方法的混合粉末颗粒和包含该三维多孔网络结构的3D多孔网络结构。 该方法包括以下步骤:涂覆模板颗粒的表面,使得易于用二维形状的石墨烯衍生物进行选择性蚀刻; 并进行模板 - 石墨烯核 - 壳粒子前体的溶液蚀刻。 根据该方法,可以以高效率获得大量的石墨烯颗粒和混合颗粒粉末,并且解决了在常规干燥,还原和仪器中不可避免地发生的物理堆积和物理劣化的问题 二维石墨烯的生产工艺。 根据本发明的实施方案,可以获得在水溶液中具有高导电性和优异的分散稳定性的三维石墨烯颗粒和包含其的混合颗粒。 此外,这样的颗粒在基材或尺寸上没有限制,并且允许快速且容易地组装成不具有粘合剂添加剂和导电填料的3D多孔/导电网络结构,因此可用作适用于下一个的活性电极的结构材料 发电能转换和转换仪器。

    반도체 물성과 전기전도도가 조절 가능한 보론이 도핑된 환원그래핀, 및 이의 생산 방법
    9.
    发明公开
    반도체 물성과 전기전도도가 조절 가능한 보론이 도핑된 환원그래핀, 및 이의 생산 방법 无效
    调整半导体物理性能和电导率的硼光降解图及其制备

    公开(公告)号:KR1020130134123A

    公开(公告)日:2013-12-10

    申请号:KR1020120057407

    申请日:2012-05-30

    Abstract: The present invention relates to the boron-doped reduction graphene capable of adjusting the physical properties of a semiconductor and conductivity and a manufacturing method thereof and, preferably, to a mass production method. The boron-doped reduction graphene according to the present invention exhibits excellent conductivity and improved stability and is usefully used in a graphene semiconductor since the boron-doped reduction graphene shows p-type properties. The manufacturing method for the reduction graphene according to the present invention is environment-friendly, simplifies a process method, reduces production costs, facilitates mass production and adjusts the physical properties of a semiconductor and conductivity, thereby being usefully used in the production of the graphene semiconductor. [Reference numerals] (AA) Manufacturing the dispersion of graphene oxides and boron oxides;(BB) Manufacturing graphene oxide-boron oxide solid mixtures;(CC) Reducing and doping through heat treatment;(DD) Washing and drying residual boron oxides

    Abstract translation: 本发明涉及能够调节半导体的物理性能和导电性的硼掺杂的还原石墨烯及其制造方法,优选涉及大规模生产方法。 根据本发明的硼掺杂的还原石墨烯显示出优异的导电性和改进的稳定性,并且有用地用于石墨烯半导体中,因为掺杂硼的还原石墨烯显示p型性质。 根据本发明的还原石墨烯的制造方法是环境友好的,简化了处理方法,降低了生产成本,促进了大规模生产并且调节了半导体的物理性能和导电性,从而有利地用于生产石墨烯 半导体。 (AA)制造石墨烯氧化物和氧化硼的分散体;(BB)制造氧化石墨氧化物 - 氧化硼固体混合物;(CC)通过热处理减少和掺杂;(DD)洗涤和干燥残留的硼氧化物

Patent Agency Ranking