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公开(公告)号：WO2019054555A1
公开(公告)日：2019-03-21
申请号：PCT/KR2017/012212
申请日：2017-11-01
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0236 , H01L31/18 , H01L21/027 , H01L21/311 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02601 , H01L21/0274 , H01L21/31116 , H01L31/02366 , H01L31/18
Abstract: 본 발명은 반도체 기판을 텍스쳐링하는 방법과, 이 방법에 의해 제조된 반도체 기판, 그리고, 이러한 반도체 기판을 포함하는 태양 전지를 개시하고 있다. 본 발명의 일실시예는, 반도체 기판 상에 금속 나노 입자를 형성하는 금속 나노 입자 형성 단계와, 상기 반도체 기판을 에칭하는 제1 식각 단계와, 상기 금속 나노 입자를 제거하는 금속 나노 입자 제거 단계, 그리고, 상기 제1 식각 단계에서 에칭된 반도체 기판을 에칭하여 나노 구조체를 형성하는 제2 식각 단계를 포함하는 반도체 기판을 텍스쳐링하는 방법을 제공한다.
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公开(公告)号：WO2011065627A1
公开(公告)日：2011-06-03
申请号：PCT/KR2010/001104
申请日：2010-02-23
IPC: G01N21/27
CPC classification number: G01N21/553
Abstract: 표면 플라즈몬 공진 센서는, 제1 초점 및 제2 초점을 갖는 타원 형상의 반사면, 상기 제1 초점을 통해 빛이 입사되는 입사면 및 출사면을 포함하는 플랫폼; 상기 플랫폼상에 위치하며 분석 대상물과 접촉된 표면 플라즈몬 여기층; 및 상기 표면 플라즈몬 여기층에서 반사되어 상기 출사면을 통해 출사되는 빛을 검출하는 광 검출기를 포함할 수 있다. 이때 상기 제2 초점은 상기 표면 플라즈몬 여기층상에 위치할 수 있다. 표면 플라즈몬 공진을 이용한 센싱 방법은, 상기 제1 초점을 통해 상기 플랫폼에 빛을 입사시키는 단계; 입사된 빛을 상기 반사면에서 반사시켜 상기 제2 초점 방향으로 집속시키는 단계; 집속된 빛을 상기 표면 플라즈몬 여기층에서 반사시키는 단계; 및 반사된 빛을 검출하여 분석 대상물을 센싱하는 단계를 포함할 수 있다.
Abstract translation: 表面等离子体共振传感器可以包括：平台，包括具有第一焦点和第二焦点的长圆形反射表面，光通过第一焦点入射的入射表面和放射表面; 表面等离子体激元层，设置在平台上以接触物体进行分析; 以及用于检测由表面等离子激元激发层反射并通过放电表面发射的光的光电检测器。 这里，第二焦点可以设置在表面等离子体激发层上。 使用表面等离子体共振的感测方法可以包括以下步骤：使光通过第一焦点入射到平台上; 反射在所述反射表面处的入射光，并将光聚焦到所述第二焦点; 反射在表面等离子体激发层的聚焦光; 并检测反射光以感测物体进行分析。
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公开(公告)号：WO2011002117A1
公开(公告)日：2011-01-06
申请号：PCT/KR2009/003576
申请日：2009-07-01
CPC classification number: G01N21/554 , B82Y15/00 , B82Y20/00 , G01N21/648 , G01N21/658
Abstract: 본 발명은 고민감도 국소 표면 플라즈몬 공진 센서 및 이를 이용한 센서 시스템에 관한 것으로, 제 1 금속을 포함하는 제 1 금속층, 상기 제 1 금속층에 평행하게 배열되고, 제 2 금속을 포함하는 제 2 금속층 및 상기 제 1 금속층과 상기 제 2 금속층의 사이에 위치하고, 상기 제 1 금속 및 상기 제 2 금속과 부식 반응성이 상이한 제 3 금속으로 이루어진 전도성 가교층을 포함하는 국소 표면 플라즈몬 공진 센서에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及高灵敏度局部表面等离子体共振传感器和涉及使用它的传感器系统，该传感器包括：第一金属层，包括第一金属; 第二金属层，其平行于第一金属层布置并包括第二金属; 以及设置在所述第一金属层和所述第二金属层之间的导电交联层，并且由具有不同于所述第一金属和所述第二金属的腐蚀响应的第三金属制成。
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公开(公告)号：WO2019059597A3
公开(公告)日：2019-03-28
申请号：PCT/KR2018/010888
申请日：2018-09-17
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 최적밸브제어모델 기반의 시설 원예용 스마트 양액 공급 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 최적밸브제어모델 기반의 시설 원예용 스마트 양액 공급 장치는, 혼합 탱크; 상기 혼합 탱크에 원수를 공급하기 위한 원수 공급원; 상기 혼합 탱크에 한 종류 이상의 액비를 공급하기 위한 액비 공급원; 상기 혼합 탱크에 산 용액을 공급하기 위한 산 공급원; 상기 혼합 탱크 내 혼합액의 전기전도도(EC) 및 산도(pH)를 측정하는 센서부; 상기 액비 공급원 및 상기 산 공급원으로부터 상기 혼합 탱크로 연결된 배관에 각각 설치되는 유량 제어 밸브부; 및 상기 혼합 탱크 내 혼합액의 상기 전기전도도 및 상기 산도에 대한 목표치와 상기 센서부에 의해 측정된 측정치의 차이에 따라 상기 유량 제어 밸브부의 밸브 개방 주기 및 밸브 개방율을 제어하는 밸브 제어부를 포함한다. 이에 따라, 운용 환경이 변화하는 경우에도 최적의 양액을 공급할 수 있는 적응형 실시간 양액 공급 장치를 제공할 수 있으며, 궁극적으로 최적의 양액 조성을 위한 시간과 비용을 절감할 수 있다.
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公开(公告)号：WO2019059597A2
公开(公告)日：2019-03-28
申请号：PCT/KR2018/010888
申请日：2018-09-17
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 최적밸브제어모델 기반의 시설 원예용 스마트 양액 공급 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 최적밸브제어모델 기반의 시설 원예용 스마트 양액 공급 장치는, 혼합 탱크; 상기 혼합 탱크에 원수를 공급하기 위한 원수 공급원; 상기 혼합 탱크에 한 종류 이상의 액비를 공급하기 위한 액비 공급원; 상기 혼합 탱크에 산 용액을 공급하기 위한 산 공급원; 상기 혼합 탱크 내 혼합액의 전기전도도(EC) 및 산도(pH)를 측정하는 센서부; 상기 액비 공급원 및 상기 산 공급원으로부터 상기 혼합 탱크로 연결된 배관에 각각 설치되는 유량 제어 밸브부; 및 상기 혼합 탱크 내 혼합액의 상기 전기전도도 및 상기 산도에 대한 목표치와 상기 센서부에 의해 측정된 측정치의 차이에 따라 상기 유량 제어 밸브부의 밸브 개방 주기 및 밸브 개방율을 제어하는 밸브 제어부를 포함한다. 이에 따라, 운용 환경이 변화하는 경우에도 최적의 양액을 공급할 수 있는 적응형 실시간 양액 공급 장치를 제공할 수 있으며, 궁극적으로 최적의 양액 조성을 위한 시간과 비용을 절감할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060059649A
公开(公告)日：2006-06-02
申请号：KR1020040098796
申请日：2004-11-29
Applicant: 한국과학기술연구원 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/126 , H01L45/144
Abstract: 본 발명은 비휘발성 상변화 메모리 셀에 관한 것으로서, 금속 전극층과 상변화 재료층 사이에 열구속 기능을 갖는 전극접촉 재료로서 전기전도성이 비교적 크나 열전도성은 작으며 열안정성이 우수한 투명전도성 산화물 반도체 재료를 사용한다. 본 발명에 따른 메모리 셀은 비휘발성 상변화 메모리의 데이터 기록 및 소거 동작에 필요한 전력소모의 감소에 효과적으로 적용될 수 있다.
상변화 메모리, 전극 접촉층, 투명전도성 산화물-
公开(公告)号：KR100767333B1
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：KR1020060046409
申请日：2006-05-24
Applicant: 한국과학기술연구원 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/1675 , H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1625 , G11C13/0004
Abstract: A non-volatile electrical phase-change memory device and a manufacturing method thereof are provided to make a uniform temperature and phase distribution within a phase-change material layer by reducing contact resistance between phase change material and electrode material. A first interlayer dielectric(21), a bottom electrode layer(22), a second interlayer dielectric(23), a phase-change material layer(24) and a top electrode layer(25) are sequentially formed on a silicon substrate(20). A contact hole(23') penetrates the second interlayer dielectric to connect the phase-change material layer with the bottom electrode layer, and is filled with phase change material or bottom electrode material. An interfacial control layer(23") is formed at an interface between the phase change material and the bottom electrode material.
Abstract translation: 提供了一种非易失性电相变存储器件及其制造方法，通过降低相变材料和电极材料之间的接触电阻，使相变材料层内的温度和相位分布均匀。 在硅衬底（20）上依次形成第一层间电介质（21），底电极层（22），第二层间电介质（23），相变材料层（24）和顶电极层（25） ）。 接触孔（23'）穿透第二层间电介质以将相变材料层与底部电极层连接，并填充有相变材料或底部电极材料。 在相变材料和底部电极材料之间的界面处形成界面控制层（23“）。
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公开(公告)号：KR100651656B1
公开(公告)日：2006-12-01
申请号：KR1020040098796
申请日：2004-11-29
Applicant: 한국과학기술연구원 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/126 , H01L45/144
Abstract: 본 발명은 비휘발성 상변화 메모리 셀에 관한 것으로서, 금속 전극층과 상변화 재료층 사이에 열구속 기능을 갖는 전극접촉 재료로서 전기전도성이 비교적 크나 열전도성은 작으며 열안정성이 우수한 투명전도성 산화물 반도체 재료를 사용한다. 본 발명에 따른 메모리 셀은 비휘발성 상변화 메모리의 데이터 기록 및 소거 동작에 필요한 전력소모의 감소에 효과적으로 적용될 수 있다.
상변화 메모리, 전극 접촉층, 투명전도성 산화물Abstract translation: 非易失性相变存储单元技术领域本发明涉及一种非易失性相变存储单元，更具体地涉及具有导电性较高但导热系数小且热稳定性优异的透明导电氧化物半导体材料的非易失性相变存储单元 使用。 根据本发明的存储单元可以有效地应用于降低非易失性相变存储器的数据写入和擦除操作所需的功耗。
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