公开(公告)号：KR1020100003422A

公开(公告)日：2010-01-11

申请号：KR1020080063306

申请日：2008-07-01

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이희철 ,  김우영 ,  이용수 ,  가두연 ,  김상율

IPC: H01L29/41

Abstract: PURPOSE: A passive matrix-addressable memory device is provided to maintain data state stored at a memory cell by reducing a size of an interference voltage applied to a memory unit. CONSTITUTION: One parallel second electrode line(220) or more are formed to a cross direction with a first electrode line(210). A memory unit(100) is formed between the first and second electrode lines and includes electrically polarizable material showing hysteresis. A switch is formed between the memory unit and the first electrode line. The switch unit has increased current conductivity when the applied voltage is above a threshold voltage. A depolarization preventing unit is formed between the switch unit and the memory unit and prevents the depolarization on the interface between the switch unit and the memory. The depolarization preventing unit includes a metal material or electrical conductive polymer material.

Abstract translation: 目的：提供无源矩阵寻址存储器件，通过减小施加到存储器单元的干扰电压的大小来保持存储在存储器单元中的数据状态。 构成：在与第一电极线（210）的交叉方向上形成一个平行的第二电极线（220）或更多。 存储单元（100）形成在第一和第二电极线之间，并且包括显示滞后的电极化材料。 在存储单元和第一电极线之间形成开关。 当施加的电压高于阈值电压时，开关单元具有增加的电流传导性。 在开关单元和存储单元之间形成去极化防止单元，并防止开关单元和存储器之间的接口上的去极化。 去极化防止单元包括金属材料或导电聚合物材料。

公开(公告)号：KR101201673B1

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：KR1020080063306

申请日：2008-07-01

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이희철 ,  김우영 ,  이용수 ,  가두연 ,  김상율

IPC: H01L29/41

Abstract: 본 발명은 수동 매트릭스 어드레스 가능한 메모리 장치에 관한 것이다.
본 발명에 따른 수동 매트릭스 어드레스 가능한 메모리 장치는 하나 이상의 평행한 제1 전극라인, 제1 전극라인에 대하여 교차하는 방향으로 형성된 하나 이상의 평행한 제2 전극라인, 제1 및 제2 전극라인 사이에 형성되고, 히스테리시스를 나타내는 전기적으로 분극 가능한 물질을 포함하는 메모리부 및 메모리부와 제1 전극라인 사이에 형성되어 소정 범위의 인가되는 전압에 대해서 일방향으로만 전류가 흐르는 방향성을 갖되 인가되는 전압이 소정의 문턱전압 이상인 경우에는 전류 전도도가 증가되는 특성을 갖는 스위치부를 포함한다.
본 발명에 따른 메모리 장치는 메모리부에 인가되는 간섭전압의 크기를 감소시킴으로써 간섭전압에 노출되는 횟수가 증가되더라도 각 메모리 셀에 저장된 데이터 상태를 유지 시킬 수 있다.
강유전체, 일렉트렛, 전기적 간섭, 수동 매트릭스, 스위치

公开(公告)号：KR101281733B1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：KR1020100115193

申请日：2010-11-18

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김상율 ,  가두연 ,  김윤준 ,  박제영 ,  허재원

IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  C01B31/02

Abstract: 본 발명에서는 엔지니어링 플라스틱 계열의 축중합체인 폴리(아릴렌 에테르)계 고분자가 부착된 복합 탄소나노튜브를 제조하는 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 하기 화학식 1의 구조를 가지는 개시제가 부착된 개질 탄소 나노튜브를 이용하여 폴리(아릴렌 에테르)계 고분자를 형성하는 단량체의 친핵성 치환 반응을 이용한 사슬 성장 방식으로 고분자의 표면으로부터 다분산지수 1에 근접하는 폴리(아릴렌 에테르)계 고분자가 부착된 복합 탄소나노튜브에 관한 것이다. 또한 화학식 1로 표시되는 개시제가 부착된 개질 탄소 나노튜브는 친핵성 치환 반응을 이용한 단계 성장 방식으로 성장하는 고분자의 부착에도 사용될 수 있다. 기존에 조절된 길이를 가지는 고분자의 탄소 나노튜브 부착에 있어 주로 부가 고분자에 대해서만 보고가 되었으나, 본 발명은 조절된 길이를 가지는 축합 고분자를 탄소 나노튜브에 부착하는 방법을 제공하며 더욱 넓게는 일반적인 칙핵성 치환 반응에 의해 성장된 축중합체인 폴리(아릴렌 에테르)계 고분자가 부착된 복합 탄소 나노튜브를 제공한다. 탄소 나노튜브의 기본 성질과 함께 축합 고분자의 우수한 기계적, 전기적 물성이 복합적으로 결합된 새로운 재료를 제공할 수 있다.
[화학식 1]

[상기 Ar, R, X 및 n은 발명의 상세한 설명에서의 정의와 동일하다.]

公开(公告)号：KR1020120053861A

公开(公告)日：2012-05-29

申请号：KR1020100115193

申请日：2010-11-18

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김상율 ,  가두연 ,  김윤준 ,  박제영 ,  허재원

IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  C01B31/02

CPC classification number: C01B32/168 ,  B82B1/00 ,  B82B3/0009 ,  B82B3/0061 ,  C01B2202/02

Abstract: PURPOSE: A modified carbon nano-tube and a manufacturing method of carbon nano-tube in which poly(arylene ether) based polymer is attached are provided to grow poly(arylene ether) based polymer from an initiator by using a chain-growth condensation polymerization. CONSTITUTION: A modified carbon nano-tube has an initiator which is attached to the nano-tube and is represented by chemical formula 1. The modified carbon nanotube is manufactured by precursor of an initiator which is represented by chemical formula 2. A complex carbon nanotube is manufactured by polymerization of monomers which forms a poly(arylene ether) based polymer and the modified carbon nanotube. A manufacturing method of the complex carbon nanotube comprises next steps: chain growth condensation polymerizing the monomer represented by chemical formula 3 and the modified carbon nano-tube which has an initiator; and manufacturing a complex carbon nanotube.

Abstract translation: 目的：提供一种改性碳纳米管和其中连接聚（亚芳基醚）基聚合物的碳纳米管的制造方法，以通过使用链增长缩合聚合从引发剂生长聚（亚芳基醚）基聚合物 。 构成：改性碳纳米管具有附着在纳米管上并由化学式1表示的引发剂。改性碳纳米管由以化学式2表示的引发剂的前体制备。复合碳纳米管 是通过聚合形成聚（亚芳基醚）基聚合物的单体和改性碳纳米管制成的。 复合碳纳米管的制造方法包括以下步骤：将由化学式3表示的单体和具有引发剂的改性碳纳米管进行链长缩合聚合; 并制造复合碳纳米管。

公开(公告)号：KR100913424B1

公开(公告)日：2009-08-21

申请号：KR1020080063307

申请日：2008-07-01

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이희철 ,  김우영 ,  황치호 ,  이용수 ,  김상율 ,  가두연

IPC: G11C11/22 ,  B82Y30/00

CPC classification number: G11C11/22

Abstract: A passive matrix-addressable memory apparatus is provided to continually maintain the data state of memory cell by minimizing the interference. A memory device comprises the first electrode line(210), the second electrode line(220), a memory unit(100), and switches(310,320,330). The first electrode line is arranged to be parallel each other. The second electrode lines are arranged to intersect the first electrode lines. The memory unit is arranged between first electrode lines and the second electrode lines. The memory unit has the material which electrically can polarize while having the hysteresis. The switch is arranged between the first electrode lines and the memory unit. The switch is electrically connected to the first electrodes and the memory unit. The first electrodes are electrically connected to the first electrode lines while having the cantilever form. The switch has the second electrodes facing the first electrodes.

Abstract translation: 提供无源矩阵寻址存储装置，通过最小化干扰来连续地维持存储单元的数据状态。 存储器件包括第一电极线（210），第二电极线（220），存储器单元（100）和开关（310,320,330）。 第一电极线被布置为彼此平行。 第二电极线布置成与第一电极线相交。 存储单元布置在第一电极线和第二电极线之间。 存储单元具有能够具有滞后性的电极化的材料。 开关布置在第一电极线和存储器单元之间。 开关电连接到第一电极和存储单元。 第一电极与第一电极线电连接，同时具有悬臂形式。 开关具有面向第一电极的第二电极。