발광 다이오드 및 이의 제조방법
    2.
    发明授权
    발광 다이오드 및 이의 제조방법 有权
    发光二极管及其制造方法

    公开(公告)号:KR101580270B1

    公开(公告)日:2016-01-04

    申请号:KR1020140050478

    申请日:2014-04-28

    Abstract: 본발명은발광다이오드및 이의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로, 기판; 상기기판상에형성된 n-형질화갈륨반도체층; 상기 n-형질화갈륨반도체층상의적어도일부분에형성되고, 복수개의 3차원구조체를포함하는 3차원구조체층; 및상기 3차원구조체층상에형성된 p-형질화갈륨반도체층을포함하며, 상기복수개의 3차원구조체중 적어도하나는, 원뿔, 다각형뿔, 원기둥, 다각형기둥, 원형의링, 다각형의링, 평평한상부를갖도록잘린형태의원뿔, 다각형뿔, 원형의링 및다각형의링 형태의 3차원구조체중 1종이상을포함하는발광다이오드, 및이의제조방법에관한것이다. 본발명은형광체없이백색표현이가능하고우수한연색성조절및 발광효율을나타낼수 있다.

    단일 구조체를 이용한 광대역 발광다이오드 제조 방법
    3.
    发明公开
    단일 구조체를 이용한 광대역 발광다이오드 제조 방법 审中-实审
    使用单一结构的宽带发光二极管的制造方法

    公开(公告)号:KR1020150143933A

    公开(公告)日:2015-12-24

    申请号:KR1020140072117

    申请日:2014-06-13

    CPC classification number: H01L33/24 H01L33/0062 H01L33/508

    Abstract: 본발명은단일구조체를이용한광대역발광다이오드제조방법에관한것으로, 더욱상세하게는활성층의두께와함량에따라각기다른영역대의파장으로발광되는단일구조체를이용한광대역발광다이오드제조방법에관한것이다. 본발명에의하면, 형광체를사용하지않고백색을비롯하여원하는파장대역의발광다이오드를제공함으로써형광체제작및 관련공정이필요없으므로큰 공정비용이절감되는효과가있다.

    Abstract translation: 本发明涉及使用单一结构制造宽带发光二极管的方法。 更具体地,本发明涉及使用单一结构的宽带发光二极管,其根据有源层的厚度和含量发射不同波长区域中的光。 根据本发明,在不使用荧光物质的情况下,提供了包含白色的期望波长区域的发光二极管,因此不需要荧光物质的制造方法和相关工艺。 因此,本发明具有降低大规模工艺所需的高成本的效果。

    발광 다이오드 및 이의 제조방법
    4.
    发明公开
    발광 다이오드 및 이의 제조방법 有权
    发光二极管及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020150135554A

    公开(公告)日:2015-12-03

    申请号:KR1020140050478

    申请日:2014-04-28

    CPC classification number: H01L33/50 H01L33/22 H01L33/505

    Abstract: 본발명은발광다이오드및 이의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로, 기판; 상기기판상에형성된 n-형질화갈륨반도체층; 상기 n-형질화갈륨반도체층상의적어도일부분에형성되고, 복수개의 3차원구조체를포함하는 3차원구조체층; 및상기 3차원구조체층상에형성된 p-형질화갈륨반도체층을포함하며, 상기복수개의 3차원구조체중 적어도하나는, 원뿔, 다각형뿔, 원기둥, 다각형기둥, 원형의링, 다각형의링, 평평한상부를갖도록잘린형태의원뿔, 다각형뿔, 원형의링 및다각형의링 형태의 3차원구조체중 1종이상을포함하는발광다이오드, 및이의제조방법에관한것이다. 본발명은형광체없이백색표현이가능하고우수한연색성조절및 발광효율을나타낼수 있다.

    Abstract translation: 发光二极管及其制造方法技术领域本发明涉及一种发光二极管及其制造方法,更具体地,涉及一种发光二极管,包括:基板; 在该基板上形成的n型氮化镓半导体层; 形成在n型氮化镓半导体层的至少一部分上并具有多个三维结构的三维结构层; 以及形成在所述三维结构层上的p型氮化镓半导体层,其中所述三维结构中的至少一个包括锥体,聚吡喃酰胺,圆柱体,多边形柱体中的一个或多个三维结构, 圆环,多边形环,具有平坦顶部的锥形切割,具有平坦顶部的聚酰胺切割,具有平坦顶部的圆形环切割和具有平坦顶部的多边形环切口,以及至 制造发光二极管的方法。 本发明可以显示没有荧光物质的白色,并且具有优异的显色性和发光效率。

    나노 마스크를 이용한 소자의 표면처리 방법
    5.
    发明公开
    나노 마스크를 이용한 소자의 표면처리 방법 有权
    使用纳米掩模的器件的表面处理方法

    公开(公告)号:KR1020110079223A

    公开(公告)日:2011-07-07

    申请号:KR1020090136218

    申请日:2009-12-31

    Inventor: 조용훈 고영호

    Abstract: PURPOSE: A surface treatment method of a device using a nano mask is provided to control a shape of a device surface via a simple method. CONSTITUTION: A structure having a surface of the first polarity is prepared. Nano particles are coupled on a surface of the structure by supplying the nano particles with the surface of the second polarity for the structure. A curved structure(13) is formed on the surface of the structure by engraving the surface of the structure via a dry engraving process.

    Abstract translation: 目的:提供使用纳米掩模的器件的表面处理方法,以通过简单的方法控制器件表面的形状。 构成:准备具有第一极性表面的结构。 纳米颗粒通过为纳米颗粒提供具有第二极性的表面而结构的结构的表面上。 通过经由干式雕刻工艺雕刻结构的表面,在结构的表面上形成弯曲结构(13)。

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