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公开(公告)号：KR1020210003542A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：KR1020190079451
申请日：2019-07-02
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은, 웨이퍼레벨전사를이용한중/소형디스플레이의대량제조방법및 대형디스플레이에관한것으로, 보다구체적으로, 웨이퍼레벨의마이크로-LED 어레이를제조하는단계; 상기복수개의웨이퍼레벨의마이크로-LED 어레이를웨이퍼레벨전사공정으로디스플레이기판상에전사하는단계; 상기전사된마이크로-LED 어레이상에평탄층을형성하여평탄화하는단계; 상기평탄층에비아홀을형성하는단계; 및상기평탄화된마이크로-LED 어레이상에 TFT 어레이를배열및 증착하여마이크로-LED 어레이와 TFT 어레이를집적하는단계;를포함하는, 중/소형디스플레이의대량제조방법및 대형디스플레이에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020210023963A
公开(公告)日：2021-03-04
申请号：KR1020210025781
申请日：2021-02-25
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명의일 실시예에따르면, 본발명은 n-형반도체기판; 상기 n-형반도체기판상에형성된발광구조체층; 및상기발광구조체층상에형성된 p-형반도체층;을포함하고, 상기발광구조체층은, In 및 Ga을포함하는활성층이상부에형성된발광구조체의배열을포함하고, 상기발광구조체층은, 각각이단일또는복수개의발광구조체를포함하며, 둘이상의다른파장을발광하는적어도셋 이상의구분되는영역들을형성하고, 상기구분되는영역들각각은개별적으로발광제어가가능하고, 상기구분되는영역들은, 각영역을구성하는상기발광구조체의밑면의크기, 발광구조체의높이, 발광구조체의중심간의간격중 적어도한 개가서로상이한것인, 마이크로 LED 구조체및 마이크로 LED의제조방법에관한것이다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR101580270B1
公开(公告)日：2016-01-04
申请号：KR1020140050478
申请日：2014-04-28
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은발광다이오드및 이의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로, 기판; 상기기판상에형성된 n-형질화갈륨반도체층; 상기 n-형질화갈륨반도체층상의적어도일부분에형성되고, 복수개의 3차원구조체를포함하는 3차원구조체층; 및상기 3차원구조체층상에형성된 p-형질화갈륨반도체층을포함하며, 상기복수개의 3차원구조체중 적어도하나는, 원뿔, 다각형뿔, 원기둥, 다각형기둥, 원형의링, 다각형의링, 평평한상부를갖도록잘린형태의원뿔, 다각형뿔, 원형의링 및다각형의링 형태의 3차원구조체중 1종이상을포함하는발광다이오드, 및이의제조방법에관한것이다. 본발명은형광체없이백색표현이가능하고우수한연색성조절및 발광효율을나타낼수 있다.
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公开(公告)号：KR102243109B1
公开(公告)日：2021-04-22
申请号：KR1020190079451
申请日：2019-07-02
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은, 웨이퍼레벨전사를이용한중/소형디스플레이의대량제조방법및 대형디스플레이에관한것으로, 보다구체적으로, 웨이퍼레벨의마이크로-LED 어레이를제조하는단계; 상기복수개의웨이퍼레벨의마이크로-LED 어레이를웨이퍼레벨전사공정으로디스플레이기판상에전사하는단계; 상기전사된마이크로-LED 어레이상에평탄층을형성하여평탄화하는단계; 상기평탄층에비아홀을형성하는단계; 및상기평탄화된마이크로-LED 어레이상에 TFT 어레이를배열및 증착하여마이크로-LED 어레이와 TFT 어레이를집적하는단계;를포함하는, 중/소형디스플레이의대량제조방법및 대형디스플레이에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020150143933A
公开(公告)日：2015-12-24
申请号：KR1020140072117
申请日：2014-06-13
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/0062 , H01L33/508
Abstract: 본발명은단일구조체를이용한광대역발광다이오드제조방법에관한것으로, 더욱상세하게는활성층의두께와함량에따라각기다른영역대의파장으로발광되는단일구조체를이용한광대역발광다이오드제조방법에관한것이다. 본발명에의하면, 형광체를사용하지않고백색을비롯하여원하는파장대역의발광다이오드를제공함으로써형광체제작및 관련공정이필요없으므로큰 공정비용이절감되는효과가있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用单一结构制造宽带发光二极管的方法。 更具体地，本发明涉及使用单一结构的宽带发光二极管，其根据有源层的厚度和含量发射不同波长区域中的光。 根据本发明，在不使用荧光物质的情况下，提供了包含白色的期望波长区域的发光二极管，因此不需要荧光物质的制造方法和相关工艺。 因此，本发明具有降低大规模工艺所需的高成本的效果。
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公开(公告)号：KR1020150135554A
公开(公告)日：2015-12-03
申请号：KR1020140050478
申请日：2014-04-28
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L33/50 , H01L33/22 , H01L33/505
Abstract: 본발명은발광다이오드및 이의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로, 기판; 상기기판상에형성된 n-형질화갈륨반도체층; 상기 n-형질화갈륨반도체층상의적어도일부분에형성되고, 복수개의 3차원구조체를포함하는 3차원구조체층; 및상기 3차원구조체층상에형성된 p-형질화갈륨반도체층을포함하며, 상기복수개의 3차원구조체중 적어도하나는, 원뿔, 다각형뿔, 원기둥, 다각형기둥, 원형의링, 다각형의링, 평평한상부를갖도록잘린형태의원뿔, 다각형뿔, 원형의링 및다각형의링 형태의 3차원구조체중 1종이상을포함하는발광다이오드, 및이의제조방법에관한것이다. 본발명은형광체없이백색표현이가능하고우수한연색성조절및 발광효율을나타낼수 있다.
Abstract translation: 发光二极管及其制造方法技术领域本发明涉及一种发光二极管及其制造方法，更具体地，涉及一种发光二极管，包括：基板; 在该基板上形成的n型氮化镓半导体层; 形成在n型氮化镓半导体层的至少一部分上并具有多个三维结构的三维结构层; 以及形成在所述三维结构层上的p型氮化镓半导体层，其中所述三维结构中的至少一个包括锥体，聚吡喃酰胺，圆柱体，多边形柱体中的一个或多个三维结构， 圆环，多边形环，具有平坦顶部的锥形切割，具有平坦顶部的聚酰胺切割，具有平坦顶部的圆形环切割和具有平坦顶部的多边形环切口，以及至 制造发光二极管的方法。 本发明可以显示没有荧光物质的白色，并且具有优异的显色性和发光效率。
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