公开(公告)号：KR101819214B1

公开(公告)日：2018-01-17

申请号：KR1020150189263

申请日：2015-12-30

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 박상희 ,  강일석 ,  문금비 ,  박경우 ,  김유진 ,  고종범

IPC: H01L27/12 ,  H01L51/52 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32

Abstract: 본발명은수소가채널내로확산되는정도를최소화하기위하여, 배리어층이코팅된기판; 상기기판상의활성층; 상기활성층상의게이트절연막패턴; 상기게이트절연막패턴상의게이트전극; 상기게이트패턴, 상기활성층상에형성된수소제공층; 상기수소제공층을모두덮도록형성된수소유입방지막; 및상기수소유입방지막상의층간절연막, 소스/드레인전극그리고소자패시베이션막을구비하는, 반도체소자를제공한다.

公开(公告)号：KR1020160101658A

公开(公告)日：2016-08-25

申请号：KR1020160004915

申请日：2016-01-14

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  한국과학기술원

Inventor： 박상희 ,  황치선 ,  유민기 ,  피재은 ,  고종범 ,  염혜인

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/027 ,  H01L21/306 ,  G03F7/20

Abstract: 반도체소자및 이를제조하는방법을제공한다. 반도체소자는, 기판상에배치되고, 채널영역을제공하는제2 반도체패턴과, 기판및 제2 반도체패턴사이에배치되며제2 반도체패턴과접하는부분은채널영역으로제공되고, 제2 반도체패턴에의해노출되는부분들은소스/드레인영역들로제공되는제1 반도체패턴을포함한다.

Abstract translation: 提供半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括：布置在衬底上的第二半导体图案，提供沟道区; 布置在所述基板和所述第二半导体图案之间的第一半导体图案，向所述沟道区域提供接触所述第二半导体图案的部分; 以及由第二半导体图案暴露于源/漏区的部分。 因此，能够降低半导体的处理成本，能够提高半导体装置的稳定性。

公开(公告)号：KR1020170079082A

公开(公告)日：2017-07-10

申请号：KR1020150189263

申请日：2015-12-30

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 박상희 ,  강일석 ,  문금비 ,  박경우 ,  김유진 ,  고종범

IPC: H01L27/12 ,  H01L51/52 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32

Abstract: 본발명은수소가채널내로확산되는정도를최소화하기위하여, 배리어층이코팅된기판; 상기기판상의활성층; 상기활성층상의게이트절연막패턴; 상기게이트절연막패턴상의게이트전극; 상기게이트패턴, 상기활성층상에형성된수소제공층; 상기수소제공층을모두덮도록형성된수소유입방지막; 및상기수소유입방지막상의층간절연막, 소스/드레인전극그리고소자패시베이션막을구비하는, 반도체소자를제공한다.

Abstract translation: 本发明涉及涂覆有阻挡层的基底，以便使氢扩散到通道中的程度最小化。 衬底上的有源层; 有源层上的栅极绝缘膜图案; 栅绝缘膜图案上的栅电极; 栅极图案，形成在有源层上的供氢层， 形成为覆盖全部供氢层的氢流入抑制膜; 以及氢气流入防止膜上的层间绝缘膜，源极/漏极电极和元件钝化膜。