公开(公告)号：KR1020170079082A

公开(公告)日：2017-07-10

申请号：KR1020150189263

申请日：2015-12-30

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 박상희 ,  강일석 ,  문금비 ,  박경우 ,  김유진 ,  고종범

IPC: H01L27/12 ,  H01L51/52 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32

Abstract: 본발명은수소가채널내로확산되는정도를최소화하기위하여, 배리어층이코팅된기판; 상기기판상의활성층; 상기활성층상의게이트절연막패턴; 상기게이트절연막패턴상의게이트전극; 상기게이트패턴, 상기활성층상에형성된수소제공층; 상기수소제공층을모두덮도록형성된수소유입방지막; 및상기수소유입방지막상의층간절연막, 소스/드레인전극그리고소자패시베이션막을구비하는, 반도체소자를제공한다.

Abstract translation: 本发明涉及涂覆有阻挡层的基底，以便使氢扩散到通道中的程度最小化。 衬底上的有源层; 有源层上的栅极绝缘膜图案; 栅绝缘膜图案上的栅电极; 栅极图案，形成在有源层上的供氢层， 形成为覆盖全部供氢层的氢流入抑制膜; 以及氢气流入防止膜上的层间绝缘膜，源极/漏极电极和元件钝化膜。

公开(公告)号：KR101819214B1

公开(公告)日：2018-01-17

申请号：KR1020150189263

申请日：2015-12-30

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 박상희 ,  강일석 ,  문금비 ,  박경우 ,  김유진 ,  고종범

IPC: H01L27/12 ,  H01L51/52 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32

Abstract: 본발명은수소가채널내로확산되는정도를최소화하기위하여, 배리어층이코팅된기판; 상기기판상의활성층; 상기활성층상의게이트절연막패턴; 상기게이트절연막패턴상의게이트전극; 상기게이트패턴, 상기활성층상에형성된수소제공층; 상기수소제공층을모두덮도록형성된수소유입방지막; 및상기수소유입방지막상의층간절연막, 소스/드레인전극그리고소자패시베이션막을구비하는, 반도체소자를제공한다.