테이프 기판의 박막 형성장치
    1.
    发明公开
    테이프 기판의 박막 형성장치 失效
    用于形成薄膜基片薄膜的装置

    公开(公告)号:KR1020110039049A

    公开(公告)日:2011-04-15

    申请号:KR1020090096320

    申请日:2009-10-09

    CPC classification number: C23C14/0021 C23C14/505

    Abstract: PURPOSE: A tape substrate thin film forming apparatus is provided to improve the productivity by forming the thin film on the substrate while transferring the tape substrate continuously using wheels. CONSTITUTION: A rotary drum(200) is divided into an area where a reaction gas supplying tube(210) is installed on and an open area(220). A bearing(41) for rotation is installed on the rotary drum. A heater(410) is installed on the outside of the lower of a fixed drum(300). A tape substrate(10) is located between the reaction gas supply pipe and the opened area.

    Abstract translation: 目的:提供一种胶带基片薄膜形成装置,用于通过在使用轮连续传送带基片的同时在基片上形成薄膜来提高生产率。 构成:将旋转鼓(200)分为安装有反应气体供给管(210)的区域和开放区域(220)。 用于旋转的轴承(41)安装在旋转滚筒上。 加热器(410)安装在固定鼓(300)的下部的外侧。 胶带基板(10)位于反应气体供给管和打开区域之间。

    고온초전도 테이프용 접착제 및 이를 이용한 고온초전도 테이프 접착방법
    2.
    发明公开
    고온초전도 테이프용 접착제 및 이를 이용한 고온초전도 테이프 접착방법 无效
    用于高温超导体胶带的粘合剂和使用该粘合剂粘合高温超导体胶带的方法

    公开(公告)号:KR1020130096102A

    公开(公告)日:2013-08-29

    申请号:KR1020120017650

    申请日:2012-02-21

    CPC classification number: C09J5/00 C09J7/22 C09J7/30 C09J2201/602 C09J2205/10

    Abstract: PURPOSE: An adhesive for a high temperature superconducting tape is provided to be able to adhere/connect while maintaining the superconducting state of a connection part in adhering/connecting two high temperature superconducting tapes. CONSTITUTION: An adhesive comprises thin films (12a,12b) deposited with a composition of Re-Ba-Cu-O with a melting point of 850deg.C or lower. An adhering method of a high temperature superconducting tape comprises a step of forming thin films deposited with a composition of Re-Ba-Cu-O with a melting point of 850deg.C or lower on the facing surface of two high temperature superconducting tapes (10a,10b); a step of pressurizing and heating so that the adhesive melts in the state of a low oxygen partial pressure while heating with pressurizing so as to adhere the formed thin films; and a step of obtaining a superconducting phase + a secondary phase of the high temperature superconducting tape by rapidly increasing the oxygen partial pressure.

    Abstract translation: 目的:提供用于高温超导带的粘合剂,以便能够在粘合/连接两个高温超导带的同时保持连接部件的超导状态下粘附/连接。 构成:粘合剂包括用熔点为850℃或更低的Re-Ba-Cu-O组合物沉积的薄膜(12a,12b)。 高温超导带的粘合方法包括在两个高温超导带(10a)的相对表面上形成沉积有Re-Ba-Cu-O组成的薄膜,熔点为850℃或更低的薄膜 ,10B); 加压和加热的步骤,使得粘合剂在加压加热的同时在低氧分压的状态下熔融,从而粘附所形成的薄膜; 以及通过快速增加氧分压获得高温超导带的超导相+第二相的步骤。

    반도체-초전도체 전이 트랜지스터
    3.
    发明公开
    반도체-초전도체 전이 트랜지스터 失效
    使用半导体 - 超导体过渡材料的晶体管

    公开(公告)号:KR1020120130359A

    公开(公告)日:2012-12-03

    申请号:KR1020110048233

    申请日:2011-05-23

    CPC classification number: H01L39/228 H01L39/06 H01L39/126 H01L39/226

    Abstract: PURPOSE: A transistor using semiconductor-superconductivity transition is provided to reduce a heat dissipation amount by transiting a 123-cuprate material by applying a voltage to the 123-cuprate material. CONSTITUTION: A first electrode(120) is formed on a substrate. A second electrode(130) is arranged to be separated from the first electrode. A semiconductor-superconductivity transition layer(110) is extended to the second electrode from the first electrode. A gate electrode is formed to be separated from the first electrode and the second electrode. A ferroelectric layer is arranged between the gate electrode and the semiconductor-superconductivity transition layer.

    Abstract translation: 目的:提供一种使用半导体 - 超导转变的晶体管,以通过向123-铜酸盐材料施加电压来转移123-铜酸盐材料来减少散热量。 构成:在基板上形成第一电极(120)。 第二电极(130)布置成与第一电极分离。 半导体 - 超导过渡层(110)从第一电极延伸到第二电极。 栅电极形成为与第一电极和第二电极分离。 在栅电极和半导体 - 超导过渡层之间布置铁电层。

    반도체-초전도체 전이 트랜지스터
    4.
    发明授权
    반도체-초전도체 전이 트랜지스터 失效
    使用半导体 - 超导体过渡材料的晶体管

    公开(公告)号:KR101234870B1

    公开(公告)日:2013-02-19

    申请号:KR1020110048233

    申请日:2011-05-23

    Abstract: 본 발명에 따른 반도체-초전도체 전이 트랜지스터는 기판 상에 존재하는 제1 전극; 상기 제1 전극과 이격된 제2 전극; 상기 제1 전극으로부터 상기 제2 전극으로 연장되는 반도체-초전도체 전이층; 상기 제1 전극과 상기 제2 전극에 이격된 게이트 전극; 및 상기 게이트 전극과 상기 반도체-초전도체 전이층 사이에 배치된 강유전체층을 포함한다.

    테이프 기판의 박막 형성장치
    5.
    发明授权
    테이프 기판의 박막 형성장치 失效
    带基材薄膜成形装置

    公开(公告)号:KR101055611B1

    公开(公告)日:2011-08-09

    申请号:KR1020090096320

    申请日:2009-10-09

    Abstract: 테이프 기판의 박막 형성장치에 관하여 개시한다. 본 발명의 장치는, 진공 챔버와; 반응가스 공급관이 설치되고 소스가스들이 유입될 수 있도록 개방 영역이 있는 회전 드럼과; 회전 드럼 내측에 설치되며, 가열장치가 설치된 고정 챔버와; 드럼들을 사이에 두고 일측에 형성되는 테이프 기판 공급 바퀴 및 타측에 설치되는 테이프 기판 회수 바퀴가 구비되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 종래의 드럼에 기판을 감아서 회전시키면서 박막을 형성하는 경우와는 달리 바퀴들을 이용하여 테이프 기판을 계속적으로 이송하면서 기판에 박막을 형성하므로 생산성이 향상되고 용이하게 고품질의 박막을 형성할 수 있다.
    테이프 기판, 고정 드럼, 회전 드럼, 바퀴, 차동 배기튜브, 가열장치, 반응가스 공급관

    Abstract translation: 将描述用于带基底的薄膜形成设备。 本发明的设备包括:真空室; 一种旋转滚筒,其中安装有反应气体供应管,并且其中设置有开放区域以便能够引入源气体; 设置在旋转滚筒内部并设有加热装置的固定室; 提供在其一侧形成有鼓之间的带基材供给轮和设置在另一侧的带基材输出轮。 根据本发明,通过旋转在与轮传统的滚筒卷绕的衬底,与形成薄膜,在基片上,从而形成薄膜,同时连续传送所述带基体的高品质的薄膜,以提高生产效率和便利的情况下 它可以形成。

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