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1.发明申请유연 전자소자 및 그 제조방법, 응력 완화에 의한 배터리 용량 증대 방법 및 이에 의하여 증대된 용량을 갖는 유연 배터리 审中-公开柔性电子装置及其制造方法，通过应力消除增加电池容量的方法，以及使用相同功能的具有增加能力的柔性电池
公开(公告)号：WO2014035014A1
公开(公告)日：2014-03-06
申请号：PCT/KR2012/011198
申请日：2012-12-20
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01M10/04 , H01M10/0587 , H01M4/04
CPC classification number: H01L51/0097 , H01L2251/5338 , H01M6/40 , H01M10/04 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 금속호일 상에 고정기판을 적층하는 단계; 상기 적층된 고정기판 상에 전자소자를 제조하는 단계; 및 상기 금속호일을 식각하여 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유연 전자소자 제조방법이 제공된다.
Abstract translation: 柔性电子器件的制造方法技术领域本发明涉及柔性电子器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：将固定基板层叠在金属箔上; 在层叠的固定基板上制造电子器件; 蚀刻除去金属箔。
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公开(公告)号：WO2012047071A9
公开(公告)日：2012-04-12
申请号：PCT/KR2011/007473
申请日：2011-10-10
Abstract: 플렉서블 나노제너레이터 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 나노제너레이터가 제공된다. 본 발명에 따른 플렉서블 나노제너레이터 제조방법은 희생 기판상에 압전물질층을 포함하는 압전소자층을 적층하는 단계; 상기 압전소자층을 고온에서 열처리하여 결정화하는 단계; 상기 희생 기판을 제거하여 상기 기판으로부터 단위 압전소자들을 분리하는 단계; 및 상기 분리된 단위 압전소자를 플렉서블 기판에 전사하는 단계를 포함하며, 본 발명에 따른 플렉서블 나노제너레이터 제조방법 및 이에 따라 제조된 플렉서블 나노제너레이터는 기판의 구부러짐에 따라 전력이 생산되므로, 인체의 움직임 등에 따라 지속적인 전력생산이 가능하다는 장점이 있다.
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公开(公告)号：KR1020130020057A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：KR1020110082437
申请日：2011-08-18
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H02N2/18
CPC classification number: H02N2/18 , A61N1/36 , H01L41/1136 , H01L41/12 , Y10S977/837
Abstract: PURPOSE: A bio-nano generator and a method for manufacturing the same are provided to generate high efficiency current by using a piezoelectric material and a flexible plastic substrate. CONSTITUTION: A BTO(BaTiO3) thin film is formed on both sides of a flexible substrate. The flexible substrate and the BTO thin film are formed in a sealing member(401). A metal line(801) transmits the current generated from the BTO thin film to the outside. The metal line is connected to a nano generator. The movement of internal organs generates a current.
Abstract translation: 目的：提供生物纳米发生器及其制造方法，以通过使用压电材料和柔性塑料基板产生高效电流。 构成：在柔性基板的两侧形成BTO（BaTiO 3）薄膜。 柔性基板和BTO薄膜形成在密封部件（401）中。 金属线（801）将从BTO薄膜产生的电流传输到外部。 金属线连接到纳米发生器。 内脏的运动产生一种现象。
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4.发明授权
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公开(公告)号：KR101232018B1
公开(公告)日：2013-02-08
申请号：KR1020110001280
申请日：2011-01-06
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01M10/04 , H01M10/0525 , H01M10/0562
Abstract: 광에너지를 이용한 플라스틱 이차전지 제조방법, 이에 따라 제조된 플라스틱 이차전지가 제공된다.
본 발명에 따른 플라스틱 이차전지 제조방법은 플라스틱 기판 상에 양극을 적층시키는 단계; 상기 양극을 광에너지로 열처리하여, 결정화시키는 단계; 상기 양극 상에 순차적으로, 전해질 및 음극을 적층시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 플라스틱 이차전지 제조방법 및 이에 의하여 제조된 이차전지는 플라스틱 기판에서 직접 소자층을 형성시키므로, 실리콘 기판에서 소자를 제조한 후, 이를 전사시키는 종래 기술에 비하여 경제성이 우수하며, 종래 기술이 가지는 기판 선택의 한계를 효과적으로 극복할 수 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120137316A
公开(公告)日：2012-12-20
申请号：KR1020120105120
申请日：2012-09-21
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01M10/0585 , H01M10/0562 , H01M10/04
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a plastic battery device is provided to effectively transcribe and manufacture an electric device without the deformation of a device on a plastic substrate. CONSTITUTION: A manufacturing method of a plastic battery device comprises: a step of forming a battery layer on a sacrifice substrate; a step of removing the sacrifice substrate; and a step of transcribe the battery layer on a plastic board by using a transfer layer. The manufacturing method additionally comprises a step of binding a substrate-supporting layer on the battery layer before removing the sacrifice substrate. A plastic battery device comprises a plastic substrate(600), a joint layer on the plastic substrate layer(500), a battery layer(300) laminated on the joint layer, and a silicon oxide layer(200) between the battery layer and the joint layer.
Abstract translation: 目的：提供塑料电池装置的制造方法，以有效地转录和制造电子装置，而不会在塑料基板上的装置变形。 构成：塑料电池装置的制造方法包括：在牺牲基板上形成电池层的工序; 去除牺牲基材的步骤; 以及通过使用转印层将电池层转印在塑料板上的步骤。 该制造方法还包括在去除牺牲衬底之前将电池层上的衬底支撑层结合的步骤。 塑料电池装置包括塑料基板（600），塑料基板层（500）上的接合层，层压在接合层上的电池层（300）和电池层与电极层之间的氧化硅层（200） 联合层。
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公开(公告)号：KR101148455B1
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：KR1020100121453
申请日：2010-12-01
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/04
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a plastic solar cell using a layered substrate and the plastic solar cell manufactured by the same are provided to increase the reliability of a process since a wet etching method in which process control is complicated is not used to eliminate a lower substrate. CONSTITUTION: A transparent conductive film(210) is laminated on a mica substrate(100). A first type doped layer(220) is laminated on the transparent conductive film. An intrinsic layer(230) is laminated on the first type doped layer. A second type doped layer(240) is laminated on the intrinsic layer. A top electrode layer(250) is laminated on a p-type doped layer.
Abstract translation: 目的：提供一种使用层叠基板的塑料太阳能电池的制造方法和由该基板制造的塑料太阳能电池的制造方法，以提高工艺的可靠性，因为不使用工艺控制复杂的湿式蚀刻方法来消除较低的 基质。 构成：在云母基板（100）上层叠透明导电膜（210）。 在透明导电膜上层压第一掺杂层（220）。 本征层（230）层压在第一类型掺杂层上。 第二类型掺杂层（240）层压在本征层上。 顶部电极层（250）层压在p型掺杂层上。
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公开(公告)号：KR101336259B1
公开(公告)日：2013-12-06
申请号：KR1020120105120
申请日：2012-09-21
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01M10/0585 , H01M10/0562 , H01M10/04
Abstract: 플라스틱 전지소자 제조방법, 이에 따라 제조된 플라스틱 전지소자가 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 플라스틱 전지소자 제조방법은 희생기판 상에 전지층을제조하는 단계; 상기 희생기판을 제거하는 단계; 및 전사층을 이용, 상기 전지층을 플라스틱 기판으로 전사시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR101328006B1
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：KR1020130071321
申请日：2013-06-21
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자 제조방법 및 이에 따라 제조된 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자가 제공된다.
본 발명에 따른 유연성 질화갈륨 발광다이오드 소자 제조방법은 희생기판 상에 질화갈륨 발광다이오드 소자를 제조하는 단계; 상기 희생기판으로부터 상기 질화갈륨 발광다이오드 소자를 화학적으로 분리하는 단계를 포함하며, 여기에서 상기 화학적 분리는 상기 희생기판과 질화갈륨 발광다이오드 소자 사이의 희생층을 화학적으로 제거하는 방식으로 진행되는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 유연성의 GaN LED 소자는 구 형태의 두개골이나 두개골 뼈 바로 아래에 위치하는 주름진 대뇌피질(인지, 사고, 언어, 기억 등의 역할, 특히 파킨슨 병은 표면에 위치하는 신경세포에 의한 증상) 등과 같이 구불구불한 표면의 인체 내에 이식가능하다. 또한 복수 개로 구성되며, 각각이 독립적으로 온/오프되는 LED 어레이를 통해 여러 부위에 신경세포의 빛 온-오프 자극이 가능하므로 신경 회로의 규명이 용이해진다.-
公开(公告)号：KR1020130008224A
公开(公告)日：2013-01-22
申请号：KR1020110068830
申请日：2011-07-12
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L33/12
CPC classification number: H01L33/0079 , A61N5/0622 , G01N33/4836 , H01L33/32 , H01L33/36
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a GaN LED device and a GaN LED device manufactured by the same are provided to easily verify a nerve circuit by using an LED array. CONSTITUTION: A gallium nitride light emitting diode element is formed on a sacrificial substrate(100). A gallium nitride light emitting diode element is chemically separated from the sacrificial substrate. A silicon oxide layer(200) is laminated on the sacrificial substrate. A patterning process is performed on the silicon oxide layer. A first gallium nitride film(201a) is grown up in a space between silicon oxide layers.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造由其制造的GaN LED器件和GaN LED器件的方法，以通过使用LED阵列容易地验证神经电路。 构成：在牺牲基板（100）上形成氮化镓发光二极管元件。 氮化镓发光二极管元件与牺牲衬底化学分离。 在牺牲基板上层叠氧化硅层（200）。 在氧化硅层上进行构图处理。 第一氮化镓膜（201a）在氧化硅层之间的空间中长大。
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