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公开(公告)号：KR101761009B1
公开(公告)日：2017-07-24
申请号：KR1020150124269
申请日：2015-09-02
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은, 단상의다원계고엔트로피합금및 이의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로, W, Mo, Ti, V, Cr, Nb, Zr, Re, Hf 및 Ta로이루어진군에서선택되는적어도 4개이상의원소를포함하는, 단상의다원계고엔트로피합금및 이의제조방법에관한것이다. 본발명은, 균일성과안정성이향상된고경도의단상의다원계고엔트로피합금을제공할수 있다.
Abstract translation: 更具体地说，本发明涉及一种单相多相熵合金及其制造方法，更具体地说，本发明涉及一种单相多相熵合金及其制造方法， 包含上述元素的相熵合金及其制造方法。 本发明可以提供具有改善的均匀性和稳定性的高硬度的单相多边形熵合金。
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公开(公告)号：KR101630753B1
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：KR1020140152989
申请日：2014-11-05
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은비기체연소합성을위한박막구조의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로, 제1 재료층에제2 재료층을증착하여증착구조를형성하는단계; 상기증착구조를적층하여적층구조를형성하는단계; 및상기적층구조를압착하는단계를포함하는비기체연소합성을위한박막구조의제조방법, 상기방법으로제조된비기체연소합성을위한박막구조, 및상기박막구조를이용한비기체연소합성방법에관한것이다. 본발명은균일한층간구조를갖고, 비기체연소합성시 발생하는열원을균일하게제어할수 있는비기체연소합성을위한박막구조를제공할수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160054135A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：KR1020140152989
申请日：2014-11-05
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은비기체연소합성을위한박막구조의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로, 제1 재료층에제2 재료층을증착하여증착구조를형성하는단계; 상기증착구조를적층하여적층구조를형성하는단계; 및상기적층구조를압착하는단계를포함하는비기체연소합성을위한박막구조의제조방법, 상기방법으로제조된비기체연소합성을위한박막구조, 및상기박막구조를이용한비기체연소합성방법에관한것이다. 본발명은균일한층간구조를갖고, 비기체연소합성시 발생하는열원을균일하게제어할수 있는비기체연소합성을위한박막구조를제공할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于自传播高温合成的薄膜结构的制造方法，通过该方法制造的用于自传播高温合成的薄膜结构，以及使用该薄膜的自蔓延高温合成 电影结构。 更具体地说，本发明涉及一种用于自传播高温合成的薄膜结构的制造方法，包括以下步骤：通过在第一材料层上沉积第二材料层来形成沉积结构; 通过堆叠沉积结构形成堆叠结构; 并压缩堆叠结构。 在本发明中，提供了一种用于自传播高温合成的薄膜结构，其可以均匀地控制在自传播高温合成期间产生的热源。
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公开(公告)号：KR101742374B1
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：KR1020150073593
申请日：2015-05-27
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은그래핀옥사이드의국부적환원방법및 국부적으로환원된그래핀옥사이드박막에관한것으로서, 본발명의제1 측면에따른그래핀옥사이드의국부적환원방법은, 그래핀옥사이드박막을준비하는단계; 상기그래핀옥사이드박막상에자가반응층을형성하는단계; 상기자가반응층에자극을부여하여상기그래핀옥사이드박막중 상기자가박막층이형성된부분을국부적으로환원시키는단계; 및상기자가반응층을제거하는단계;를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020170027520A
公开(公告)日：2017-03-10
申请号：KR1020150124269
申请日：2015-09-02
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은, 단상의다원계고엔트로피합금및 이의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로, W, Mo, Ti, V, Cr, Nb, Zr, Re, Hf 및 Ta로이루어진군에서선택되는적어도 4개이상의원소를포함하는, 단상의다원계고엔트로피합금및 이의제조방법에관한것이다. 본발명은, 균일성과안정성이향상된고경도의단상의다원계고엔트로피합금을제공할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160139179A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：KR1020150073593
申请日：2015-05-27
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은그래핀옥사이드의국부적환원방법및 국부적으로환원된그래핀옥사이드박막에관한것으로서, 본발명의제1 측면에따른그래핀옥사이드의국부적환원방법은, 그래핀옥사이드박막을준비하는단계; 상기그래핀옥사이드박막상에자가반응층을형성하는단계; 상기자가반응층에자극을부여하여상기그래핀옥사이드박막중 상기자가박막층이형성된부분을국부적으로환원시키는단계; 및상기자가반응층을제거하는단계;를포함한다.
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公开(公告)号：KR101376903B1
公开(公告)日：2014-03-25
申请号：KR1020130007591
申请日：2013-01-23
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/83101 , H01L2924/1461 , H01L2924/00
Abstract: The present invention relates to a method for wafer level bonding wherein the method comprises the step of forming a first metal layer on a first wafer; the step of forming a second metal layer on a second wafer; the step of bonding the first wafer with the second wafer for the first metal layer to face solder foil with the solder foil arranged on the second metal layer.
Abstract translation: 本发明涉及一种晶片级接合方法，其中该方法包括在第一晶片上形成第一金属层的步骤; 在第二晶片上形成第二金属层的步骤; 将第一晶片与用于第一金属层的第二晶片接合以面对焊料箔的步骤，焊料箔布置在第二金属层上。
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