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公开(公告)号：KR1020160139179A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：KR1020150073593
申请日：2015-05-27
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은그래핀옥사이드의국부적환원방법및 국부적으로환원된그래핀옥사이드박막에관한것으로서, 본발명의제1 측면에따른그래핀옥사이드의국부적환원방법은, 그래핀옥사이드박막을준비하는단계; 상기그래핀옥사이드박막상에자가반응층을형성하는단계; 상기자가반응층에자극을부여하여상기그래핀옥사이드박막중 상기자가박막층이형성된부분을국부적으로환원시키는단계; 및상기자가반응층을제거하는단계;를포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101630753B1
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：KR1020140152989
申请日：2014-11-05
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은비기체연소합성을위한박막구조의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로, 제1 재료층에제2 재료층을증착하여증착구조를형성하는단계; 상기증착구조를적층하여적층구조를형성하는단계; 및상기적층구조를압착하는단계를포함하는비기체연소합성을위한박막구조의제조방법, 상기방법으로제조된비기체연소합성을위한박막구조, 및상기박막구조를이용한비기체연소합성방법에관한것이다. 본발명은균일한층간구조를갖고, 비기체연소합성시 발생하는열원을균일하게제어할수 있는비기체연소합성을위한박막구조를제공할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160054135A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：KR1020140152989
申请日：2014-11-05
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은비기체연소합성을위한박막구조의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로, 제1 재료층에제2 재료층을증착하여증착구조를형성하는단계; 상기증착구조를적층하여적층구조를형성하는단계; 및상기적층구조를압착하는단계를포함하는비기체연소합성을위한박막구조의제조방법, 상기방법으로제조된비기체연소합성을위한박막구조, 및상기박막구조를이용한비기체연소합성방법에관한것이다. 본발명은균일한층간구조를갖고, 비기체연소합성시 발생하는열원을균일하게제어할수 있는비기체연소합성을위한박막구조를제공할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于自传播高温合成的薄膜结构的制造方法，通过该方法制造的用于自传播高温合成的薄膜结构，以及使用该薄膜的自蔓延高温合成 电影结构。 更具体地说，本发明涉及一种用于自传播高温合成的薄膜结构的制造方法，包括以下步骤：通过在第一材料层上沉积第二材料层来形成沉积结构; 通过堆叠沉积结构形成堆叠结构; 并压缩堆叠结构。 在本发明中，提供了一种用于自传播高温合成的薄膜结构，其可以均匀地控制在自传播高温合成期间产生的热源。
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公开(公告)号：KR1020170101728A
公开(公告)日：2017-09-06
申请号：KR1020160024709
申请日：2016-02-29
IPC: H01L23/495 , H01L23/00 , H01L21/02 , H01L51/00 , H01L21/768
CPC classification number: B23K1/203 , B23K1/0016 , B23K1/008 , B23K1/19 , B23K2201/42 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B31/022 , H01L21/4853 , H01L21/4864 , H01L23/49838 , H01L23/4985 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/16227 , H01L2224/81024 , H01L2224/81815 , H01L2224/81911 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06568 , H01L2924/15311 , Y10S977/742 , Y10S977/745 , Y10S977/75 , Y10S977/752 , Y10S977/842 , Y10S977/89 , Y10S977/932
Abstract: 반도체패키지의제조방법에서, 제1 면상에접속패드를구비하는기판의상기접속패드상에탄소나노튜브를포함하는플럭스를도포하고, 상기플럭스가도포된접속패드상에솔더볼을배치하며, 리플로우공정에의해상기솔더볼로부터상기접속패드에부착된솔더층을형성하고, 상기리플로우된솔더볼이반도체칩에구비된접속패드와마주보도록상기반도체칩을상기기판상에실장한다.
Abstract translation: 一种制造半导体封装的方法，包括：将含有碳纳米管的助熔剂施加到在第一表面上具有连接焊盘的衬底的连接焊盘上;将焊球放置在所述焊剂施加的连接焊盘上; 通过一种方法，以形成附接至焊料层从所述焊球和面向sanggiri提供的半导体芯片安装在基板上的半导体芯片上的连接焊盘的流动焊球连接焊盘。
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公开(公告)号：KR101742374B1
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：KR1020150073593
申请日：2015-05-27
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은그래핀옥사이드의국부적환원방법및 국부적으로환원된그래핀옥사이드박막에관한것으로서, 본발명의제1 측면에따른그래핀옥사이드의국부적환원방법은, 그래핀옥사이드박막을준비하는단계; 상기그래핀옥사이드박막상에자가반응층을형성하는단계; 상기자가반응층에자극을부여하여상기그래핀옥사이드박막중 상기자가박막층이형성된부분을국부적으로환원시키는단계; 및상기자가반응층을제거하는단계;를포함한다.
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