-
公开(公告)号：KR1020090016823A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：KR1020070081090
申请日：2007-08-13
Applicant: 한국과학기술원
IPC: B41M3/14
CPC classification number: D21H21/44 , B42D15/0033 , B42D25/29 , Y10T428/24934
Abstract: A counterfeit prevention paper is provided to improve forgery prevention functions of various currencies, securities, official documents, certificates, etc., and to facilitate forgery discrimination, and a manufacturing method of the counterfeit prevention paper is provided. A counterfeit prevention paper comprises a paper(101), and a thermocolor paint layer(103) formed on the paper and discolored according to temperature. The counterfeit prevention paper further comprises an adhesion layer(102) formed between the paper and thermocolor paint layer. The counterfeit prevention paper further comprises a protection layer(106) formed on the thermocolor paint layer. The thermocolor paint layer includes a reversible poly-di-acetylene layer(104) and an irreversible poly-di-acetylene layer(105).
Abstract translation: 提供防伪纸以提高各种货币，证券，官方文件，证书等的防伪功能，并有利于伪造品鉴别，并提供防伪纸的制造方法。 防伪纸包括纸（101）和形成在纸上的根据温度变色的热色漆层（103）。 防伪纸还包括形成在纸和热色漆层之间的粘附层（102）。 防伪纸还包括形成在热色漆层上的保护层（106）。 热色漆层包括可逆的聚二乙炔层（104）和不可逆的聚二乙炔层（105）。
-
公开(公告)号：KR100930262B1
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：KR1020070081090
申请日：2007-08-13
Applicant: 한국과학기술원
IPC: B41M3/14
CPC classification number: D21H21/44 , B42D15/0033 , B42D25/29 , Y10T428/24934
Abstract: 본 발명은 위조방지용지에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 지폐, 유가증권류, 공문서 및 제증명서 등의 위조방지용지 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 위조방지용지는 용지, 용지 상에 형성되고, 온도에 따라 변색되는 시온도료층, 용지 상에 부착층을 형성하는 단계 및 부착층 상에 온도에 따라 변색되는 시온도료층을 형성하는 단계를 포함한다.
이러한 본 발명에 따른 위조방지용지는 육안으로 용이하게 위조감별을 할 수 있으며, 위조장치에 의해 위조방지기능이 복사되지 않음으로서 각종 공문서, 증명서 및 유가증권류 등의 신뢰성을 높이는 효과가 있다.
위폐, 위조지폐, 위조, 위조수표, 위조유가증권, 위조공문서, 위조방지기술Abstract translation: 防伪纸及其制造方法技术领域本发明涉及防伪纸及其制造方法，更具体地涉及货币，证券，公文和多个证书等。根据本发明的防伪纸包括纸和形成于其上的热敏涂层 一张纸，并根据温度变色。 根据本发明的防伪纸可以通过肉眼很容易地检测到伪造品。 此外，用于防止伪造的功能不被仿造设备复制，因此根据本发明的防伪纸可以提高各种正式文件和多个证件等的可靠性。
-
公开(公告)号：KR100897515B1
公开(公告)日：2009-05-15
申请号：KR1020070024835
申请日：2007-03-14
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L21/28273 , B82Y10/00 , H01L27/115 , H01L27/11517 , H01L29/4234 , H01L29/51 , H01L29/511 , H01L29/792 , H01L51/0046 , H01L51/0048
Abstract: 본 발명은 비휘발성 메모리 셀 및 그 제조방법에 관한 것이다.
이러한 본 발명에 따른 비휘발성 메모리 셀은 기판, 기판의 활성영역 상에 형성된 제1산화막, 활성영역 내에 형성된 소오스와 드레인, 제1산화막 상에 형성된 전하저장부, 전하저장부를 포위하고, 제1산화막 상에 형성된 제2산화막 및 제2산화막을 포위하도록 형성된 게이트를 포함한다.
이러한 본 발명에 따른 비휘발성 메모리 셀, 이를 포함하는 셀 어레이는 전하저장부가 게이트 또는 게이트라인에 의해 완전히 포위됨으로써, 인접한 다른 게이트 또는 게이트라인 내부에 형성된 셀에 의한 메모리 동작으로 발생할 수 있는 셀간 간섭현상을 최소화 할 수 있다.
게이트 라인, 탄소나노튜브(carbon nanotube), 플러린(fullerene), 나노결정-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100853964B1
公开(公告)日：2008-08-25
申请号：KR1020070012606
申请日：2007-02-07
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G11C16/30 , H01L27/115
Abstract: 본 발명은 비휘발성 메모리 소자의 구동방법에 관한 것이다.
이러한 본 발명은 기판에 형성된 트렌치와 트렌치 상에 형성된 전하트랩영역과 전하트랩영역 상에 형성된 게이트 및 트렌치의 양측에 형성된 소오스와 드레인을 포함하는 RCAT구조를 갖는 비휘발성 메모리 소자의 구동방법에 있어서, 드레인측과 인접한 전하트랩영역에 전하를 포획하는 드레인측 전하포획단계 및 소오스측과 인접한 전하트랩영역에 전하를 포획하는 소오스측 전하포획단계를 포함한다.
RCAT(Recessed Channel Array Transistor), 비휘발성 메모리, 충돌이온화(impact ionization)-
公开(公告)号：KR1020080049222A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：KR1020060119559
申请日：2006-11-30
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , B82Y10/00
CPC classification number: G11C13/025 , G11C2213/17 , H01L21/28273 , H01L29/42332 , H01L29/7881 , B82Y10/00
Abstract: A non-volatile memory device and a manufacturing method thereof are provided to increase remarkably a data preservation time by using carbon nano-tubes as electric charge storage regions. A source(103) and a drain(104) are formed on a substrate(101). A memory cell is formed on a channel(102) between the source and the drain. The memory cell includes carbon nano-tubes(106) for storing electric charges supplied from the channel. A gate(109) is formed on the memory cell in order to adjust the amount of electric charges to be transferred to the memory cell. The memory cell includes a tunneling oxide layer(105) formed on the channel, the carbon nano-tubes formed on the tunneling oxide layer in order to store the electric charges from the channel, an insulating layer(107) formed between the carbon nano-tubes on the tunneling oxide layer in order to prevent the migration of the electric charges between the carbon nano-tubes, and a blocking oxide layer(108) formed on the insulating layer in order to prevent the migration of the electric charges from the channel to the gate.
Abstract translation: 提供一种非易失性存储器件及其制造方法，通过使用碳纳米管作为电荷存储区域，显着增加数据保存时间。 源（103）和漏极（104）形成在衬底（101）上。 存储单元形成在源极和漏极之间的沟道（102）上。 存储单元包括用于存储从通道提供的电荷的碳纳米管（106）。 为了调整要传送到存储单元的电荷量，在存储单元上形成栅极（109）。 存储单元包括在通道上形成的隧道氧化物层（105），形成在隧道氧化物层上的碳纳米管以便从沟道存储电荷，形成在碳纳米管之间的绝缘层（107） 在隧道氧化物层上的管，以防止碳纳米管之间的电荷迁移，以及形成在绝缘层上的阻挡氧化物层（108），以防止电荷从通道迁移到 大门。
-
公开(公告)号：KR1020080073859A
公开(公告)日：2008-08-12
申请号：KR1020070012606
申请日：2007-02-07
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G11C16/30 , H01L27/115
CPC classification number: G11C16/30 , H01L21/28282
Abstract: A driving method of a non-volatile memory device is provided to store two bits data in each unit cell of the non-volatile memory device using a RCAT(Recessed Channel Array Transistor) structure. A non-volatile memory device has a RCAT(Recessed Channel Array Transistor) structure. The RCAT structure has a trench formed on a substrate(201), a charge trap region formed on the trench, a gate(205) formed on the charge trap region and a source(206) and a drain(207) formed on the left and right of the trench. According to a driving method of the non-volatile memory device, a drain side charge trapping step traps charges in charge trap regions(202,203,204) in the drain side. A source side charge trapping step traps charges in charge trap regions in the source side. In the drain side charge trapping step, a voltage applied to the gate is larger than a voltage applied to the drain.
Abstract translation: 提供非易失性存储器件的驱动方法，以使用RCAT（嵌入式通道阵列晶体管）结构在非易失性存储器件的每个单位单元中存储两位数据。 非易失性存储器件具有RCAT（嵌入式通道阵列晶体管）结构。 RCAT结构具有形成在衬底（201）上的沟槽，形成在沟槽上的电荷陷阱区，形成在电荷陷阱区上的栅极（205）和形成在左侧的源极（206）和漏极（207） 和沟渠的右边。 根据非易失性存储器件的驱动方法，漏极侧电荷俘获步骤在漏极侧的电荷捕获区（202,203,204）中俘获电荷。 源侧电荷捕获步骤捕获源极侧的电荷陷阱区域中的电荷。 在漏极侧电荷捕获步骤中，施加到栅极的电压大于施加到漏极的电压。
-
公开(公告)号：KR1020080083945A
公开(公告)日：2008-09-19
申请号：KR1020070024835
申请日：2007-03-14
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L21/28273 , B82Y10/00 , H01L27/115 , H01L27/11517 , H01L29/4234 , H01L29/51 , H01L29/511 , H01L29/792 , H01L51/0046 , H01L51/0048 , H01L21/76838
Abstract: A non-volatile memory cell and a manufacturing method thereof are provided to minimize interference effect due to operations of adjacent cells by surrounding a charge storage unit with a gate line. A first oxide layer(104) is formed on an active region of a first substrate(100). A source(103a) and a drain(103b) are formed within the active region. A charge storage unit(105) is formed on the first oxide layer. A second oxide layer(106) is formed on the first oxide layer to surround the charge storage unit. A gate is formed to surround the second oxide layer. The charge storage unit is composed of a carbon nano-tube, a fullerene, a nitride or a nano-crystal material. The gate is composed of polysilicon or metal.
Abstract translation: 提供一种非易失性存储单元及其制造方法，以通过围绕具有栅极线的电荷存储单元来最小化由于相邻单元的操作引起的干扰效应。 第一氧化物层（104）形成在第一衬底（100）的有源区上。 源极（103a）和漏极（103b）形成在有源区域内。 电荷存储单元（105）形成在第一氧化物层上。 第二氧化物层（106）形成在第一氧化物层上以围绕电荷存储单元。 形成围绕第二氧化物层的栅极。 电荷存储单元由碳纳米管，富勒烯，氮化物或纳米晶体材料构成。 栅极由多晶硅或金属组成。
-
公开(公告)号：KR100843336B1
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：KR1020060119559
申请日：2006-11-30
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , B82Y10/00
CPC classification number: G11C13/025 , G11C2213/17 , H01L21/28273 , H01L29/42332 , H01L29/7881
Abstract: 본 발명은 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
이러한 본 발명에 따른 비휘발성 메모리 소자는 기판에 이격되어 형성된 소오스와 드레인, 소오스와 드레인 사이의 채널 상에서 기판에 대하여 수직으로 형성되어, 채널로부터 공급된 전하를 저장하는 탄소나노튜브들을 포함하는 메모리셀 및 메모리셀 상에 형성되어 채널로부터 메모리셀로 유입되는 전하량을 조절하는 게이트를 포함한다.
이러한 본 발명에 따르면, 비휘발성 메모리 소자의 데이터 보존시간을 증가시켜 전하저장능력이 개선된 비휘발성 메모리 소자와 그 제조방법을 제공하는 효과가 있다.
탄소나노튜브, 전하저장지역, 비휘발성 메모리 소자, 축합반응
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.019 seconds)
