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公开(公告)号：KR1020110118960A
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：KR1020100038386
申请日：2010-04-26
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: C01G49/00 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C01P2004/16 , H01L31/035227
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing metal silicide single crystalline nano-wires and the metal silicide single crystalline nano-wires are provided to adjust the short axial diameters of the nano-wires and secure free-standing properties under a catalyst-free condition and a template-free condition. CONSTITUTION: Iron silicide nano-wires are formed on a substrate by thermally treating a first precursor, a second precursor, and a substrate under an inert gas atmosphere. The first precursor is arranged at the front end part of a reactor and contains iron halide. The second precursor is arranged at the rear end part of the reactor and contains silicon and carbon. The substrate is arranged at the rear end part of the reactor. The relative growth speed of the short axial direction and the long axial direction of the iron silicide nano-wires is controlled according to the weight ratio of the silicon and the carbon. The short axial diameters of the iron silicide nano-wires are controlled without the change of a composition and a crystalline structure according to the weight ratio of the silicon and the carbon.
Abstract translation: 目的：提供一种制造金属硅化物单晶纳米线和金属硅化物单晶纳米线的方法，以调节纳米线的短轴向直径，并确保无催化剂条件下的独立性能和模板 - 自由条件。 构成：通过在惰性气体气氛下热处理第一前体，第二前体和基底，在基底上形成硅化铁纳米线。 第一前驱体设置在反应器的前端，并含有卤化铁。 第二前体设置在反应器的后端部分并且包含硅和碳。 基板布置在反应器的后端部分。 根据硅和碳的重量比，控制硅化铁纳米线的短轴方向和长轴方向的相对生长速度。 根据硅和碳的重量比，控制硅化铁纳米线的短轴向直径而不改变组成和结晶结构。
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公开(公告)号：KR101480744B1
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：KR1020130039476
申请日：2013-04-10
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 A로 표시되는 금속 게르마늄 규화물 단결정 나노선 및 이의 제조방법을 제공한다.
[화학식 A]
(Nb
1-m V
m )
10 (Si
x Ge
1-x )
7
여기서 m은 0.01 내지 0.2의 범위를 갖는 실수이고, X는 0.1 내지 0.5 의 범위를 갖는 실수이다.-
公开(公告)号：KR1020140122590A
公开(公告)日：2014-10-20
申请号：KR1020130039476
申请日：2013-04-10
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 A로 표시되는 금속 게르마늄 규화물 단결정 나노선 및 이의 제조방법을 제공한다.
[화학식 A]
(Nb
1-m V
m )
10 (Si
x Ge
1-x )
7
여기서 m은 0.01 내지 0.2의 범위를 갖는 실수이고, X는 0.1 내지 0.5 의 범위를 갖는 실수이다.Abstract translation: 本发明提供由化学式A（Nb1-mVm）10（SixGe1-x）表示的多组分单晶金属锗硅化物纳米线及其制造方法。 化学式A中，m为0.01〜0.2的实数，X为0.1〜0.5的实数。
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公开(公告)号：KR101200864B1
公开(公告)日：2012-11-13
申请号：KR1020100038386
申请日：2010-04-26
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은 무-촉매, 무-템플레이트(template-free) 조건으로, 단축 직경의 길이가 엄밀하게 조절되며 기판에 대해 일정한 방향성을 가지며, 기판 상 독립적으로 서 있는(free-standing) 규화철 나노와이어의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 규화철 나노와이어에 관한 것으로, 상세하게, 본 발명에 따른 제조방법은 반응로의 전단부에 위치한 할로겐화철을 함유하는 제1선구물질, 상기 반응로의 후단부에 위치한 규소(Si) 및 탄소(C)를 함유하는 제2선구물질, 상기 반응로의 후단부에 위치한 기판을 불활성 기체가 흐르는 분위기에서 열처리하여 상기 기판 상에 규화철 나노와이어가 제조되며, 상기 제2선구물질의 규소:탄소의 질량비에 의해 상기 기판상 형성되는 상기 규화철 나노와이어의 단축 방향과 장축 방향의 상대적 성장 속도가 제어되는 특징이 있다.
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