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公开(公告)号：WO2009093842A2
公开(公告)日：2009-07-30
申请号：PCT/KR2009/000310
申请日：2009-01-21
IPC: B82B3/00
CPC classification number: C30B29/02 , C30B23/00 , C30B23/007 , C30B29/60 , Y10T428/2958
Abstract: 본 발명은 비스무트(Bi) 분말을 이용한 비스무트 단결정 나노와이어의 제조방법을 제공하며, 상세하게는 반응로의 전단부에 위치시킨 비스무트 분말과 반응로의 후단부에 위치시킨 기판을 불활성 기체가 흐르는 분위기에서 열처리하여 상기 기판 상에 비스무트 단결정 나노와이어를 제조하는 방법을 제공한다. 본 발명의 제조방법은 주형체를 사용하지 않고 기상이송법을 이용하여 비스무트 나노와이어를 제조할 수 있어 그 공정이 간단하고 재현성이 있으며, 제조된 비스무트 나노와이어가 결함을 포함하지 않는 완벽한 단결정 상태의 고순도/고품질인 장점을 가지며, 기판 상에 응집되어 있지 않은 고형상의 비스무트 나노와이어를 대량생산할 수 있는 장점이 있다.
Abstract translation: 本发明涉及通过使用铋（Bi）粉末制造铋单晶非线性的方法，更具体地说，涉及通过对位于反应器前端的铋粉进行热处理而在基板上制造铋单晶非线性的方法，以及 位于反应器的后端的基板在惰性气体流动的气氛中。 由于铋非线性可以通过使用不使用模板的气相输送过程来制造，因此所公开的方法简单且繁殖。 此外，生产的Bi非线性确保了在没有缺陷的完全单晶状态下的高纯度和高质量。 此外，所公开的方法可以大规模生产在基板上不凝结的固体铋非线性。
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公开(公告)号：KR100974606B1
公开(公告)日：2010-08-06
申请号：KR1020080063424
申请日：2008-07-01
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은 이원합금을 구성하는 금속원소들의 금속산화물, 금속물질 또는 할로겐화금속, 또는 이원합금물질을 선구물질로 기상합성 방법을 이용한 이원합금 나노구조체의 제조방법 및 이원합금 나노구조체를 제공하며, 상세하게는 반응로의 전단부에 위치시킨 선구물질과 반응로의 후단부에 위치시킨 기판을 불활성 기체가 흐르는 분위기에서 열처리하여 상기 기판 상에 이원합금 단결정 나노와이어 또는 나노벨트를 형성시키는 제조 방법 및 본 발명의 제조 방법에 의해 제조된 이원합금 나노와이어 또는 나노벨트를 제공한다.
본 발명의 제조방법은 촉매를 사용하지 않는 기상이송법을 이용하여 이원합금 나노구조체를 제조할 수 있어 그 공정이 간단하고 재현성이 있으며, 제조된 나노와이어 또는 나노벨트가 결함을 포함하지 않는 완벽한 단결정 상태의 고품질 이원합금 나노구조체인 장점을 가지며, 단결정 기판 상에 응집되어 있지 않은 균일한 크기의 이원합금 나노구조체를 대량생산할 수 있는 장점이 있다.
이원합금(binary alloy), 나노와이어(nanowire), 나노벨트(nanobelt), 기상합성법, Ag, Au, Pd, Te, Co, Bi, 무촉매-
公开(公告)号：KR1020140122590A
公开(公告)日：2014-10-20
申请号：KR1020130039476
申请日：2013-04-10
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 A로 표시되는 금속 게르마늄 규화물 단결정 나노선 및 이의 제조방법을 제공한다.
[화학식 A]
(Nb
1-m V
m )
10 (Si
x Ge
1-x )
7
여기서 m은 0.01 내지 0.2의 범위를 갖는 실수이고, X는 0.1 내지 0.5 의 범위를 갖는 실수이다.Abstract translation: 本发明提供由化学式A（Nb1-mVm）10（SixGe1-x）表示的多组分单晶金属锗硅化物纳米线及其制造方法。 化学式A中，m为0.01〜0.2的实数，X为0.1〜0.5的实数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090081488A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：KR1020080007372
申请日：2008-01-24
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: C30B29/02 , C30B23/00 , C30B23/007 , C30B29/60 , Y10T428/2958
Abstract: A method for preparing single crystalline bismuth nanowire is provided to prepare a semi-metal material of single crystalline bismuth nanowire by a vapor-phase transport process without the use of nanoporous template. A method for preparing single crystalline bismuth nanowire comprises the following steps of: vaporizing bismuth powder; and forming bismuth nanowire on a substrate. The bismuth powder is located on the front end of a reactor and maintained at the temperature of 600 - 800°C. The substrate is located on the back end of the reactor and maintained at the temperature of 100 - 200°C. An inert gas flow rate is 100 - 600 sccm when it flows from the front end to the back end of the reactor.
Abstract translation: 提供制备单晶铋纳米线的方法，通过气相输送方法制备单晶铋纳米线的半金属材料，而不使用纳米多孔模板。 制备单晶铋纳米线的方法包括以下步骤：蒸发铋粉; 并在基底上形成铋纳米线。 铋粉末位于反应器的前端，并保持在600-800℃的温度。 基材位于反应器的后端，并保持在100-200℃的温度。 惰性气体流量从反应器的前端流向后端时为100-600sccm。
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公开(公告)号：KR101480744B1
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：KR1020130039476
申请日：2013-04-10
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 A로 표시되는 금속 게르마늄 규화물 단결정 나노선 및 이의 제조방법을 제공한다.
[화학식 A]
(Nb
1-m V
m )
10 (Si
x Ge
1-x )
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여기서 m은 0.01 내지 0.2의 범위를 갖는 실수이고, X는 0.1 내지 0.5 의 범위를 갖는 실수이다.-
公开(公告)号：KR100943977B1
公开(公告)日：2010-02-26
申请号：KR1020080007372
申请日：2008-01-24
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: C30B29/02 , C30B23/00 , C30B23/007 , C30B29/60 , Y10T428/2958
Abstract: 본 발명은 비스무트(Bi) 분말을 이용한 비스무트 단결정 나노와이어의 제조방법을 제공하며, 상세하게는 반응로의 전단부에 위치시킨 비스무트 분말과 반응로의 후단부에 위치시킨 기판을 불활성 기체가 흐르는 분위기에서 열처리하여 상기 기판 상에 비스무트 단결정 나노와이어를 제조하는 방법을 제공한다.
본 발명의 제조방법은 주형체를 사용하지 않고 기상이송법을 이용하여 비스무트 나노와이어를 제조할 수 있어 그 공정이 간단하고 재현성이 있으며, 제조된 비스무트 나노와이어가 결함을 포함하지 않는 완벽한 단결정 상태의 고순도/고품질인 장점을 가지며, 기판 상에 응집되어 있지 않은 고형상의 비스무트 나노와이어를 대량생산할 수 있는 장점이 있다.
비스무트, 나노선, 기상이송법, 기상합성법-
7.发明授权
公开(公告)号：KR100845342B1
公开(公告)日：2008-07-10
申请号：KR1020070049752
申请日：2007-05-22
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: C01G51/006 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01G49/00 , C01P2004/16
Abstract: A method for manufacturing iron cobalt silicide nanowires is provided to produce high-purity and high-quality single crystal iron cobalt silicide(Fe_(1-x)Co_xSi) having physical properties suitable for applications to nano devices. An iron cobalt silicide single crystal nanowire has a composition of Fe_(1-x)Co_xSi, wherein x is a value ranging from 0.01 to 0.99. A method for manufacturing the iron cobalt silicide single crystal nanowire includes a step of heat-treating a precursor placed at the front end part of a reactor and a silicon substrate placed at the rear end part of the reactor under an inert gas atmosphere to form the Fe_(1-x)Co_xSi nanowire on the silicon substrate, wherein the precursor is a mixture of cobalt halide and iron halide. Further, the nanowire is ferromagnetic material and has helical spin order.
Abstract translation: 提供了一种制造铁氰化钴纳米线的方法，以生产具有适用于纳米器件应用的物理性能的高纯度和高质量的单晶铁钴硅化物（Fe_（1-x）Co_xSi）。 铁氰化钴单晶纳米线具有Fe_（1-x）Co_xSi的组成，其中x为0.01-0.99的范围。 一种制造铁氰化钴单晶纳米线的方法包括在惰性气体气氛下，将放置在反应器前端部的前驱物和置于反应器后端的硅基板进行热处理的工序，形成 在硅衬底上的Fe_（1-x）Co_xSi纳米线，其中前体是卤化钴和卤化铁的混合物。 此外，纳米线是铁磁材料并具有螺旋旋转顺序。
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公开(公告)号：KR1020090005972A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：KR1020080063424
申请日：2008-07-01
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: A manufacturing method of binary alloy nanostructure is provided to have a simple process and reproducibility and to mass-produce a binary alloy nanowire or a nano belt of a uniform-size which is not cohered on a mono crystal substrate. A manufacturing method of binary alloy nanostructure comprises steps of: using two materials selected from a first material to a third material, a mixture of the two materials selected from the first material to the third material or a third material as precursor; heat-treating a mono crystal substrate of a semiconductor or a non-conductor positioned at a back-end of a furnace and the precursor positioned at a front-end of the furnace at a state that inert gas flows; forming a binary alloy monocrystal nanowire or a nano belt on the mono crystal substrate. The first material includes metal oxide, metal material or metal halide of one metal comprising binary alloy of the binary alloy nanostructure which is a binary alloy nanowire or a binary alloy nano belt. The second material includes metal oxide, metal material or metal halide of the other metal comprising the binary alloy. The third material includes the binary alloy material of the binary alloy.
Abstract translation: 提供二元合金纳米结构的制造方法具有简单的工艺和再现性，并且批量生产未结合在单晶衬底上的均匀尺寸的二元合金纳米线或纳米带。 二元合金纳米结构的制造方法包括以下步骤：使用选自第一材料至第三材料的两种材料，选自第一材料至第三材料的两种材料或第三材料作为前体的混合物; 在惰性气体流动的状态下，对位于炉后端的半导体或非导体的单晶衬底进行热处理，所述前体位于炉的前端; 在单晶衬底上形成二元合金单晶纳米线或纳米带。 第一种材料包括金属氧化物，金属材料或一种金属的金属卤化物，其包括二元合金纳米结构二元合金纳米线或二元合金纳米带的二元合金。 第二种材料包括金属氧化物，金属材料或包含二元合金的其它金属的金属卤化物。 第三种材料包括二元合金的二元合金材料。
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