公开(公告)号：KR20210032035A

公开(公告)日：2021-03-24

申请号：KR1020190113232A

申请日：2019-09-16

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 임성갑 ,  곽무진 ,  정기훈 ,  김유손 ,  이유진

IPC: C23C16/452 ,  C08F2/34 ,  C08F220/06 ,  C08F220/32

CPC classification number: C08F220/281 ,  C23C16/452 ,  B05D1/60 ,  C08F2/34 ,  C08F220/06 ,  C08F220/32 ,  C08F220/325 ,  C08K5/14 ,  B05D2502/00

Abstract: 본 발명은 공중합체 조성에 따른 물성을 조절하여 자가 치유 고분자를 형성하는 자가 치유 고분자 형성 방법에 관한 것으로, 개시제를 사용하는 화학 기상 증착 방법(initiated chemical vapor deposition; iCVD)을 기반으로 하여, 글리시딜 메타크릴레이트(glycidyl methacrylate, GMA) 및 2-하이드록시에틸 아클릴산(2-hydroxyethyl acrylate, HEA)의 단량체와 터트-부틸 페록사이드(tert-butyl peroxide, TBPO)의 상기 개시제를 이용한 공중합체 조성에 따른 물성을 조절하여 자가 치유 고분자를 형성하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020210039038A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：KR1020190121332

申请日：2019-10-01

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 임성갑 ,  박용천 ,  정기훈 ,  이창현 ,  김유손 ,  이유진

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L21/324 ,  H01L51/56

Abstract: 본발명은기상증착공정을이용한갭필링방법및 그장치에관한것으로, 개시제를사용하는화학기상증착(initiated Chemical Vapor Deposition; iCVD) 공정을이용하여패턴상에고분자(polymer)를증착하여갭필링(gap filling)을통해상기패턴을평탄화하는단계를포함한다.

公开(公告)号：KR102264997B1

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：KR1020190121332

申请日：2019-10-01

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 임성갑 ,  박용천 ,  정기훈 ,  이창현 ,  김유손 ,  이유진

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L21/324 ,  H01L51/56