公开(公告)号：KR100738651B1

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：KR1020050035061

申请日：2005-04-27

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 강정구 ,  이재영 ,  김윤기 ,  한규성 ,  김현석 ,  송민상 ,  박민식

IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명은 수소 저장용 카본나노튜브의 구조 변화방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 수소저장 매체로써 카본나노튜브를 사용하기 위하여 제조된 카본나노튜브를 상압 플라스마로 에칭하여 나노튜브의 결함과 나노 크기의 기공을 생성시키는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 상압 플라스마 에칭에 의하여 간단하고 연속적으로 대량의 시편을 처리할 수 있으며, 이렇게 처리된 카본나노튜브는 기존에 비해서 더 많은 결함과 나노크기의 기공을 갖게 되어 상온에서의 수소저장특성이 향상된다.

Abstract translation: 提供了通过使用大气压等离子体来改性用于氢存储的碳纳米管的结构的方法，其中用于储氢材料的碳纳米管用大气压等离子体进行蚀刻，以增加储氢能力。 通过使用大气压来改变用于氢存储的碳纳米管的结构的方法包括蚀刻作为用于与大气等离子体进行氢存储的材料的碳纳米管，以增加储氢能力。 加入作为反应气体的氦气和氩气，以及作为蚀刻气体的2-10％（基于空气）的氧），以增加与大气等离子体的蚀刻效果。 通过该方法制造的碳纳米管具有开口端，有缺陷的壁和许多纳米尺寸的孔。

公开(公告)号：KR1019980057515A

公开(公告)日：1998-09-25

申请号：KR1019960076809

申请日：1996-12-30

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이재영 ,  용윤중 ,  김윤기 ,  한영수

IPC: H03H9/64

Abstract: 본 발명은 질화알루미늄(AlN) 박막을 이용한 탄성표면파(surface acoustic wave)필터의 제조방법 및 그에 의해 제조된 탄성표면파 필터에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발명은 수소화된 질화알루미늄(AlN:H) 박막을 증착할 때 이를 수중기로부터 보호하여 블리스터링(blistering)을 방지하기 위해 양단에 질화알루미늄(AlN)을 증착한 질화알루미늄(AlN)/수소화된 질화알루미늄(AlN:H)/질화알루미늄(AlN) 3층 박막(tri-layered films)을 이용하여 탄성표면파 필터를 제조하는 방법 및 그에 의해 제조된 탄성표면파 필터에 관한 것이다. 질화알루미늄(AlN)/수소화된 질화알루미늄(AlN:H)/질화알루미늄(AlN)의 3층 박막을 압전재료로 이용한 탄성표면과 필터의 제조방법은 용이하면서도 경제적으로, 탄성표면과 전파속도가 빠르고 전기기계 결합계수가 큰 탄성표면파 필터를 제조한다.

公开(公告)号：KR100230958B1

公开(公告)日：1999-11-15

申请号：KR1019960049981

申请日：1996-10-30

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이재영 ,  김윤기 ,  용윤중 ,  한영수

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C16/272 ,  C23C16/0272 ,  C30B25/105 ,  C30B29/04

Abstract: The present invention relates to a CVD apparatus for highly textured diamond film formation and a method for forming a highly textured diamond film on the surface of a silicone substrate by generating a high density plasma so that each diamond film grain can have the same orientation as the substrate. The present inventors developed an improved chemical vapor deposition apparatus and a method for highly textured diamond film formation, on the ground that the nucleation density having a heteroepitaxy relation with a silicone substrate can be increased by modifying the substrate support and by generating a high density plasma right on the substrate while subjecting the whole substrate to the plasma. In accordance with the present invention, a diamond film which is close to a single crystal and has a heteroepitaxy relation with the crystalline orientation of a substrate can be formed in a simple manner.

公开(公告)号：KR1019980030530A

公开(公告)日：1998-07-25

申请号：KR1019960049981

申请日：1996-10-30

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이재영 ,  김윤기 ,  용윤중 ,  한영수

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 실리콘기판 표면상에 고밀도의 플라즈마를 발생시켜 각 다이아몬드막 결정립들이 기판과 동일한 방향성을 갖도록 다이아몬드막을 형성하는 고방향성 다이아몬드막 CVD장치 및 막형성 방법에 관한 것이다. 종래의 다이아몬드막 CVD장치가 갖는 기판지지대의 구조를 변형하여, 기판 전체가 플라즈마에 장입된 상태에서 기판 바로 위에 고밀도 플라즈마를 발생시키면 실리콘기판과 헤테로에피택시 관계를 갖는 핵의 생성밀도를 증가시킬 수 있음에 착안하여, CVD장치의 반응관을 설계하고 막형성 방법을 고안하였다. 이로써, 기판의 결정방향과 헤테로에피택시 관계를 갖고 단결정에 가까운 다이아몬드막이 형성될 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060112519A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：KR1020050035061

申请日：2005-04-27

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 강정구 ,  이재영 ,  김윤기 ,  한규성 ,  김현석 ,  송민상 ,  박민식

IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C01B32/168 ,  B01J20/205 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01M8/04216

Abstract: Provided is a method for modifying a structure of carbon nanotube for hydrogen storage by using atmospheric pressure plasma, wherein carbon nanotube useful for material for hydrogen storage is etched with atmospheric pressure plasma so as to increase a capacity for hydrogen storage. The method for modifying a structure of carbon nanotube for hydrogen storage by using atmospheric pressure comprises etching a carbon nanotube to be used as material for hydrogen storage with atmospheric plasma so as to increase a capacity for hydrogen storage. Helium and argon which are reaction gases, and 2-10%(based on air) of oxygen as etching gas are added, in order to increase an etching effect with the atmospheric plasma. A carbon nanotube manufactured by the method has open ends, flawed wall, and numerous nano-sized pores.

Abstract translation: 提供了通过使用大气压等离子体来改性用于氢存储的碳纳米管的结构的方法，其中用于储氢材料的碳纳米管用大气压等离子体进行蚀刻，以增加储氢能力。 通过使用大气压来改变用于氢存储的碳纳米管的结构的方法包括蚀刻作为用于与大气等离子体进行氢存储的材料的碳纳米管，以增加储氢能力。 加入作为反应气体的氦气和氩气，以及作为蚀刻气体的2-10％（基于空气）的氧），以增加与大气等离子体的蚀刻效果。 通过该方法制造的碳纳米管具有开口端，有缺陷的壁和许多纳米尺寸的孔。

公开(公告)号：KR100236975B1

公开(公告)日：2000-01-15

申请号：KR1019960076809

申请日：1996-12-30

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이재영 ,  용윤중 ,  김윤기 ,  한영수

IPC: H03H9/64

CPC classification number: C23C14/0617 ,  H03H9/02574 ,  H03H9/02818

Abstract: 본 발명은 질화알루미늄(AlN) 박막을 이용한 탄성표면파(surface acoustic wave) 필터의 제조방법 및 그에 의해 제조된 탄성표면파 필터에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발명은 수소화된 질화알루미늄(AlN : H) 박막을 증착할 때 이를 수증기로부터 보호하여 블리스터링(blistering)을 방지하기 위해 양단에 질화알루미늄(AlN)을 증착한 질화알루미늄(AlN)/수소화된 질화알루미늄(AlN : H)/질화알루미늄(AlN) 3층 박막(tri-layered films)을 이용하여 탄성표면파 필터를 제조하는 방법 및 그에 의해 제조된 탄성표면파 필터에 관한 것이다. 질화알루미늄(AlN)/수소화된 질화알루미늄(AlN : H)/질화알루미늄(AlN)의 3층 박막을 압전재료로 이용한 탄성표면파 필터의 제조방법은 용이하면서도 경제적으로, 탄성표면파 전파속도가 빠르고 전기기계 결합계수가 큰 탄성표면파 필터를 제조한다.