公开(公告)号：KR1020060112519A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：KR1020050035061

申请日：2005-04-27

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 강정구 ,  이재영 ,  김윤기 ,  한규성 ,  김현석 ,  송민상 ,  박민식

IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C01B32/168 ,  B01J20/205 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01M8/04216

Abstract: Provided is a method for modifying a structure of carbon nanotube for hydrogen storage by using atmospheric pressure plasma, wherein carbon nanotube useful for material for hydrogen storage is etched with atmospheric pressure plasma so as to increase a capacity for hydrogen storage. The method for modifying a structure of carbon nanotube for hydrogen storage by using atmospheric pressure comprises etching a carbon nanotube to be used as material for hydrogen storage with atmospheric plasma so as to increase a capacity for hydrogen storage. Helium and argon which are reaction gases, and 2-10%(based on air) of oxygen as etching gas are added, in order to increase an etching effect with the atmospheric plasma. A carbon nanotube manufactured by the method has open ends, flawed wall, and numerous nano-sized pores.

Abstract translation: 提供了通过使用大气压等离子体来改性用于氢存储的碳纳米管的结构的方法，其中用于储氢材料的碳纳米管用大气压等离子体进行蚀刻，以增加储氢能力。 通过使用大气压来改变用于氢存储的碳纳米管的结构的方法包括蚀刻作为用于与大气等离子体进行氢存储的材料的碳纳米管，以增加储氢能力。 加入作为反应气体的氦气和氩气，以及作为蚀刻气体的2-10％（基于空气）的氧），以增加与大气等离子体的蚀刻效果。 通过该方法制造的碳纳米管具有开口端，有缺陷的壁和许多纳米尺寸的孔。

公开(公告)号：KR100738651B1

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：KR1020050035061

申请日：2005-04-27

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 강정구 ,  이재영 ,  김윤기 ,  한규성 ,  김현석 ,  송민상 ,  박민식

IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명은 수소 저장용 카본나노튜브의 구조 변화방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 수소저장 매체로써 카본나노튜브를 사용하기 위하여 제조된 카본나노튜브를 상압 플라스마로 에칭하여 나노튜브의 결함과 나노 크기의 기공을 생성시키는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 상압 플라스마 에칭에 의하여 간단하고 연속적으로 대량의 시편을 처리할 수 있으며, 이렇게 처리된 카본나노튜브는 기존에 비해서 더 많은 결함과 나노크기의 기공을 갖게 되어 상온에서의 수소저장특성이 향상된다.

Abstract translation: 提供了通过使用大气压等离子体来改性用于氢存储的碳纳米管的结构的方法，其中用于储氢材料的碳纳米管用大气压等离子体进行蚀刻，以增加储氢能力。 通过使用大气压来改变用于氢存储的碳纳米管的结构的方法包括蚀刻作为用于与大气等离子体进行氢存储的材料的碳纳米管，以增加储氢能力。 加入作为反应气体的氦气和氩气，以及作为蚀刻气体的2-10％（基于空气）的氧），以增加与大气等离子体的蚀刻效果。 通过该方法制造的碳纳米管具有开口端，有缺陷的壁和许多纳米尺寸的孔。