公开(公告)号：KR1020000008634A

公开(公告)日：2000-02-07

申请号：KR1019980028534

申请日：1998-07-15

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 신형철 ,  김일권 ,  이종호

IPC: H01L21/336 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7883 ,  Y10S438/962

Abstract: PURPOSE: A nonvolatile memory formation method using a nano crystal is provided to uniformly and exactly form fine nano crystal and improve a reproducibility by using increase of etching ratio and oxidant ratio at grain boundary. CONSTITUTION: The method comprises the steps of forming a tunneling insulator(204) and an amorphous silicon layer(206) on a silicon substrate(202); transforming the amorphous silicon layer to a polycrystalline silicon layer(210); etching the polycrystalline silicon layer(210) using seco or light etching, thereby forming uniform nano crystal(212) having a high density due to increase of etching ratio at grain boundary(211) of the polycrystalline silicon; forming an interlayer dielectric(214) on the nano crystal(212); and forming a gate(216) on the interlayer dielectric.

Abstract translation: 目的：提供使用纳米晶体的非易失性存储器形成方法，以均匀且精确地形成精细的纳米晶体，并且通过使用晶界处的蚀刻比和氧化剂比例的增加来提高再现性。 构成：该方法包括在硅衬底（202）上形成隧道绝缘体（204）和非晶硅层（206）的步骤; 将所述非晶硅层转化为多晶硅层（210）; 用多次硅蚀刻多晶硅层（210），由于多晶硅的晶界处的蚀刻比（211）增加而形成均匀的具有高密度的纳米晶体（212）; 在所述纳米晶体（212）上形成层间电介质（214）; 以及在所述层间电介质上形成栅极（216）。

公开(公告)号：KR100271211B1

公开(公告)日：2000-12-01

申请号：KR1019980028534

申请日：1998-07-15

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 신형철 ,  김일권 ,  이종호

IPC: H01L21/336 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7883 ,  Y10S438/962

Abstract: 본 발명은 그레인 경계에서 식각비와 산화비가 증가하는 현상을 이용하여 고속 저전력소자에 이용되는 비휘발성 기억소자를 형성하는 방법에 관한 것으로서, 원하는 크기의 나노결정을 아주 균일하고 재현성이 높게 고밀도로 형성하기 위한 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
본 발명에서는 아주 얇은 비정질실리콘 연속막을 형성하고 그 위에 산화막을 형성한 후 열처리 및 산화를 통해 다결정화한 다음, 산화막을 제거하고 세코식각 또는 라이트식각을 수행함으로써, 비휘발성 기억소자를 형성한다. 이때, 그레인 경계를 통한 식각비 증가를 이용하여 나노결정을 균일하게 고밀도로 형성한다. 또한, 아주 얇은 비정질실리콘 연속막을 형성한 후 열처리 및 산화를 통해 다결정화한 다음, 산화막을 제거한 후 다시 산화시킴으로써, 그레인 경계를 통한 산화비 증가를 이용하는 방법으로 비휘발성 기억소자를 형성할 수도 있다.