公开(公告)号：KR1019990077953A

公开(公告)日：1999-10-25

申请号：KR1019990008922

申请日：1999-03-17

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 조규형 ,  류지열 ,  황명운 ,  조민형 ,  우영진 ,  김영기

IPC: H01L21/334

Abstract: 본발명은평면형/수직형진공터널링트랜지스터(KAIST Vacuum Tunneling Transistor : KVTT) 구조에관한것으로서, 특히소스와드레인이대칭적으로위치하는평면형상또는상하로위치하는수직구조를채택하여집적도를높일수 있으며, 낮은전압으로진공터널링효과를유도하여구동이가능하고초고속동작주파수를가질수 있도록한 진공터널링트랜지스터에관한것이다. 이를위하여, 평면형상구조에있어서는진공채널을사이에두고좌우로도전체로된 소스(S)와드레인(D), 상기소스(S)와드레인(D) 아랫부분에얇은채널절연체를사이에두고일정한폭으로걸쳐서형성하는도전체로된 게이트(G)와, 그리고상기게이트(G) 아랫부분에상기채널절연체와게이트(G)의지지를위한절연체로된 절연몸체를형성하고, 적절한바이어스전압을상기게이트(G), 소스(S) 및드레인(D) 사이에인가하여상기소스(S)에서전자가방출되어상기진공채널영역을지나상기드레인(D)쪽으로이동이가능하도록구성하며, 수직구조에있어서도수직으로형성된진공채널을사이에두고드레인(D)을위쪽에소스(S)를아래쪽에형성하고, 소스(S) 아래쪽에얇은절연체를사이에두고일정한폭의게이트(G)를구성한다.