公开(公告)号：KR100963138B1

公开(公告)日：2010-06-15

申请号：KR1020080009779

申请日：2008-01-30

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 조규형 ,  이강호 ,  우영진

IPC: H05B37/00 ,  G09G3/14

Abstract: 본 발명은 엘이디(Light Emitting Diode; LED) 구동장치 등에 관한 것이다.
본 발명에 따른 엘이디 구동장치는 전원입력부로부터 공급되는 에너지를 직렬 접속된 복수 개의 커패시터에 충전하고, 복수 개의 커패시터에 충전된 각 에너지에 따른 전류를 합하여 출력하는 전하펌프부, 전하펌프부로부터 출력되는 전류에 따라 발광하는 발광부, 전원입력부로부터 공급되는 에너지가 전하펌프부에 충전되도록 제어하는 충전 스위치 및 전하펌프부에 충전된 에너지에 따른 전류가 발광부로 출력되도록 제어하는 출력 스위치를 포함한다.
본 발명에 따른 엘이디 구동장치는 인덕터 또는 변압기 대신 크기가 작은 커패시터 및 다이오드 소자가 이용됨으로써, 소형화될 수 있다. 뿐만 아니라, 직렬의 형태로 에너지가 충전되고, 충전된 에너지가 각각 병렬 형태로 분산되어 다음 단으로 전달되는 방식으로 구동됨에 따라, 높은 입력전압을 사용할 경우에도 높은 전력효율을 가질 수 있다.
엘이디 구동회로, 전하펌프, 다이오드, 발광 다이오드

公开(公告)号：KR1020090083782A

公开(公告)日：2009-08-04

申请号：KR1020080009779

申请日：2008-01-30

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 조규형 ,  이강호 ,  우영진

IPC: H05B37/00 ,  G09G3/14

CPC classification number: H05B37/02 ,  F21V23/003 ,  F21V23/02 ,  H05B33/0815 ,  H05B33/0827 ,  H05B33/0842

Abstract: An LED driving apparatus is provided to miniaturize a structure by using a small capacitor and diode device. A light emitting part(420) emits a light according to a current outputted from a charge pump part(410). A power input part(400) includes a DC power(Vin) and a first input capacitor(Cin). The first input capacitor is parallel connected to the DC power. The charge pump part includes a plurality of charge pump capacitors(C1,C2). A plurality of charge pump capacitors is serially connected. The charge pump part includes a plurality of charge diodes(D1,D2) and a plurality of discharge diodes(D3,D4). Each charge diode is serially connected between the charge pump capacitors.

Abstract translation: 提供LED驱动装置以通过使用小电容器和二极管装置使结构小型化。 发光部（420）根据从电荷泵部（410）输出的电流发光。 电源输入部分（400）包括直流电源（Vin）和第一输入电容器（Cin）。 第一个输入电容并联连接到直流电源。 电荷泵部分包括多个电荷泵电容器（C1，C2）。 多个电荷泵电容器串联连接。 电荷泵部分包括多个充电二极管（D1，D2）和多个放电二极管（D3，D4）。 每个充电二极管串联连接在电荷泵电容器之间。

公开(公告)号：KR1019990077953A

公开(公告)日：1999-10-25

申请号：KR1019990008922

申请日：1999-03-17

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 조규형 ,  류지열 ,  황명운 ,  조민형 ,  우영진 ,  김영기

IPC: H01L21/334

Abstract: 본발명은평면형/수직형진공터널링트랜지스터(KAIST Vacuum Tunneling Transistor : KVTT) 구조에관한것으로서, 특히소스와드레인이대칭적으로위치하는평면형상또는상하로위치하는수직구조를채택하여집적도를높일수 있으며, 낮은전압으로진공터널링효과를유도하여구동이가능하고초고속동작주파수를가질수 있도록한 진공터널링트랜지스터에관한것이다. 이를위하여, 평면형상구조에있어서는진공채널을사이에두고좌우로도전체로된 소스(S)와드레인(D), 상기소스(S)와드레인(D) 아랫부분에얇은채널절연체를사이에두고일정한폭으로걸쳐서형성하는도전체로된 게이트(G)와, 그리고상기게이트(G) 아랫부분에상기채널절연체와게이트(G)의지지를위한절연체로된 절연몸체를형성하고, 적절한바이어스전압을상기게이트(G), 소스(S) 및드레인(D) 사이에인가하여상기소스(S)에서전자가방출되어상기진공채널영역을지나상기드레인(D)쪽으로이동이가능하도록구성하며, 수직구조에있어서도수직으로형성된진공채널을사이에두고드레인(D)을위쪽에소스(S)를아래쪽에형성하고, 소스(S) 아래쪽에얇은절연체를사이에두고일정한폭의게이트(G)를구성한다.