公开(公告)号：KR102203640B1

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：KR1020180134259

申请日：2018-11-05

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 정연식 ,  오지훈 ,  김예지 ,  김종민 ,  조민형 ,  김범일

IPC: B01J37/00 ,  B01J23/52 ,  B01J35/02 ,  C25B3/25 ,  C25B11/04

Abstract: 본발명은이산화탄소환원을위한 3차원나노구조금속촉매및 이의제조방법에관한것이다. 본발명의이산화탄소환원을위한 3차원나노구조금속촉매는정렬된금속나노선이적층된구조로, 적층된촉매두께에의해국소 pH를높게조절하여 CO 선택성을높일수 있다. 또한, 금속나노선의작은입자크기덕분에높은 CO 선택성을갖는고차결정면을촉매활성부위에포함하여 CO 선택성을현저하게증가시키고, 수소발생반응을억제시킴으로써이산화탄소환원반응속도를높일수 있다. 3차원나노구조금속촉매를이루는금속나노선사이의공간은촉매층 내부에서반응물및 생성물의이동을원활하게하여이산화탄소환원반응속도를높인다. 또한, 본발명의 3차원나노구조를가지는촉매는나노구조의제어를통해높은안정성을가질수 있고이산화탄소환원을위한촉매전극에활용될수 있다.

公开(公告)号：KR1019990077953A

公开(公告)日：1999-10-25

申请号：KR1019990008922

申请日：1999-03-17

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 조규형 ,  류지열 ,  황명운 ,  조민형 ,  우영진 ,  김영기

IPC: H01L21/334

Abstract: 본발명은평면형/수직형진공터널링트랜지스터(KAIST Vacuum Tunneling Transistor : KVTT) 구조에관한것으로서, 특히소스와드레인이대칭적으로위치하는평면형상또는상하로위치하는수직구조를채택하여집적도를높일수 있으며, 낮은전압으로진공터널링효과를유도하여구동이가능하고초고속동작주파수를가질수 있도록한 진공터널링트랜지스터에관한것이다. 이를위하여, 평면형상구조에있어서는진공채널을사이에두고좌우로도전체로된 소스(S)와드레인(D), 상기소스(S)와드레인(D) 아랫부분에얇은채널절연체를사이에두고일정한폭으로걸쳐서형성하는도전체로된 게이트(G)와, 그리고상기게이트(G) 아랫부분에상기채널절연체와게이트(G)의지지를위한절연체로된 절연몸체를형성하고, 적절한바이어스전압을상기게이트(G), 소스(S) 및드레인(D) 사이에인가하여상기소스(S)에서전자가방출되어상기진공채널영역을지나상기드레인(D)쪽으로이동이가능하도록구성하며, 수직구조에있어서도수직으로형성된진공채널을사이에두고드레인(D)을위쪽에소스(S)를아래쪽에형성하고, 소스(S) 아래쪽에얇은절연체를사이에두고일정한폭의게이트(G)를구성한다.