-
公开(公告)号：WO2013109025A1
公开(公告)日：2013-07-25
申请号：PCT/KR2013/000274
申请日：2013-01-14
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32541 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H05H1/46 , H05H2001/4675 , H05H2001/4682
Abstract: 본 발명은 플라즈마 발생 장치 및 기판 처리 장치를 제공한다. 이 플라즈마 발생 장치는 플라즈마를 형성하도록 제1 주파수의 제1 RF 전력을 공급받는 원판형의 제1 전극, 제1 전극의 둘레에 배치되고 제2 주파수의 제2 RF 전력을 공급받는 와셔 형태의 제2 전극, 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 절연 스페이서, 제1 전극에 전력을 공급하는 제1 RF 전원, 및 제2 전극에 전력을 공급하는 제2 RF 전원을 포함한다.
Abstract translation: 本发明提供一种等离子体发生装置和基板处理装置。 等离子体产生装置包括：盘型第一电极，用于接收第一频率的第一RF功率以形成等离子体; 设置在所述第一电极的圆周周围并接收第二频率的第二RF功率的垫圈型第二电极; 插入在第一电极和第二电极之间的绝缘间隔件; 用于向第一电极供电的第一RF电源; 以及用于向第二电极供电的第二RF电源。
-
公开(公告)号：KR101836422B1
公开(公告)日：2018-04-19
申请号：KR1020130101827
申请日：2013-08-27
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H05H1/46
Abstract: 본발명은플라즈마발생장치및 기판처리장치를제공한다. 이플라즈마발생장치는플라즈마를형성하도록제1 주파수의제1 RF 전력을공급받는원판형의제1 전극, 제1 전극의둘레에배치되고제2 주파수의제2 RF 전력을공급받는와셔형태의제2 전극, 제1 전극과제2 전극사이에배치된절연스페이서, 제1 전극에전력을공급하는제1 RF 전원, 및제2 전극에전력을공급하는제2 RF 전원을포함한다.
-
公开(公告)号：KR101427732B1
公开(公告)日：2014-08-07
申请号：KR1020120006458
申请日：2012-01-20
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32541 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H05H1/46 , H05H2001/4675 , H05H2001/4682
Abstract: 본 발명은 플라즈마 발생 장치 및 기판 처리 장치를 제공한다. 이 플라즈마 발생 장치는 플라즈마를 형성하도록 제1 주파수의 제1 RF 전력을 공급받는 원판형의 제1 전극, 제1 전극의 둘레에 배치되고 제2 주파수의 제2 RF 전력을 공급받는 와셔 형태의 제2 전극, 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 절연 스페이서, 제1 전극에 전력을 공급하는 제1 RF 전원, 및 제2 전극에 전력을 공급하는 제2 RF 전원을 포함한다.
-
公开(公告)号：KR1020170126578A
公开(公告)日：2017-11-20
申请号：KR1020160056764
申请日：2016-05-10
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/3233 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01L21/02032 , H01L21/67017 , H01L2221/683 , H01J37/32091 , H01J37/32082 , H01J37/32165 , H01J37/32541 , H05H1/46 , H05H2001/4675 , H05H2001/4682
Abstract: 본발명은플라즈마처리장치를제공한다. 이플라즈마처리장치는제1 압력을가지는전자방출영역과상기제1 압력보다높은압력으로유지되고플라즈마가생성되고기판이배치되는처리영역을구비한진공용기; 상기전자방출영역에배치되고열전자를방출하는열전자방출수단; 접지되고상기열전자방출수단에서방출된전자를상기처리영역으로추출하는그리드전극; 상기진공용기의하부에배치되고상기처리영역에배치되고상기기판을장착하는기판홀더; 상기기판홀더에 RF 전력을인가하여플라즈마를발생시키는 RF 전원; 상기전자방출영역과연결되는제1 진공펌프; 및상기처리영역에연결되는제2 진공펌프를포함한다.
Abstract translation: 本发明提供一种等离子体处理装置。 该等离子体处理装置包括：真空容器，其具有具有第一压力的电子发射区域和产生等离子体的处理区域，并且基板被设置，所述真空室被保持在高于所述第一压力的压力下; 设置在电子发射区内并发射热电子的热电子发射装置; 栅极接地并将从热电子发射装置发射的电子提取到处理区域中; 基板支架，其配置在所述真空容器的下部，配置在所述处理区域内，且安装所述基板; 通过向衬底支架施加RF功率来产生等离子体的RF功率源; 连接到电子发射区域的第一真空泵; 和连接到处理区域的第二真空泵。
-
公开(公告)号：KR1020130085590A
公开(公告)日：2013-07-30
申请号：KR1020120006458
申请日：2012-01-20
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32541 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H05H1/46 , H05H2001/4675 , H05H2001/4682
Abstract: PURPOSE: A plasma generator and a substrate processing apparatus are provided to process a large sized semiconductor substrate uniformly using plasma. CONSTITUTION: A plasma generator comprises a first electrode (112), a second electrode (114), an insulation spacer (116), a first RF power source (122), and a second RF power source (132). The first electrode has a disc shape and receives a first RF power of a first frequency for forming plasma. The second electrode is arranged around the first electrode, has a washer shape, and is supplied with a second RF power of a second frequency. The insulation spacer is disposed between the first electrode and the second electrode. The first RF power source supplies power to the first electrode. The second RF power source supplies power to the second electrode.
Abstract translation: 目的：提供等离子体发生器和基板处理装置，以使用等离子体均匀地处理大尺寸半导体基板。 构成：等离子体发生器包括第一电极（112），第二电极（114），绝缘间隔物（116），第一RF电源（122）和第二RF电源（132）。 第一电极具有盘形并且接收用于形成等离子体的第一频率的第一RF功率。 第二电极围绕第一电极布置，具有垫圈形状，并且被提供有第二频率的第二RF电力。 绝缘间隔件设置在第一电极和第二电极之间。 第一RF电源向第一电极供电。 第二RF电源向第二电极供电。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130051784A
公开(公告)日：2013-05-21
申请号：KR1020110117128
申请日：2011-11-10
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01J37/32183 , H01J37/32091 , H01J37/32458 , H01J37/32541 , H01J37/32715 , H01J37/32825 , H05H1/46 , H05H2001/4675 , H05H2001/4682
Abstract: PURPOSE: An electrode structure for capacitive-coupled plasma and a substrate processing apparatus including the same are provided to improve regularity of capacitive-coupled plasma of a rectangular electrode. CONSTITUTION: A substrate processing apparatus includes a vacuum tank(120), a substrate holder(202), and a rectangular electrode(210). The vacuum tank includes an exhausting unit in a rectangular container shape. The substrate holder is arranged inside of the vacuum tank. The rectangular electrode includes at least four trenches(211), is supplied with electricity from a RF power source(206) through an impedance matching network(208), and forms capacitive-coupled plasma inside of the vacuum tank. The trenches have a fixed inner radius or outer radius and are separated from each other in the diagonal direction of the rectangular electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种用于电容耦合等离子体的电极结构和包括其的基板处理装置，以改善矩形电极的电容耦合等离子体的规格性。 构成：基板处理装置包括真空槽（120），基板保持架（202）和矩形电极（210）。 真空槽包括矩形容器形状的排气单元。 衬底保持器布置在真空罐的内部。 矩形电极包括至少四个沟槽（211），其通过阻抗匹配网络（208）从RF电源（206）供电，并在真空容器内形成电容耦合等离子体。 沟槽具有固定的内半径或外半径，并且在矩形电极的对角线方向上彼此分离。
-
公开(公告)号：KR101820238B1
公开(公告)日：2018-01-18
申请号：KR1020160056764
申请日：2016-05-10
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/3233 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01L21/67017 , H01L2221/683
Abstract: 본발명은플라즈마처리장치를제공한다. 이플라즈마처리장치는제1 압력을가지는전자방출영역과상기제1 압력보다높은압력으로유지되고플라즈마가생성되고기판이배치되는처리영역을구비한진공용기; 상기전자방출영역에배치되고열전자를방출하는열전자방출수단; 접지되고상기열전자방출수단에서방출된전자를상기처리영역으로추출하는그리드전극; 상기진공용기의하부에배치되고상기처리영역에배치되고상기기판을장착하는기판홀더; 상기기판홀더에 RF 전력을인가하여플라즈마를발생시키는 RF 전원; 상기전자방출영역과연결되는제1 진공펌프; 및상기처리영역에연결되는제2 진공펌프를포함한다.
-
公开(公告)号：KR1020130101492A
公开(公告)日：2013-09-13
申请号：KR1020130101827
申请日：2013-08-27
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32541 , H01J37/32009 , H01J37/32559 , H01J37/32669 , H01J37/32715 , H05H1/24
Abstract: PURPOSE: A plasma generating apparatus and a substrate processing apparatus are provided to uniformly process a large area semiconductor substrate using plasma. CONSTITUTION: A plasma generating apparatus (100) comprises a circular plate type first electrode (112), a washer type second electrode (114), an insulation spacer (116), a first radio frequency (RF) power (122), and a second RF power (132). The first electrode receives the first RF power of a first frequency to form plasma. The second electrode is arranged around the first electrode and receives the second RF power of a second frequency. The insulation spacer is arranged between the first and second electrodes. The first RF power supplies power to the first electrode. The second RF power supplies power to the second electrode.
Abstract translation: 目的：提供等离子体发生装置和基板处理装置，以均匀地处理使用等离子体的大面积半导体基板。 等离子体发生装置（100）包括圆板型第一电极（112），垫圈型第二电极（114），绝缘间隔物（116），第一射频（RF）电力（122）和 第二RF功率（132）。 第一电极接收第一频率的第一RF功率以形成等离子体。 第二电极布置在第一电极周围并且接收第二频率的第二RF功率。 绝缘间隔件布置在第一和第二电极之间。 第一RF电源向第一电极供电。 第二RF电源向第二电极供电。
-
公开(公告)号：KR1020130065678A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：KR1020130056191
申请日：2013-05-20
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H05H1/34
CPC classification number: H01J37/32541 , H01J37/32091 , H01J37/32183 , H01J37/32559 , H01J37/32715 , H01J37/32825 , H05H1/46 , H05H2001/4675 , H05H2001/4682
Abstract: PURPOSE: An electrode structure for capacitive-coupled plasma and a substrate processing apparatus are provided to improve uniformity of capacitive-coupled plasma of a rectangular electrode. CONSTITUTION: An electrode structure (210) includes a rectangular electrode (211) and at least four trenches(212). The rectangular electrode faces a substrate holder, receives power in the center from an RF power supply through an impedance matching network and forms capacitive-coupled plasma within a vacuum vessel (120). The trenches face the substrate arranged on the substrate holder, symmetrically arranged based on the center of the rectangular electrode and penetrates the rectangular electrode.
Abstract translation: 目的：提供电容耦合等离子体的电极结构和衬底处理装置，以改善矩形电极的电容耦合等离子体的均匀性。 构成：电极结构（210）包括矩形电极（211）和至少四个沟槽（212）。 矩形电极面向衬底保持器，通过阻抗匹配网络从RF电源接收中心的电力，并在真空容器（120）内形成电容耦合等离子体。 沟槽面对布置在基板保持器上的基板，基于矩形电极的中心对称布置并且穿过矩形电极。
-
公开(公告)号：KR101738718B1
公开(公告)日：2017-05-22
申请号：KR1020130056191
申请日：2013-05-20
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H05H1/34
Abstract: 본발명은축전결합플라즈마발생용전극구조체및 기판처리장치를제공한다. 이전극구조체는 RF 전원으로부터임피던스매칭네트워크를통하여전력을공급받고진공용기의내부에축전결합플라즈마를형성하는사각형전극, 및사각형전극의중심에대하여대칭적으로배치되고사각형전극을관통하는적어도 4개의트렌치를포함한다.
Abstract translation: 本发明提供了一种用于产生电容耦合等离子体的电极结构和一种衬底处理设备。 以前极结构被对称地设置相对于一个长方形的电极的中心，和用于通过从RF电源的阻抗匹配网络接收电力的供给的矩形电极，形成在所述真空室内部的电容耦合等离子体和至少四个穿透矩形电极 和沟槽。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.027 seconds)
