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公开(公告)号：WO2018117726A1
公开(公告)日：2018-06-28
申请号：PCT/KR2017/015319
申请日：2017-12-22
Applicant: 서울대학교 산학협력단 , 한국과학기술원 , 재단법인 바이오나노헬스가드연구단 , 한국기계연구원
Abstract: 본 발명은 하면에 균일한 나노사이즈의 포어를 갖는 나노필터가 구비되고 제1액체가 담지될 수 있는, 상기 제1액체 내에 침지될 수 있는 제1전극을 포함하는 하나 또는 둘 이상의 제1웰을 갖는 제1용기; 및 상기 제1웰이 수용될 수 있고 제2액체가 담지될 수 있는 상기 제2액체 내에 침지될 수 있는 제2전극을 포함하는 하나 또는 둘 이상의 제2웰을 갖는 제2용기 포함하는, 핵산 추출 장치를 제공한다.
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公开(公告)号：KR102242980B1
公开(公告)日：2021-04-21
申请号：KR1020190139762
申请日：2019-11-04
Abstract: 본발명의일 실시예에따른나노구조체가제공된다. 나노구조체는표면, 및상기표면으로부터돌출된복수의나노필러들을포함하는나노구조체층; 및상기나노구조체층상에형성된이온성고분자로이루어진기능층을포함한다.
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公开(公告)号：KR1019990018333A
公开(公告)日：1999-03-15
申请号：KR1019970041508
申请日：1997-08-27
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은 SBT(SrBi
2 Ta
2 O
9 ) 강유전체 박막의 제조방법에 관한 것으로, 좀더 상세하게는 화학증착법에 의하여 강유전체 박막 (SrBi
2 Ta
2 O
9 ; 스트론튬 비스무스 탄탈레이트 화합물)을 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 목적은 3V 인가전압에서 잔류분극 (Pr)이 15 μC/㎠ 이상, 항전계 (Ec)는 50 kV/cm 이하, Pt 상하부 전극구조에서 6V 양극 사각파(bipolar square pulse)하에서 1 X 10
11 싸이클 까지 피로현상이 나타나지 않는 박막을 최대한 낮은 온도에서 제조할 수 있는 SBT 강유전체 박막의 제조방법을 제공함에 있다.
따라서, 본 발명은 Sr, Bi, Ta의 전구체로 Sr(C
5 F
6 HO
2 )2, Bi(C
6 H
5 )
3 , Ta(C
2 H
5 O)
5 를 사용하여 110-130 ℃, 140-160℃ 및 120-140 ℃로 각각 버블링 (bubbling)시켜 플라즈마 내에서 RF 동력을 100-150 W로 하여 500-550 ℃로 저온증착시키는 SBT (SrBi
2 Ta
2 O
9 ) 강유전체 박막의 제조방법임을 특징으로 한다.
본 발명에 의해 제조된 SBT 강유전체 박막은 강유전 특성 및 우수한 피로특성 나타내기 때문에, 비휘발성 기억소자에 활용될 수 있다.-
公开(公告)号：KR101356073B1
公开(公告)日：2014-01-28
申请号：KR1020120027648
申请日：2012-03-19
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G01N33/53 , G01N33/543 , G01N33/68 , G01N33/52
Abstract: 본 발명은 효소 기질의 고분자화에 의한 그라핀옥사이드의 형광저하를 이용한 바이오센서 및 이를 이용한 검출방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 형광 염료의 사용없이 그라핀옥사이드 자체의 고유한 형광 특성을 이용하여, 검출 물질의 존재 여부를 광학적으로 식별할 수 있는 효소 기질의 고분자화에 의한 그라핀옥사이드의 형광저하를 이용한 바이오센서 및 이를 이용한 검출방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 효소 기질의 고분자화에 의한 그라핀옥사이드의 형광저하를 이용한 바이오센서는 형광 염료의 사용없이 그라핀옥사이드 자체의 형광 특성을 이용한 바이오 물질 검출센서로, 합성 공정이 복잡하고 비싼 염료의 사용이 제한되므로 경제성이 우수하다. 또한, 직접적으로 다양한 표적 물질을 검출할 수 있고, 간단한 공정으로 바이오센서의 검출 한도를 향상시킬 수 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100291203B1
公开(公告)日：2001-06-01
申请号：KR1019980004253
申请日：1998-02-13
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C23C16/18
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a platinum(Pt) thin film for the lower electrode of dielectrics is provided to manufacture a platinum thin film having superior characteristics compared with an existing deposition by depositing the platinum thin film using methylcyclopentadienyl trimethyl platinum £(CH3)3(CH3C5H4)Pt| as a precursor of platinum. CONSTITUTION: In a method for manufacturing a platinum thin film by chemical deposition, the method for manufacturing a platinum thin film for the lower electrode(50) of dielectrics comprises the steps of maintaining a chamber to vacuum of 5x10¬-1 torr; heating a polysilicon substrate(20) to a temperature of 400 deg.C; maintaining a temperature of a bubbler to 10 deg.C, and transferring methylcyclopentadienyl trimethyl platinum £(CH3)3(CH3C5H4)Pt| which is a precursor of platinum to the chamber using argon gas; and depositing the precursor of platinum on the substrate for 25 minutes by infusing oxygen gas into the chamber, wherein the platinum thin film and a polysilicon plug(60) are directly contacted in forming the platinum thin film into a semiconductor device.
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公开(公告)号：KR100229358B1
公开(公告)日：1999-11-01
申请号：KR1019970041508
申请日：1997-08-27
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: C23C16/40
Abstract: 본 발명은 SBT(SrBi
2 Ta
2 O
9 ) 강유전체 박막의 제조방법에 관한 것으로, 좀더 상세하게는 화학증착법에 의하여 강유전체 박박(SrBi
2 Ta
2 O
9 ; 스크론튬 비스무스 탄탈레이트 화합물)을 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 목적은 3V 인가전압에서 잔류분극(Pr)이 15 μC/cm
2 이상, 항전계(Ec)는 50 kV/cm 이하, Pt 상하부 전극구조에서 6V 양극 사각파(bipolar square pulse) 하에서 1 X 10
11 싸이클 까지 피로현상이 나타나지 않는 박막을 최대한 낮은 온도에서 제조할 수 있는 SBT 강유전체 박막의 제조방법을 제공함에 있다.
따라서, 본 발명은 Sr, Bi, Ta의 전구체로 Sr(C
5 F
6 HO
2 )
2 , Bi(C
6 H
5 )
3 , Ta(C
2 H
5 O)
5 를 사용하여 110-130℃, 140-160℃ 및 120-140℃로 각각 버블링(bubbling)시켜 플라즈마 내에서 RF 동력을 100-150 W로 하여 500-550℃로 저온증착시키는 SBT(SrBi
2 Ta
2 O
9 ) 강유전체 박막의 제조방법임을 특징으로 한다.
본 발명에 의해 제조된 SBT 강유전체 박막은 강유전 특성 및 우수한 피로특성 나타내기 때문에, 비휘발성 기억소자에 활용될 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019990069791A
公开(公告)日：1999-09-06
申请号：KR1019980004253
申请日：1998-02-13
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C23C16/18
Abstract: 본 발명은 유전체 하부전극용 백금(Pt)박막의 화학증착 방법에 관한 것으로, 백금(Pt)의 전구체로 메틸사이클로펜타디에닐 트리메틸 백금:(CH
3 )
3 (CH
3 C
5 H
4 )Pt를 사용하여 증착한 결과 기존의 증착방법보다 우수한 특성을 갖는 Pt박막을 제조할 수 있다.
본 발명의 화학증착법으로 제조된 백금박막은 스텝 커버리지(층 덮힘도)도 우수하고 700℃의 고온에서도 폴리실리콘(polysilicon)과 반응이 거의 없는 우수한 경계 특성을 나타내므로 비휘발성 기억소자, 초고집적 기억소자등의 유전체와 폴리실리콘 플러그(polysilicon plug)의 접속층에 활용이 가능한 백금 박막의 제조방법에 관한 것이다.-
公开(公告)号：KR1020130106044A
公开(公告)日：2013-09-27
申请号：KR1020120027648
申请日：2012-03-19
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G01N33/53 , G01N33/543 , G01N33/68 , G01N33/52
Abstract: PURPOSE: A biosensor by fluorescence reduction of graphene oxide due to polymerization of an enzyme substrate is provided to have economic efficiency without a fluorescent dye. CONSTITUTION: A method for detecting a target antigen using fluorescence reduction of graphene oxide due to polymerization of an enzyme substrate comprises the steps of: forming a graphene oxide layer on a substrate; immobilizing a capture antibody on the graphene oxide layer; conjugating a target antigen to the immobilized capture antibody; conjugating a detection antibody containing enzyme to the conjugated target antigen; adding the enzyme substrate and inducing polymerization of the enzyme substrate; and measuring the fluorescence intensity of polymerization-induced graphene oxide and detecting the target antigen. A biosensor comprises: the graphene oxide layer; the capture antibody which is immobilized on the graphene oxide layer; a target antigen which is conjugated to the capture antibody; and a detection antibody which contains the target antigen-conjugated enzyme.
Abstract translation: 目的：提供由于酶底物的聚合引起的氧化石墨烯荧光的生物传感器，以便在没有荧光染料的情况下具有经济效率。 构成：由于酶底物的聚合，使用荧光还原石墨烯氧化物检测靶抗原的方法包括以下步骤：在基底上形成氧化石墨烯层; 将捕获抗体固定在氧化石墨烯层上; 将靶抗原与固定的捕获抗体缀合; 将含有检测抗体的酶与缀合的靶抗原缀合; 加入酶底物并诱导酶底物的聚合; 并测量聚合诱导的石墨烯氧化物的荧光强度并检测靶抗原。 生物传感器包括：氧化石墨烯层; 固定在石墨烯氧化物层上的捕获抗体; 与捕获抗体缀合的靶抗原; 和含有目标抗原结合酶的检测抗体。
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