公开(公告)号：KR1019990018333A

公开(公告)日：1999-03-15

申请号：KR1019970041508

申请日：1997-08-27

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김호기 ,  이원재 ,  윤순길 ,  안준형

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/50

Abstract: 본 발명은 SBT(SrBi
2 Ta
2 O
9 ) 강유전체 박막의 제조방법에 관한 것으로, 좀더 상세하게는 화학증착법에 의하여 강유전체 박막 (SrBi
2 Ta
2 O
9 ; 스트론튬 비스무스 탄탈레이트 화합물)을 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 목적은 3V 인가전압에서 잔류분극 (Pr)이 15 μC/㎠ 이상, 항전계 (Ec)는 50 kV/cm 이하, Pt 상하부 전극구조에서 6V 양극 사각파(bipolar square pulse)하에서 1 X 10
11 싸이클 까지 피로현상이 나타나지 않는 박막을 최대한 낮은 온도에서 제조할 수 있는 SBT 강유전체 박막의 제조방법을 제공함에 있다.
따라서, 본 발명은 Sr, Bi, Ta의 전구체로 Sr(C
5 F
6 HO
2 )2, Bi(C
6 H
5 )
3 , Ta(C
2 H
5 O)
5 를 사용하여 110-130 ℃, 140-160℃ 및 120-140 ℃로 각각 버블링 (bubbling)시켜 플라즈마 내에서 RF 동력을 100-150 W로 하여 500-550 ℃로 저온증착시키는 SBT (SrBi
2 Ta
2 O
9 ) 강유전체 박막의 제조방법임을 특징으로 한다.
본 발명에 의해 제조된 SBT 강유전체 박막은 강유전 특성 및 우수한 피로특성 나타내기 때문에, 비휘발성 기억소자에 활용될 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990069791A

公开(公告)日：1999-09-06

申请号：KR1019980004253

申请日：1998-02-13

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 안준형 ,  윤순길 ,  이원재 ,  김호기

IPC: C23C16/18

Abstract: 본 발명은 유전체 하부전극용 백금(Pt)박막의 화학증착 방법에 관한 것으로, 백금(Pt)의 전구체로 메틸사이클로펜타디에닐 트리메틸 백금:(CH
3 )
3 (CH
3 C
5 H
4 )Pt를 사용하여 증착한 결과 기존의 증착방법보다 우수한 특성을 갖는 Pt박막을 제조할 수 있다.
본 발명의 화학증착법으로 제조된 백금박막은 스텝 커버리지(층 덮힘도)도 우수하고 700℃의 고온에서도 폴리실리콘(polysilicon)과 반응이 거의 없는 우수한 경계 특성을 나타내므로 비휘발성 기억소자, 초고집적 기억소자등의 유전체와 폴리실리콘 플러그(polysilicon plug)의 접속층에 활용이 가능한 백금 박막의 제조방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1019900007125A

公开(公告)日：1990-05-09

申请号：KR1019880013032

申请日：1988-10-06

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김호기 ,  윤순길

IPC: H01L51/00

Abstract: 내용 없음.

公开(公告)号：KR100229358B1

公开(公告)日：1999-11-01

申请号：KR1019970041508

申请日：1997-08-27

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김호기 ,  이원재 ,  윤순길 ,  안준형

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/50

CPC classification number: C23C16/40

Abstract: 본 발명은 SBT(SrBi
2 Ta
2 O
9 ) 강유전체 박막의 제조방법에 관한 것으로, 좀더 상세하게는 화학증착법에 의하여 강유전체 박박(SrBi
2 Ta
2 O
9 ; 스크론튬 비스무스 탄탈레이트 화합물)을 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 목적은 3V 인가전압에서 잔류분극(Pr)이 15 μC/cm
2 이상, 항전계(Ec)는 50 kV/cm 이하, Pt 상하부 전극구조에서 6V 양극 사각파(bipolar square pulse) 하에서 1 X 10
11 싸이클 까지 피로현상이 나타나지 않는 박막을 최대한 낮은 온도에서 제조할 수 있는 SBT 강유전체 박막의 제조방법을 제공함에 있다.
따라서, 본 발명은 Sr, Bi, Ta의 전구체로 Sr(C
5 F
6 HO
2 )
2 , Bi(C
6 H
5 )
3 , Ta(C
2 H
5 O)
5 를 사용하여 110-130℃, 140-160℃ 및 120-140℃로 각각 버블링(bubbling)시켜 플라즈마 내에서 RF 동력을 100-150 W로 하여 500-550℃로 저온증착시키는 SBT(SrBi
2 Ta
2 O
9 ) 강유전체 박막의 제조방법임을 특징으로 한다.
본 발명에 의해 제조된 SBT 강유전체 박막은 강유전 특성 및 우수한 피로특성 나타내기 때문에, 비휘발성 기억소자에 활용될 수 있다.

公开(公告)号：KR100045783B1

公开(公告)日：1991-11-06

申请号：KR1019880013032

申请日：1988-10-06

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김호기 ,  윤순길

IPC: H01L51/00

公开(公告)号：KR1019910005405B1

公开(公告)日：1991-07-29

申请号：KR1019880013032

申请日：1988-10-06

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김호기 ,  윤순길

IPC: H01L51/00

Abstract: PbTiO3 thin film is produced by chemical depositing Ti plate with Pb powder (99.9%), metal organic cpd. of Ti(C2H5O)4 and O2 (99.99%) in the reaction tube having a multite tube of 47mm inner diameter and 1m length in the two bands of horizontal resistance furnace. The chemical vapour deposition process is carried out at 600-750 deg.C, 0.02-0.23 fraction of Ti(C2H5O)4 and 0.06-0.33 atm of O2 partial pressure. The thin film has a good ferroelectricity.

Abstract translation: PbTiO3薄膜通过化学沉积具有Pb粉末（99.9％），金属有机cpd的Ti板来生产。 在具有47mm内径和1m长度的多管的反应管中的Ti（C 2 H 5 O）4和O 2（99.99％）在水平电阻炉的两个带中。 化学气相沉积工艺在600-750℃，Ti（C 2 H 5 O）4的0.02-0.23分数和O 2分压的0.06-0.33atm下进行。 该薄膜具有良好的铁电性。

公开(公告)号：KR100291203B1

公开(公告)日：2001-06-01

申请号：KR1019980004253

申请日：1998-02-13

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 안준형 ,  윤순길 ,  이원재 ,  김호기

IPC: C23C16/18

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a platinum(Pt) thin film for the lower electrode of dielectrics is provided to manufacture a platinum thin film having superior characteristics compared with an existing deposition by depositing the platinum thin film using methylcyclopentadienyl trimethyl platinum £(CH3)3(CH3C5H4)Pt| as a precursor of platinum. CONSTITUTION: In a method for manufacturing a platinum thin film by chemical deposition, the method for manufacturing a platinum thin film for the lower electrode(50) of dielectrics comprises the steps of maintaining a chamber to vacuum of 5x10¬-1 torr; heating a polysilicon substrate(20) to a temperature of 400 deg.C; maintaining a temperature of a bubbler to 10 deg.C, and transferring methylcyclopentadienyl trimethyl platinum £(CH3)3(CH3C5H4)Pt| which is a precursor of platinum to the chamber using argon gas; and depositing the precursor of platinum on the substrate for 25 minutes by infusing oxygen gas into the chamber, wherein the platinum thin film and a polysilicon plug(60) are directly contacted in forming the platinum thin film into a semiconductor device.