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公开(公告)号：WO2017179805A1
公开(公告)日：2017-10-19
申请号：PCT/KR2017/001008
申请日：2017-01-31
IPC: C07C51/21 , C07C51/50 , C07C51/44 , C07C57/04 , B01J23/52 , B01J23/46 , B01J23/89 , B01J35/02 , B01J37/02
Abstract: 본 발명은 아크릴산의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 알릴알코올의 산화에 의해 아크릴산 제조시 특정 조성을 갖는 담지 촉매를 이용하여 아크릴산을 제조할 경우, 종래 염기가 필수적으로 사용되는 것과 달리 염기 배제 하에 중성 조건에서 반응이 가능하며, 단시간 내 높은 수율로 아크릴산을 제조하는 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명의 제조방법은 최종적으로 아크릴산염이 아닌 아크릴산 형태로 회수가 가능하여, 종래 아크릴산염에서 아크릴산으로의 전환에 요구되는 산성화 공정 후 이온 교환 수행 등의 필수 공정을 배제할 수 있어 전체적인 공정 비용을 저감할 수 있는 이점이 있다.
Abstract translation:
本发明中，通过使用涉及丙烯酸的生产方法的负载催化剂生产丙烯酸时，在丙烯酸的制造更具体的特定组合物，通过使醇烯丙基的氧化，常规碱基本上 本发明涉及在短时间内以高收率生产丙烯酸的方法，其可以在中性条件下在碱排除下进行。 特别地，本发明的制造方法中被回收，其是在酸的形式，而不是最后的丙烯酸盐可用时，整个处理也能够排除必要的处理，例如执行在常规的丙烯酸酯为转化为丙烯酸所需的酸化工序后的离子交换 有一个优点是成本可以降低。
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公开(公告)号：WO2017039218A1
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：PCT/KR2016/009388
申请日：2016-08-24
CPC classification number: C07C67/40 , B01J23/52 , B01J23/66 , B01J35/023 , B01J37/0211 , B01J37/031 , B01J37/16 , B01J37/34 , C07C67/48 , C07C67/62 , C07C69/54
Abstract: 본 발명은 아크릴산을 제조시 사용하는 촉매 및 이를 이용한 아크릴산의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 금과 다른 금속과의 이종 금속 합금 촉매 입자를 포함하는 불균일계 촉매를 사용하여 알릴 알코올로부터 아크릴산 제조시 아크릴산의 선택도 및 아크릴산의 생산 수율을 향상시킬 수 있는 촉매 및 이를 이용한 아크릴산의 제조방법을 개시한다.
Abstract translation: 本发明涉及用于制备丙烯酸的催化剂和使用该催化剂的丙烯酸制备方法，更具体地公开了：可以提高丙烯酸的选择性和提高丙烯酸的生产率的催化剂 通过使用包含金和另一种金属的双金属合金催化剂颗粒的多相催化剂从芳基醇制备丙烯酸时的丙烯酸; 和使用其的丙烯酸制备方法。
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公开(公告)号：KR100291203B1
公开(公告)日：2001-06-01
申请号：KR1019980004253
申请日：1998-02-13
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C23C16/18
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a platinum(Pt) thin film for the lower electrode of dielectrics is provided to manufacture a platinum thin film having superior characteristics compared with an existing deposition by depositing the platinum thin film using methylcyclopentadienyl trimethyl platinum £(CH3)3(CH3C5H4)Pt| as a precursor of platinum. CONSTITUTION: In a method for manufacturing a platinum thin film by chemical deposition, the method for manufacturing a platinum thin film for the lower electrode(50) of dielectrics comprises the steps of maintaining a chamber to vacuum of 5x10¬-1 torr; heating a polysilicon substrate(20) to a temperature of 400 deg.C; maintaining a temperature of a bubbler to 10 deg.C, and transferring methylcyclopentadienyl trimethyl platinum £(CH3)3(CH3C5H4)Pt| which is a precursor of platinum to the chamber using argon gas; and depositing the precursor of platinum on the substrate for 25 minutes by infusing oxygen gas into the chamber, wherein the platinum thin film and a polysilicon plug(60) are directly contacted in forming the platinum thin film into a semiconductor device.
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公开(公告)号：KR101631032B1
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：KR1020150102899
申请日：2015-07-21
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G06F17/30
Abstract: 일실시예에따른비정형데이터수집, 필터링및 공통형태변환을통한저장시스템및 방법이개시된다. 비정형데이터수집, 필터링및 공통형태변환을통한저장시스템은, 가상공간의비정형데이터를일괄적으로수집하고, 상기수집된비정형데이터에대하여목표키워드를포함하는지여부를판단하는데이터수집부; 상기목표키워드를포함하고있는비정형데이터를비정상적단어빈도와비정상적사용자패턴을기반으로정상상태또는비정상상태로분류하는데이터필터링부; 및상기정상상태로분류된데이터로부터표준형태정보를추출하여변환하고, 상기정상상태로분류된데이터로부터부가정보를변환하여, 상기표준형태정보와상기부가정보를결합하여공통형태로저장하는데이터공통형태저장부를포함할수 있다.
Abstract translation: 公开了根据本发明的实施例的使用不规则数据过滤和公共格式转换的存储系统和存储方法。 使用不规则数据收集，过滤和公共格式转换的存储系统可以包括：数据收集单元，其在批量中收集虚拟空间中的不规则数据，并且确定收集的不规则数据是否包括目标关键字; 数据过滤单元，其基于异常字频率和异常用户模式将包括目标关键字的不规则数据分类为正常状态或异常状态; 以及从被分类为正常状态的数据中提取标准格式信息以将数据转换为公共格式的数据公共格式存储单元，从被分类为正常状态的数据中提取附加信息以进行转换 数据到通用格式，并组合标准格式信息和附加信息，以将结果存储为通用格式。 根据本发明，由于消除诸如广告等无意义的数据，可以将各种不规则数据格式转换成通用格式和附加信息格式，然后存储。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1019990069791A
公开(公告)日：1999-09-06
申请号：KR1019980004253
申请日：1998-02-13
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C23C16/18
Abstract: 본 발명은 유전체 하부전극용 백금(Pt)박막의 화학증착 방법에 관한 것으로, 백금(Pt)의 전구체로 메틸사이클로펜타디에닐 트리메틸 백금:(CH
3 )
3 (CH
3 C
5 H
4 )Pt를 사용하여 증착한 결과 기존의 증착방법보다 우수한 특성을 갖는 Pt박막을 제조할 수 있다.
본 발명의 화학증착법으로 제조된 백금박막은 스텝 커버리지(층 덮힘도)도 우수하고 700℃의 고온에서도 폴리실리콘(polysilicon)과 반응이 거의 없는 우수한 경계 특성을 나타내므로 비휘발성 기억소자, 초고집적 기억소자등의 유전체와 폴리실리콘 플러그(polysilicon plug)의 접속층에 활용이 가능한 백금 박막의 제조방법에 관한 것이다.-
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公开(公告)号：KR100229358B1
公开(公告)日：1999-11-01
申请号：KR1019970041508
申请日：1997-08-27
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: C23C16/40
Abstract: 본 발명은 SBT(SrBi
2 Ta
2 O
9 ) 강유전체 박막의 제조방법에 관한 것으로, 좀더 상세하게는 화학증착법에 의하여 강유전체 박박(SrBi
2 Ta
2 O
9 ; 스크론튬 비스무스 탄탈레이트 화합물)을 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 목적은 3V 인가전압에서 잔류분극(Pr)이 15 μC/cm
2 이상, 항전계(Ec)는 50 kV/cm 이하, Pt 상하부 전극구조에서 6V 양극 사각파(bipolar square pulse) 하에서 1 X 10
11 싸이클 까지 피로현상이 나타나지 않는 박막을 최대한 낮은 온도에서 제조할 수 있는 SBT 강유전체 박막의 제조방법을 제공함에 있다.
따라서, 본 발명은 Sr, Bi, Ta의 전구체로 Sr(C
5 F
6 HO
2 )
2 , Bi(C
6 H
5 )
3 , Ta(C
2 H
5 O)
5 를 사용하여 110-130℃, 140-160℃ 및 120-140℃로 각각 버블링(bubbling)시켜 플라즈마 내에서 RF 동력을 100-150 W로 하여 500-550℃로 저온증착시키는 SBT(SrBi
2 Ta
2 O
9 ) 강유전체 박막의 제조방법임을 특징으로 한다.
본 발명에 의해 제조된 SBT 강유전체 박막은 강유전 특성 및 우수한 피로특성 나타내기 때문에, 비휘발성 기억소자에 활용될 수 있다. -
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