公开(公告)号：KR100264396B1

公开(公告)日：2000-08-16

申请号：KR1019980010830

申请日：1998-03-27

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 신형철 ,  양선아 ,  이종호

IPC: H01J1/30

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a lateral field emission display device is provided to form a cathode pattern, an anode pattern, and a gate pattern as one mask by using an electron beam lithography process. CONSTITUTION: A conductive layer is formed on a substrate including an insulating layer. The conductive layer is formed as the first conductive layer pattern, the second conductive layer pattern, and the third conductive layer pattern by performing a lithography process. The first conductive layer pattern forms a cathode electrode(11). The second conductive layer pattern forms an anode electrode(12). The third conductive layer pattern forms a gate electrode(13,13').

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造横向场发射显示装置的方法，以通过使用电子束光刻工艺形成阴极图案，阳极图案和作为一个掩模的栅极图案。 构成：在包括绝缘层的基板上形成导电层。 通过进行光刻工艺，导电层形成为第一导电层图案，第二导电层图案和第三导电层图案。 第一导电层图案形成阴极电极（11）。 第二导电层图案形成阳极电极（12）。 第三导电层图案形成栅电极（13,13'）。

公开(公告)号：KR1019990076137A

公开(公告)日：1999-10-15

申请号：KR1019980010830

申请日：1998-03-27

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 신형철 ,  양선아 ,  이종호

IPC: H01J1/30

Abstract: 본 발명은 전자선 리소그래피를 이용하여 한 장의 마스크로 캐소드, 에노드, 게이트 전극을 형성시킬 수 있어, 제조공정을 단순화시킨 측면형 전계방출소자의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명에 따르면, 전계방출소자의 제조방법에 있어서, 그 표면에 절연막이 형성된 기판상에 전도막을 형성하는 단계와; 전자선 리소그래피 공정을 통해 상기 전도막을 캐소드 전극 형성을 위한 제1전도막 패턴과, 에노드 전극 형성을 위한 제2전도막 패턴 및, 게이트 전극 형성을 위한 제3전도막 패턴으로 형성하는 단계 및: 상기 캐소드, 에노드, 게이트 전극의 팁을 미세 간격으로 형성하기 위해 상기 형성된 패턴에 열 산화를 수행하는 단계를 포함하며, 상기 제1전도막 내지 제3전도막의 패턴 형상은, 상기 캐소드 전극의 제1전도막과 상기 에노드 전극의 제2전도막이 상호 대향되고, 상기 게이트 전극의 제3전도막은 상호 대향되게 한 쌍을 구비하되, 상기 제1전도막과 상기 제2전도막의 접점은 상기 후속 단계를 통해 임의의 수 나노 스케일의 간격이 형성될 수 있도록 미세 구조로 형성하고, 상기 한 쌍의 제3전도막은 가능한 한 상기 제1전도막과 제2전도막의 접점에 가깝도 록 형성하는 것을 특징으로 하는 전계방출소자의 제조방법이 제공된다.