公开(公告)号：KR1020110005381A

公开(公告)日：2011-01-18

申请号：KR1020090062888

申请日：2009-07-10

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 양경훈 ,  김문호 ,  양정길

IPC: H01L27/06

Abstract: PURPOSE: A multi-layered process method for manufacturing the high frequency single integrated circuit is provided to manufacture the high frequency single integrated circuit with small area by forming the active and passive devices and connecting with the minimum length of connection line. CONSTITUTION: A p-type ohmic metal layer(301) and a n-type ohmic metal layer are deposited on a semiconductor substrate(303). A first dielectric layer(307) is spread on the top of the p-type ohmic metal layer or the n-type ohmic metal layer. A first metal(308) is deposited on the top of the p-type ohmic metal layer or the n-type ohmic metal layer and first poles(302, 306).

Abstract translation: 目的：制造高频单集成电路的多层工艺方法，通过形成有源和无源器件并连接最小长度的连接线来制造小面积的高频单集成电路。 构成：在半导体衬底（303）上沉积p型欧姆金属层（301）和n型欧姆金属层。 第一电介质层（307）扩散在p型欧姆金属层或n型欧姆金属层的顶部。 第一金属（308）沉积在p型欧姆金属层或n型欧姆金属层和第一极（302,306）的顶部上。

公开(公告)号：KR100959385B1

公开(公告)日：2010-05-25

申请号：KR1020080057353

申请日：2008-06-18

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 양경훈 ,  양정길

IPC: H01H36/00

Abstract: 본 발명은 BCB 기반의 다층구조를 이용한 고성능 광대역 PIN 단극쌍투 진행파 스위치에 관한 것으로서, 입력포트로부터 RF신호를 인가받은 제 1 및 제 2 파장전송선과, 제 1 및 제 2 파장 전송선과 접속된 제 1 및 제 2 인덕티브 전송선과, 제 1 인덕티브 전송선과 제 1 출력포트사이에 구비된 제 1 PIN 다이오드, 및 제 2 인덕티브 전송선과 제 2 출력포트사이에 구비된 제 2 PIN 다이오드로 구성되되, 제 1 및 제 2 인덕티브 전송선은 기 설정된 주파수 대역에서 소정의 임피던스를 갖는 4㎛ 폭으로 구성되고, 16㎛ 폭 파장의 사분의 일 길이의 50Ω을 갖는 박막 마이크로스트립 라인으로 구성되는 것을 특징으로 한다.
상술한바와 같은 본 발명에 따르면, 스위칭 소자로 PIN 다이오드를 사용함과 아울러 BCB 기반의 다층구조로 제작함으로써, 바이어스 라인과 제어 전압의 수를 최소화하고, 기생 인덕턴스 성분을 최소화함과 동시에 스위치 제작의 소형화를 도모하는 효과가 있다.
BCB, 파장, 단극쌍투, 진행파, PIN 다이오드, 스위치

公开(公告)号：KR101042266B1

公开(公告)日：2011-06-17

申请号：KR1020090062888

申请日：2009-07-10

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 양경훈 ,  김문호 ,  양정길

IPC: H01L27/06

Abstract: 본 발명은 고주파 단일 집적회로 제작을 위한 다층구조 공정방법에 관한 것으로서, 반도체 기판 상부에 상호 접속되도록 제작된 p형 오믹 금속층 또는 n형 오믹 금속층를 증착하며, p형 오믹 금속층 또는 n형 오믹 금속층 상부에 증작한 제1 기둥(pole)이 외기에 노출되도록 제1 유전막을 도포하는 (a) 단계와, 제1 유전막 상부로 노출된 p형 오믹 금속층 또는 n형 오믹 금속층 및 제1 기둥(pole) 상부에 제1 금속을 증착하고, 제1 금속 및 제1 유전막 상부에 도포함과 아울러 제1 금속이 외기에 노출되도록 절연물질에 via-hole을 형성하여 제1 금속 및 절연물질 상부에 제2 금속을 증착하는 (b) 단계, 및 제2 금속 상부에 제2 기둥(pole)을 증착시킴과 아울러 제2 기둥(pole)이 외기에 노출되도록 절연물질 및 제2 금속 상부로 제2 유전막을 도포하고, 제2 기둥(pole) 상부에 마이크로스트립라인(microstrip-lin,) 및 스파이럴 인덕터를 포함하는 신호선(signal line)을 증착하는 (c) 단계를 포함한다.
유전막, 다층구조, 능동소자, 공정

公开(公告)号：KR1020110003960A

公开(公告)日：2011-01-13

申请号：KR1020090061497

申请日：2009-07-07

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 양경훈 ,  양정길 ,  김문호

IPC: H01P1/18 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01P1/18 ,  H01L29/868 ,  H03H7/0115

Abstract: PURPOSE: A high-frequency/high-performance phase shifters using pin diodes is provided to improve insertion loss, return loss, and root mean square phase error by using excellent PIN diodes. CONSTITUTION: Metal-insulator-metal capacitors(202,214) divide DC voltage and current. First inductors(203,213) apply DC voltage to a circuit. A first inductor blocks an AC signal A first inductor prevents the leak of a signal. PIN diodes(208,209,210,211) are alternated according to bias voltages(204,212). Second inductors(205,206) and the first capacitor(207) are functioned as a high pass filter. Third inductors(216,217) and second capacitors(218,219) are functioned as a low pass filter. A fourth inductor(220) blocks the leakage of the AC signal.

Abstract translation: 目的：提供使用引脚二极管的高频/高性能移相器，通过使用优异的PIN二极管来提高插入损耗，回波损耗和均方根误差。 构成：金属绝缘体金属电容（202,214）分压直流电压和电流。 第一电感器（203,213）将直流电压施加到电路。 第一电感器阻塞AC信号A第一电感器防止信号泄漏。 PIN二极管（208,209,210,211）根据偏置电压（204,212）交替。 第二电感器（205,206）和第一电容器（207）用作高通滤波​​器。 第三电感器（216,217）和第二电容器（218,219）用作低通滤波器。 第四电感器（220）阻止AC信号的泄漏。

公开(公告)号：KR101008955B1

公开(公告)日：2011-01-17

申请号：KR1020090061497

申请日：2009-07-07

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 양경훈 ,  양정길 ,  김문호

IPC: H01P1/18 ,  H01L29/868

Abstract: 본 발명은 PIN 다이오드를 이용한 초고주파 대역 고성능 위상 변위기 회로에 관한 것으로서, 입력포트(201) 및 출력포트(215)와 접속되어 직류 전압 및 전류를 분리하는 금속-절연체-금속 커패시터(202, 214)와, 금속-절연체-금속 커패시터(202, 214)와 접속되어 PIN 다이오드(208, 209, 210, 211)의 상태 제어를 위해 그라운드와 접지된 바이어스(204, 212)와 접속되어 직류 전압을 회로로 인가시키고, 교류 신호를 차단하여 신호의 누출을 방지하는 제1 인덕터(203, 231)와, 바이어스(204, 212)의 전압에 따라 교번되어 신호의 흐름을 조절하는 PIN 다이오드(208, 209, 210, 211)와, π 형태의 고주파 통과필터(high-pass filter)의 기능을 수행하여 PIN 다이오드(208, 210)로부터 인가받은 신호의 위상을 90˚ 앞서도록 하는(phase leading) 제2 인덕터(205, 206) 및 제1 커패시터(207)와, π 형태의 저주파 통과필터(low-pass filter)의 기능을 수행하여 PIN 다이오드(209, 211)로부터 인가받은 신호의 위상을 90˚ 뒤서도록 하는(phase lagging) 제3 인덕터(216, 217) 및 제2 커패시터(218, 219), 및 제3 인덕터(216, 217)와 제2 커패시터(218, 219)로부터 인가되는 교류 신호의 누출을 차단하는 제4 인덕터(220)를 포함한다.
핀 다이오드, 위상 변위기

公开(公告)号：KR1020090131457A

公开(公告)日：2009-12-29

申请号：KR1020080057353

申请日：2008-06-18

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 양경훈 ,  양정길

IPC: H01H36/00

Abstract: PURPOSE: A high-performance broadband PIN SPDT(Single Pole Double Throw) progressive wave switch using a BCB(Benzo Cyclo Butene)-based multilayer structure is provided to employ a PIN(Positive Intrinsic Negative) diode as a switching device, thereby minimizing the number of control voltages and bias lines. CONSTITUTION: First PIN diodes(106,107,108,109) are installed between first inductive transmission lines and a first output port(110). Second PIN diodes are installed between second inductive transmission lines and a second output port(119). To obtain predetermined impedance in a preset frequency band, the first inductive transmission lines and the second inductive transmission lines are formed in 4 micrometer width. The first inductive transmission lines and the second inductive transmission lines are thin film microstrip lines.

Abstract translation: 目的：提供使用基于BCB（Benzo Cyclo Butene）的多层结构的高性能宽带PIN SPDT（单极双掷）行波开关，以采用PIN（正本征负二极管）作为开关器件，从而最小化 控制电压和偏置线数。 构成：第一PIN二极管（106,107,108,109）安装在第一感应传输线和第一输出端口（110）之间。 第二PIN二极管安装在第二感应传输线和第二输出端口（119）之间。 为了在预设频带中获得预定的阻抗，第一感应传输线和第二感应传输线形成为4微米宽。 第一感应传输线和第二感应传输线是薄膜微带线。