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公开(公告)号：WO2010055988A1
公开(公告)日：2010-05-20
申请号：PCT/KR2009/004104
申请日：2009-07-23
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/12 , G11C13/0007 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1616 , H01L45/1666
Abstract: 본 발명은 투명 전자소자용 투명 메모리에 관한 것으로서, 투명 기판 상에 순차적으로 형성된 하부 투명 전극층, 적어도 하나 이상의 투명 저항 변화 물질층으로 형성된 데이터 스토리지 영역 및 상부 투명 전극층을 포함하며, 상기 투명 저항 변화 물질층은, 상기 하부 투명 전극층과 상부 투명 전극층 사이에 소정의 전압 인가에 따른 저항 변화로 스위칭 특성을 가지고, 광학적 밴드갭(band-gap)이 3 eV 이상이며 가시광선 투과율이 80 %이상인 것을 특징으로 하는 투명 전자소자용 투명 메모리이며, 이와 같은 본 발명에 의해 투명도가 대단히 높고 낮은 스위칭 전압에서도 저항 변화에 따른 스위칭 특성을 가지며 또한 장기간이 경과한 후에도 저항 변화 메모리의 스위칭 특성을 유지할 수 있는 투명한 저항 변화 메모리를 제공할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及透明电子设备的透明存储器。 透明存储器包括：依次形成在透明基板上的下部透明电极层和由至少一个透明电阻变化材料层制成的数据存储区域和上部透明层。 透明电阻变化材料层由于在下部和上部透明电极层之间施加一定电压而引起的电阻变化的结果具有开关特性。 透明电阻变化材料层的光学带隙为3eV以上，可见光的材料层的透射率为80％以上。 本发明提供透明和电阻变化的存储器，其具有非常高的透明度和取决于低开关电压下的电阻变化的开关特性，并且可以在长时间经过之后保持其开关特性。
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公开(公告)号：KR101016266B1
公开(公告)日：2011-02-25
申请号：KR1020090038099
申请日：2009-04-30
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L27/12 , G11C13/0007 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1616 , H01L45/1666
Abstract: 본 발명은 투명 전자소자용 투명 메모리에 관한 것으로서, 투명 기판 상에 순차적으로 형성된 하부 투명 전극층, 적어도 하나 이상의 투명 저항 변화 물질층으로 형성된 데이터 스토리지 영역 및 상부 투명 전극층을 포함하며, 상기 투명 저항 변화 물질층은, 상기 하부 투명 전극층과 상부 투명 전극층 사이에 소정의 전압 인가에 따른 저항 변화로 스위칭 특성을 가지고, 광학적 밴드갭(band-gap)이 3 eV 이상이며 가시광선 투과율이 80 %이상인 것을 특징으로 하는 투명 전자소자용 투명 메모리이며, 이와 같은 본 발명에 의해 투명도가 대단히 높고 낮은 스위칭 전압에서도 저항 변화에 따른 스위칭 특성을 가지며 또한 장기간이 경과한 후에도 저항 변화 메모리의 스위칭 특성을 유지할 수 있는 투명한 저항 변화 메모리를 제공할 수 있다.
투명 저항 변화 물질, 투명, 투명 전극, 투명 기판, RRAM, 투명 메모리.-
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公开(公告)号：KR1020100054074A
公开(公告)日：2010-05-24
申请号：KR1020090038099
申请日：2009-04-30
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L27/12 , G11C13/0007 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1616 , H01L45/1666 , G11C13/0004
Abstract: PURPOSE: A transparent memory for transparent electronics is provided to increase a memory capacity while reducing the size of a memory by forming a resistance change material layer in multiple layers. CONSTITUTION: A lower transparent electrode layer(120) is successively formed on a transparent substrate. A data storage region(130) is formed by at least one transparent resistance change material layer. The transparent resistance change material layer has switching characteristics due to resistance change according to a voltage supplied to a lower transparent electrode layer and an upper transparent electrode layer. The transparent resistance change material layer has an optical band-gap of 3V and visible light transmission rate of 80%.
Abstract translation: 目的：提供透明电子器件的透明存储器，通过在多层中形成电阻变化材料层来增加存储容量，同时减小存储器的尺寸。 构成：在透明基板上依次形成下部透明电极层（120）。 数据存储区域（130）由至少一个透明电阻变化材料层形成。 透明电阻变化材料层由于根据提供给下透明电极层和上透明电极层的电压而产生的电阻变化而具有开关特性。 透明电阻变化材料层的光学带隙为3V，可见光透过率为80％。
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