公开(公告)号：KR101484156B1

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：KR1020130052430

申请日：2013-05-09

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 안병태 ,  권혁상 ,  에쌈에이알아미르 ,  김지혜

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 CIGS 박막 태양전지에서 무(無)카드뮴 버퍼층으로 인듐 설파이드(In
2 S
3 ) 층을 이용하는 태양전지에 관한 것으로, 용액 성장법을 이용하여 성장하는 버퍼층에 있어서 틴(Sn)이 도핑된 인듐 설파이드 박막을 적층하는 방법 및 이로부터 제조되는 태양전지에 관한 것이다.
본 발명은 틴이 도핑된 인듐 설파이드 박막은 높은 광 투과도를 가지면서 우수한 전기 전도도를 가지게 되고, CIGS와 인듐 설파이드 계면에서 전도대의 에너지 장벽을 낮춤으로써 재결합 손실을 줄이는 등으로 태양전지의 광전기적 특성을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020140132987A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：KR1020130052430

申请日：2013-05-09

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 안병태 ,  권혁상 ,  에쌈에이알아미르 ,  김지혜

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0749

Abstract: 본 발명은 CIGS 박막 태양전지에서 무(無)카드뮴 버퍼층으로 인듐 설파이드(In
2 S
3 ) 층을 이용하는 태양전지에 관한 것으로, 용액 성장법을 이용하여 성장하는 버퍼층에 있어서 틴(Sn)이 도핑된 인듐 설파이드 박막을 적층하는 방법 및 이로부터 제조되는 태양전지에 관한 것이다.
본 발명은 틴이 도핑된 인듐 설파이드 박막은 높은 광 투과도를 가지면서 우수한 전기 전도도를 가지게 되고, CIGS와 인듐 설파이드 계면에서 전도대의 에너지 장벽을 낮춤으로써 재결합 손실을 줄이는 등으로 태양전지의 광전기적 특성을 향상시킬 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种在CIGS薄膜太阳能电池中使用硫化铟（In2S3）层作为非镉缓冲层的太阳能电池，用于堆叠掺杂锡的硫化铟薄膜以形成缓冲层的方法，该缓冲层由 溶液生长方法和由此制造的太阳能电池。 本发明通过降低CIGS和硫化铟之间的界面处的导带的能量势垒并降低复合损耗，从而改善了锡掺杂的硫化铟薄膜的透光率和导电性，从而提高了太阳能电池的光电性能。