公开(公告)号：KR1020120034280A

公开(公告)日：2012-04-12

申请号：KR1020100095723

申请日：2010-10-01

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김진백 ,  우승아 ,  박지영

IPC: C08G77/60 ,  C08L83/16 ,  G03F7/075 ,  H01L21/027

CPC classification number: C08G77/60 ,  C08L83/16 ,  G03F7/0754 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0274

Abstract: PURPOSE: Silicon-containing photoresist material is provided to restrain the deterioration of contrast and deformation of resist profile, and to obtain resist patterns of high aspect ratio and high resolution. CONSTITUTION: A silicon-containing polymer comprises an amine group, a hydroxyl group, or a thiol group, and is in chemical formula 1. In chemical formula 1, R1 is C1-20 hydrocarbon, Z is an amine group, a hydroxyl group, or thiol group, and x and y is an integer. A photo resist composition comprises a first polymer containing a first polymer containing diazoketo group, and a silicone-containing second polymer comprising an amine group, a hydroxyl group, or thiol group as a functional group. The first polymer contains the diazoketo group in a side chain.

Abstract translation: 目的：提供含硅光致抗蚀剂材料，以抑制对比度的劣化和抗蚀剂轮廓的变形，并获得高纵横比和高分辨率的抗蚀剂图案。 构成：含硅聚合物包含胺基，羟基或硫醇基，并且在化学式1中。在化学式1中，R 1是C 1-20烃，Z是胺基，羟基， 或硫醇基，x和y是整数。 光致抗蚀剂组合物包含含有含有二唑酮基的第一聚合物的第一聚合物和包含胺基，羟基或硫醇基作为官能团的含硅氧烷的第二聚合物。 第一种聚合物在侧链中含有二唑酮基。

公开(公告)号：KR101339408B1

公开(公告)日：2013-12-10

申请号：KR1020100095723

申请日：2010-10-01

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김진백 ,  우승아 ,  박지영

IPC: C08G77/60 ,  C08L83/16 ,  G03F7/075 ,  H01L21/027

Abstract: 실리콘 함유 포토레지스트 물질 및 포토레지스트 조성물이 제공된다.
본 발명에 따른 실리콘 함유 포토레지스트 물질은 하기 식 (1)이며,
(1)
(상기 식에서 R
1 은 탄소수 1 내지 20의 탄화수소이며, Z는 아민기, 히드록실기, 또는 티올기이며, x, y 는 정수임)
본 발명에 따른 포토레지스트는 레지스트 내부로 실릴화 물질이 흡수되지 않고 노광부의 표면에서만 화학반응을 일으키므로, 기존의 TSI 방법의 단점인 레지스트 프로파일 변형 및 콘트라스트(contrast) 악화를 방지할 수 있고, 또한 고해상도와 고종횡비의 레지스트 패턴을 얻을 수 있다. 즉, 본 발명에 따른 포토레지스트는 기존 TSI 방법에서 사용되는 헥사메틸실라잔 등의 실릴화제 대신, 실리콘 자체를 함유하는 고분자를 사용하며, 실리콘이 함유된 고분자 레지스트를 하부 레지스트 위에 스핀코팅하고, 노광부에서만 선택적으로 계면 상호반응이나 가교화 반응을 시키는 방식으로 미세 패턴을 형성한다. 또한, 본 발명은 빛에 의해서 반응하는 비화학증폭형 레지스트와 실리콘이 함유되어있는 고분자의 간단한 블렌딩 방법(blending method)을 통하여 패턴을 형성하므로, 실리콘의 함량 제한이 없이 실리콘을 일정한 비율로 사용할 수 있고, 단순한 레지스트 디자인이 가능하다. 더 나아가, 비화학증폭형 레지스트를 사용하므로, 화학증폭형 포토레지스트의 산의 손실이나 확산 등으로 인한 문제점을 해결할 수 있고, 베이킹 과정 없이 패턴을 형성할 수 있으므로 패턴화 공정수가 줄어드는 장점을 가지고 있다. 또한, 본 발명에 따른 디아조케토기를 포함하는 비화학증폭형 레지스트는 그 감도가 매우 우수하여 화학증폭형과 대등한 감도를 나타내며, 반응 중에 부산물로 질소만 생성되기 때문에 ArF 이머전 리소그래피(immersion lithography), 극자외선(EUV) 리소그래피 등 차세대 리소그래피 공정에서 매우 유용하다.

公开(公告)号：KR1020130095568A

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：KR1020120017119

申请日：2012-02-20

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 김진백 ,  우승아

IPC: C08F220/10 ,  C08F220/34 ,  C08F230/08 ,  G03F7/075

CPC classification number: C08F220/34 ,  C08F212/08 ,  C08F220/18 ,  C08F230/08 ,  C08F2220/281 ,  C08F2220/283 ,  C08F2220/286 ,  G03F7/075

Abstract: PURPOSE: A silicon-containing photoresist composition is provided to manufacture an excellent photoresist micropattern by increasing silicon contents. CONSTITUTION: A copolymer includes a diazoketo group-containing first monomer; a second monomer containing an amine group, a hydroxyl group, or a thiol group; and a silicon-containing third monomer. A photoresist composition consists of the copolymer, a solvent, and additives. A manufacturing method of a micropattern includes a step of laminating the lower layer of a double layer photoresist on a substrate; a step of laminating the photoresist composition on the upper layer of the double layer photoresist; a step of developing the upper layer by light irradiation through a patterned mask; and a step of ion-etching the lower layer of the double layer photoresist. [Reference numerals] (AA) Light exposure; (BB) Rearrangement; (CC) Intermolecular crosslinking reaction

Abstract translation: 目的：提供含硅光致抗蚀剂组合物以通过增加硅含量来制造出优异的光致抗蚀剂微图案。 构成：共聚物包括含二酮基的基团的第一单体; 含有胺基，羟基或硫醇基的第二单体; 和含硅的第三单体。 光致抗蚀剂组合物由共聚物，溶剂和添加剂组成。 微图案的制造方法包括在基板上层叠双层光致抗蚀剂的下层的工序; 将光致抗蚀剂组合物层叠在双层光致抗蚀剂的上层上的步骤; 通过图案化掩模的光照射显影上层的步骤; 以及离子蚀刻双层光致抗蚀剂的下层的步骤。 （附图标记）（AA）曝光; （BB）重排; （CC）分子间交联反应