公开(公告)号：KR101202506B1

公开(公告)日：2012-11-16

申请号：KR1020110015021

申请日：2011-02-21

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 정연식 ,  이건재 ,  정재원 ,  최재석 ,  황건태 ,  문범호 ,  유병국

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

Abstract: 절연 나노입자를 이용한 상변화 메모리 소자, 플렉서블 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법이 제공된다.
본 발명에 따른 절연 나노입자를 이용한 상변화 메모리 소자는 전극 및 상기 전극과 접촉하며, 상기 전극으로부터 발생한 열에 따라 상변화가 발생하는 상변화층을 포함하는 상변화 메모리 소자에 있어서, 상기 전극과 결정화 및 비정질화가 일어나는 상변화층 사이에는 자기조립 블록공중합체로부터 형성된 절연 나노입자가 구비되는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020140026073A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：KR1020120093023

申请日：2012-08-24

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이건재 ,  정연식 ,  유병국 ,  박운익 ,  심동민 ,  김종민

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/04 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28185 ,  H01L45/146

Abstract: The present invention relates to a unipolar resistance random access memory device comprising a bottom electrode; an oxide layer on the bottom electrode; and a top electrode on the oxide layer, wherein at least one insulation nanostructure is formed at an interface between the bottom or the top electrode and the oxide layer.

Abstract translation: 本发明涉及一种包括底部电极的单极电阻随机存取存储器件; 底部电极上的氧化物层; 以及在所述氧化物层上的顶部电极，其中在所述底部或顶部电极与所述氧化物层之间的界面处形成至少一个绝缘纳米结构。

公开(公告)号：KR1020160150282A

公开(公告)日：2016-12-29

申请号：KR1020160172759

申请日：2016-12-16

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이건재 ,  유병국 ,  문범호 ,  황건태 ,  정재원 ,  최재석 ,  정연식

IPC: H01L45/00 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L45/06 ,  B82Y10/00 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144

Abstract: 절연나노입자를이용한상변화메모리소자, 플렉서블상변화메모리소자및 그제조방법이제공된다. 본발명에따른절연나노입자를이용한상변화메모리소자는전극및 상기전극과접촉하며, 상기전극으로부터발생한열에따라상변화가발생하는상변화층을포함하는상변화메모리소자에있어서, 상기전극과결정화및 비정질화가일어나는상변화층사이에는자기조립블록공중합체로부터형성된절연나노입자가구비되는것을특징으로한다.

公开(公告)号：KR101381997B1

公开(公告)日：2014-04-04

申请号：KR1020120093023

申请日：2012-08-24

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 이건재 ,  정연식 ,  유병국 ,  박운익 ,  심동민 ,  김종민

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

Abstract: 단극성 저항변화 메모리 소자로서, 하부전극; 상기 하부전극 상의 산화물층; 및 상기 산화물층 상의 상부전극을 포함하며, 하부전극 또는 상부전극과 상기 산화물층 사이의 계면에는 절연 나노구조가 적어도 하나 이상 형성된 것을 특징으로 하는 단극성 저항변화 메모리 소자가 제공된다.

公开(公告)号：KR1020120095602A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：KR1020110015021

申请日：2011-02-21

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 정연식 ,  이건재 ,  정재원 ,  최재석 ,  황건태 ,  문범호 ,  유병국

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/06 ,  B82Y10/00 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144

Abstract: PURPOSE: A phase change memory device, a flexible phase change memory device, and a manufacturing method thereof using insulated nano particles are provided to reduce a reset current by decreasing a contact area between a phase change layer and an electrode. CONSTITUTION: A brush layer(11) is laminated on a substrate(10). The coated brush layer is coated with block copolymer solutions. A coated block copolymer(12) is self-assembled by an annealing process. A specific polymer block(13) is removed among the self-assembled block copolymer by patterning process.

Abstract translation: 目的：提供相变存储器件，柔性相变存储器件及其使用绝缘纳米粒子的制造方法，通过减小相变层和电极之间的接触面积来减小复位电流。 构成：将刷层（11）层叠在基板（10）上。 涂覆的刷层涂覆有嵌段共聚物溶液。 涂覆的嵌段共聚物（12）通过退火工艺自组装。 通过图案化方法在自组装嵌段共聚物中除去特定的聚合物嵌段（13）。