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公开(公告)号：KR1020140026073A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：KR1020120093023
申请日：2012-08-24
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/04 , B82Y10/00 , H01L21/28185 , H01L45/146
Abstract: The present invention relates to a unipolar resistance random access memory device comprising a bottom electrode; an oxide layer on the bottom electrode; and a top electrode on the oxide layer, wherein at least one insulation nanostructure is formed at an interface between the bottom or the top electrode and the oxide layer.
Abstract translation: 本发明涉及一种包括底部电极的单极电阻随机存取存储器件; 底部电极上的氧化物层; 以及在所述氧化物层上的顶部电极，其中在所述底部或顶部电极与所述氧化物层之间的界面处形成至少一个绝缘纳米结构。
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公开(公告)号：KR1020130050874A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：KR1020120108745
申请日：2012-09-28
CPC classification number: C09D5/00 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B82Y40/00 , C09D153/00 , G03F7/0002 , H01L21/0337 , Y10T428/24612
Abstract: PURPOSE: A nanostructure of a block copolymer is provided to reduce a pattern resolution to about 10nm or less and to improve line edge roughness of a pattern by controlling a difference between at least two solybility parameters(δ) of block structure units in a predetermined range. CONSTITUTION: A block copolymer nanostructure(20) comprises a self-assembled block copolymer on a substrate(10), and the block copolymer comprises multiple block structure units. A difference of solybility parameters(δ) of at least two of the block structure units is equal to or greater than 5 MPa1/2. The block copolymer has a Flory-Huggins interaction parameter(χ) that is equal to or greater than 0.7. A manufacturing method of the block copolymer nanostructure comprises the following steps: (a) forming a block copolymer thin film on a substrate; (b) performing a solvent annealing process to form a pattern on the thin film; and (c) performing a plasma treatment on the pattern to remove other block structure units than the block structure units that form the pattern, thereby manufacturing a nanostructure.
Abstract translation: 目的：提供嵌段共聚物的纳米结构以将图案分辨率降低到约10nm或更小，并且通过控制在预定范围内的块结构单元的至少两个均匀性参数（δ）之间的差异来改善图案的线边缘粗糙度 。 构成：嵌段共聚物纳米结构（20）在基材（10）上包含自组装嵌段共聚物，嵌段共聚物包含多个嵌段结构单元。 至少两个块结构单元的均匀性参数（δ）的差异等于或大于5MPa1 / 2。 嵌段共聚物具有等于或大于0.7的Flory-Huggins相互作用参数（χ）。 嵌段共聚物纳米结构的制造方法包括以下步骤：（a）在基材上形成嵌段共聚物薄膜; （b）进行溶剂退火处理以在薄膜上形成图案; 和（c）对图案进行等离子体处理以去除除了形成图案的块结构单元之外的其它块结构单元，从而制造纳米结构。
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3.发明授权
公开(公告)号：KR101684765B1
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：KR1020150018185
申请日：2015-02-05
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 제 1 이종(di) 블록공중합체와제 2 이종(di) 블록공중합체를혼합하여기판에도포하는단계; 및상기혼합된제 1 이종(di) 블록공중합체와제 2 이종(di) 블록공중합체에제 1 용매및 제 2 용매가혼합된혼합용매로용매어닐링하는단계;를포함하며, 상기제 1 용매에의하여상기제 1 이종(di) 블록공중합체의구성중합체블록이팽창하며, 이로써구성중합체블록에의하여정의되는육각판상구조가형성되는것을특징으로하는, 블록공중합체패터닝방법이제공된다.
Abstract translation: 提供嵌段共聚物图案化方法，其包括以下步骤：混合第一二嵌段共聚物和第二二嵌段共聚物，然后将该混合物铺展在基材上; 并用与第一溶剂和第二溶剂混合的混合溶剂对第一和第二二嵌段共聚物的混合物进行溶剂退火。 第一二嵌段共聚物的构成聚合物嵌段由第一溶剂膨胀，形成由构成聚合物嵌段描述的六角形板状结构。
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4.发明公开
公开(公告)号：KR1020160031386A
公开(公告)日：2016-03-22
申请号：KR1020150018185
申请日：2015-02-05
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: G03F7/0002 , C08J3/00
Abstract: 제 1 이종(di) 블록공중합체와제 2 이종(di) 블록공중합체를혼합하여기판에도포하는단계; 및상기혼합된제 1 이종(di) 블록공중합체와제 2 이종(di) 블록공중합체에제 1 용매및 제 2 용매가혼합된혼합용매로용매어닐링하는단계;를포함하며, 상기제 1 용매에의하여상기제 1 이종(di) 블록공중합체의구성중합체블록이팽창하며, 이로써구성중합체블록에의하여정의되는육각판상구조가형성되는것을특징으로하는, 블록공중합체패터닝방법이제공된다.
Abstract translation: 提供嵌段共聚物图案化方法，其包括以下步骤：将第一二嵌段共聚物和第二二嵌段共聚物混合，然后将混合物铺展在基材上; 并用与第一溶剂和第二溶剂混合的混合溶剂对第一和第二二嵌段共聚物的混合物进行溶剂退火。 第一二嵌段共聚物的构成聚合物嵌段由第一溶剂膨胀，形成由构成聚合物嵌段描述的六角形板状结构。
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5.发明公开
公开(公告)号：KR1020160031385A
公开(公告)日：2016-03-22
申请号：KR1020150018178
申请日：2015-02-05
Applicant: 한국과학기술원 , 재단법인 하이브리드 인터페이스기반 미래소재 연구단
IPC: H01L27/115 , C09J153/00 , H01L21/033
CPC classification number: H01L27/11507 , C09J153/005 , H01L21/0332
Abstract: 혼합블록공중합체를이용한상변화메모리소자제조방법로서, 기판상에하부전극-발열층-상변화층을순차적으로적층하는단계; 실린더중심에점이형성된블록공중합체주형을, 상기상변화층상에형성하는단계; 상기홀과점 사이의영역에의하여정의되는상부전극링을제조하는단계; 상기상부전극링이형성된영역을제외한영역에서상기하부전극-발열층-상변화층을에칭하는단계를포함하는것을특징으로하는, 혼합블록공중합체를이용한상변화메모리소자제조방법이제공된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种使用混合嵌段共聚物制造相变随机存取存储器的方法，包括以下步骤：在基板上依次层叠下电极，发热层和相变层; 形成在相变层上的圆筒的中心具有点的嵌段共聚物模具; 制造由孔和斑点之间的区域限定的上电极环; 并且在除了形成上电极环的区域之外的区域中蚀刻下电极，发热层和相变层。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR101381997B1
公开(公告)日：2014-04-04
申请号：KR1020120093023
申请日：2012-08-24
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 단극성 저항변화 메모리 소자로서, 하부전극; 상기 하부전극 상의 산화물층; 및 상기 산화물층 상의 상부전극을 포함하며, 하부전극 또는 상부전극과 상기 산화물층 사이의 계면에는 절연 나노구조가 적어도 하나 이상 형성된 것을 특징으로 하는 단극성 저항변화 메모리 소자가 제공된다.
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公开(公告)号：KR101554067B1
公开(公告)日：2015-09-17
申请号：KR1020130091401
申请日：2013-08-01
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C08J3/00 , C08F293/00 , C08F299/08 , C08J7/00
CPC classification number: G03F7/0002
Abstract: 블록공중합체자기조립을위한어닐링방법으로, 팽창용매및 비팽창용매가혼합된혼합용매에블록공중합체를침지시키는단계를포함하는것을특징으로하는블록공중합체자기조립을위한어닐링방법이제공된다.
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