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公开(公告)号：WO2010033005A2
公开(公告)日：2010-03-25
申请号：PCT/KR2009/005388
申请日：2009-09-22
IPC: B82B3/00
CPC classification number: B22F1/0055 , B22F1/0044 , B22F9/02 , B22F9/30 , B22F2001/0037 , C30B25/00 , C30B29/02 , C30B29/60 , Y10T117/10 , Y10T117/1016 , Y10T117/102 , Y10T428/24413
Abstract: 본 발명은 금속, 할로겐화금속, 또는 이들의 혼합물을 선구물질로 이용한 금속 나노플레이트(metal nano-plate)의 제조방법으로, 상세하게는 반응로의 전단부에 위치시킨 금속, 할로겐화금속, 또는 이들의 혼합물을 포함하는 선구물질과 반응로의 후단부에 위치시킨 단결정 기판을 불활성 기체가 흐르는 분위기에서 열처리하여 상기 단결정 기판상에 단결정체의 금속 나노플레이트(nano-plate)가 형성되는 특징이 있다. 본 발명의 제조방법은 촉매를 사용하지 않는 기상이송법을 이용하여 수 마이크로미터 크기의 금속 나노플레이트를 제조할 수 있으며, 그 공정이 간단하고 재현성있으며, 제조된 나노플레이트가 결함 및 불순물을 포함하지 않는 고 결정성 및 고순도 단결정 상태의 귀금속 나노플레이트인 장점을 가지며, 단결정 기판의 표면 방향을 제어하여 금속 나노플레이트의 형상 및 단결정 기판과의 배향성을 제어할 수 있는 장점을 가지며, 수 마이크로미터 크기의 금속 나노플레이트를 대량생산할 수 있는 장점이 있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用金属，金属卤化物或其混合物作为前体来制造金属纳米板的方法， 金属，金属卤化物，或在位于一个前体材料的后端部的惰性气体气流的气氛中的单晶衬底上的单晶衬底进行热处理的单晶的金属纳米盘（纳米板）以及它们的反应混合物 正在形成。 本发明的制造方法可以为微米尺寸的金属纳米板可以通过使用不使用催化剂的气相转移法来制备，并且该过程是简单和可再现的，在制造纳米板不包括缺陷和杂质。 该高结晶度，并具有高纯度的单晶态的贵金属优点纳米板，具有的优点是通过控制单晶衬底的表面取向，以控制的形状和金属纳米板的单晶基板的取向，微米数量 它具有大量生产金属纳米板的优点。
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公开(公告)号：KR101126086B1
公开(公告)日：2012-03-29
申请号：KR1020090089527
申请日：2009-09-22
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: B22F1/0055 , B22F1/0044 , B22F9/02 , B22F9/30 , B22F2001/0037 , C30B25/00 , C30B29/02 , C30B29/60 , Y10T117/10 , Y10T117/1016 , Y10T117/102 , Y10T428/24413
Abstract: 본 발명은 금속, 할로겐화금속, 또는 이들의 혼합물을 선구물질로 이용한 금속 나노플레이트(metal nano-plate)의 제조방법으로, 상세하게는 반응로의 전단부에 위치시킨 금속, 할로겐화금속, 또는 이들의 혼합물을 포함하는 선구물질과 반응로의 후단부에 위치시킨 단결정 기판을 불활성 기체가 흐르는 분위기에서 열처리하여 상기 단결정 기판 상에 단결정체의 금속 나노플레이트(nano-plate)가 형성되는 특징이 있다.
본 발명의 제조방법은 촉매를 사용하지 않는 기상이송법을 이용하여 수 마이크로미터 크기의 금속 나노플레이트를 제조할 수 있으며, 그 공정이 간단하고 재현성있으며, 제조된 나노플레이트가 결함 및 불순물을 포함하지 않는 고 결정성 및 고순도 단결정 상태의 귀금속 나노플레이트인 장점을 가지며, 단결정 기판의 표면 방향을 제어하여 금속 나노플레이트의 형상 및 단결정 기판과의 배향성을 제어할 수 있는 장점을 가지며, 수 마이크로미터 크기의 금속 나노플레이트를 대량생산할 수 있는 장점이 있다.
나노플레이트, 귀금속, 금속, 기상이송법, 기상합성법, 무촉매-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100033950A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：KR1020090089527
申请日：2009-09-22
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: B22F1/0055 , B22F1/0044 , B22F9/02 , B22F9/30 , B22F2001/0037 , C30B25/00 , C30B29/02 , C30B29/60 , Y10T117/10 , Y10T117/1016 , Y10T117/102 , Y10T428/24413
Abstract: PURPOSE: A metal firm crystallization nanoplate and a manufacturing method thereof are provided to manufacture a transition metal binary alloy nanoplate, a noble metal nanoplate, a noble metal binary alloy nanoplate, and a transition metal nanoplate using a vapor phase transport process without using a catalyst. CONSTITUTION: A manufacturing method of a metal firm crystallization nanoplate comprises the following steps: heat-processing a precursor including a metal material, metal halide or their compound at the front-end of a furnace, and a mono crystal substrate positioned at the back-end of the furnace under the flow of inert gas; and forming a single crystalline metal nano plate on the mono crystal substrate. The single crystalline metal nano plate is in a form of a sheet with various angles.
Abstract translation: 目的：提供金属公司的结晶纳米板及其制造方法，以制造过渡金属二元合金纳米板，贵金属纳米板，贵金属二元合金纳米板和使用不使用催化剂的气相输送方法的过渡金属纳米板 。 构成：金属结晶纳米板的制造方法包括以下步骤：在炉前部对包含金属材料，金属卤化物或其化合物的前体进行加热处理，以及位于后端的单晶基板， 炉底在惰性气体流下; 并在单晶衬底上形成单晶金属纳米板。 单晶金属纳米板是具有各种角度的片材的形式。
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公开(公告)号：KR1020090005972A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：KR1020080063424
申请日：2008-07-01
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: A manufacturing method of binary alloy nanostructure is provided to have a simple process and reproducibility and to mass-produce a binary alloy nanowire or a nano belt of a uniform-size which is not cohered on a mono crystal substrate. A manufacturing method of binary alloy nanostructure comprises steps of: using two materials selected from a first material to a third material, a mixture of the two materials selected from the first material to the third material or a third material as precursor; heat-treating a mono crystal substrate of a semiconductor or a non-conductor positioned at a back-end of a furnace and the precursor positioned at a front-end of the furnace at a state that inert gas flows; forming a binary alloy monocrystal nanowire or a nano belt on the mono crystal substrate. The first material includes metal oxide, metal material or metal halide of one metal comprising binary alloy of the binary alloy nanostructure which is a binary alloy nanowire or a binary alloy nano belt. The second material includes metal oxide, metal material or metal halide of the other metal comprising the binary alloy. The third material includes the binary alloy material of the binary alloy.
Abstract translation: 提供二元合金纳米结构的制造方法具有简单的工艺和再现性，并且批量生产未结合在单晶衬底上的均匀尺寸的二元合金纳米线或纳米带。 二元合金纳米结构的制造方法包括以下步骤：使用选自第一材料至第三材料的两种材料，选自第一材料至第三材料的两种材料或第三材料作为前体的混合物; 在惰性气体流动的状态下，对位于炉后端的半导体或非导体的单晶衬底进行热处理，所述前体位于炉的前端; 在单晶衬底上形成二元合金单晶纳米线或纳米带。 第一种材料包括金属氧化物，金属材料或一种金属的金属卤化物，其包括二元合金纳米结构二元合金纳米线或二元合金纳米带的二元合金。 第二种材料包括金属氧化物，金属材料或包含二元合金的其它金属的金属卤化物。 第三种材料包括二元合金的二元合金材料。
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公开(公告)号：KR1020090004456A
公开(公告)日：2009-01-12
申请号：KR1020080036360
申请日：2008-04-18
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: C30B19/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01G7/00 , C01G55/00 , C01P2004/16 , C30B19/08 , C30B19/12 , C30B29/02 , C30B29/60
Abstract: A noble metal monocrystal nanowire having direction property is provided to manufacture noble metal nanowire using a vapor phase transport process, to have a simple process and reproducibility and to be mass-produced. A noble metal monocrystal nanowire is manufactured is manufactured in a noncatalytic condition by using a precursor including noble metal oxide, precious metal material or halogenation noble metal, and has a direction property with a mono crystal substrate surface of semiconductor or the non-conductor. The direction property is perpendicularity or horizontal directionality. The noble metal oxide is selected from gold oxide or the palladium oxide. The precious metal material is selected from gold or palladium. The halogenation noble metal is selected from halogenation gold or halogenation palladium.
Abstract translation: 提供具有方向特性的贵金属单晶纳米线，以制造使用气相输送工艺的贵金属纳米线，具有简单的工艺和再现性并且可大批量生产。 通过使用包含贵金属氧化物，贵金属材料或卤化贵金属的前体，在非催化条件下制造贵金属单晶纳米线，并且具有与半导体的单晶衬底表面或非导体的方向性质。 方向属性是垂直度或水平方向性。 贵金属氧化物选自氧化金属或氧化钯。 贵金属材料选自金或钯。 卤化贵金属选自卤化金或卤化钯。
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公开(公告)号：KR100974606B1
公开(公告)日：2010-08-06
申请号：KR1020080063424
申请日：2008-07-01
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은 이원합금을 구성하는 금속원소들의 금속산화물, 금속물질 또는 할로겐화금속, 또는 이원합금물질을 선구물질로 기상합성 방법을 이용한 이원합금 나노구조체의 제조방법 및 이원합금 나노구조체를 제공하며, 상세하게는 반응로의 전단부에 위치시킨 선구물질과 반응로의 후단부에 위치시킨 기판을 불활성 기체가 흐르는 분위기에서 열처리하여 상기 기판 상에 이원합금 단결정 나노와이어 또는 나노벨트를 형성시키는 제조 방법 및 본 발명의 제조 방법에 의해 제조된 이원합금 나노와이어 또는 나노벨트를 제공한다.
본 발명의 제조방법은 촉매를 사용하지 않는 기상이송법을 이용하여 이원합금 나노구조체를 제조할 수 있어 그 공정이 간단하고 재현성이 있으며, 제조된 나노와이어 또는 나노벨트가 결함을 포함하지 않는 완벽한 단결정 상태의 고품질 이원합금 나노구조체인 장점을 가지며, 단결정 기판 상에 응집되어 있지 않은 균일한 크기의 이원합금 나노구조체를 대량생산할 수 있는 장점이 있다.
이원합금(binary alloy), 나노와이어(nanowire), 나노벨트(nanobelt), 기상합성법, Ag, Au, Pd, Te, Co, Bi, 무촉매-
公开(公告)号：KR100952615B1
公开(公告)日：2010-04-15
申请号：KR1020080036360
申请日：2008-04-18
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은 귀금속산화물 또는 귀금속물질을 선구물질로 이용하여 단결정 기판 표면과 방향성을 갖는 귀금속 나노와이어 및 그 제조방법을 제공하며, 상세하게는 반응로의 전단부에 위치시킨 선구물질과 반응로의 후단부에 위치시킨 반도체 또는 부도체 단결정 기판을 불활성 기체가 흐르는 분위기에서 열처리하여 상기 단결정 기판의 표면에 수직 또는 수평으로 성장한 귀금속 단결정 나노와이어 및 그 제조 방법을 제공한다.
본 발명은 촉매를 사용하지 않으며, 기상이송법을 이용하여 귀금속 나노와이어를 제조할 수 있어 그 공정이 간단하고 재현성이 있으며 대량생산 가능한 장점이 있고, 제조된 나노와이어가 결함 및 불순물을 포함하지 않는 완벽한 단결정 상태의 고순도 고품질 귀금속 나노와이어인 장점을 가지며, 귀금속 나노와이어가 단결정 기판 표면과 방향성을 가지며, 그 방향성 및 배열이 제어 가능한 장점이 있다.
귀금속 산화물, 기상이송법, 귀금속 나노와이어, 방향성, Au, Pd
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