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公开(公告)号：WO2017086490A1
公开(公告)日：2017-05-26
申请号：PCT/KR2015/012274
申请日：2015-11-16
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01Q3/30 , G02B6/00 , G02B6/1223 , H01Q21/0068 , H01Q21/061 , H01Q21/08
Abstract: 일 실시예에 따르면, 광 위상 배열 안테나를 구성하는 소자는 저 굴절률 유전체 기판; 상기 저 굴절률 유전체 기판의 상부에 형성된 나노 박막 구조; 및 상기 저 굴절률 유전체 기판의 상부에 형성되고, 상기 나노 박막 구조의 내부에 단일 모드(single mode)로 동작하는 고 굴절률 반도체 도파로를 포함하고, 위상 변조된 광파를 자유 공간으로 발산하는 안테나가 소형화되어 위상 배열된 안테나 배열의 방사 빔을 집중하고 스캐닝 범위를 확장시킬 수 있다.
Abstract translation: 根据一个实施例，构成相控阵天线的元件包括低折射率电介质基板; 形成在低折射率电介质基底上的纳米膜结构; 并且在纳米薄膜结构中以单模工作在低折射率电介质基底上形成的高折射率半导体波导和用于将相位调制光波发散成自由空间的天线被小型化 可以集中相控阵列天线阵列的辐射束并延长扫描范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102253244B1
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：KR1020190152999
申请日：2019-11-26
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G01S17/894 , H01Q3/26 , G01S7/481
Abstract: 본발명은송수신기능이통합된광위상배열(Optical Phased Array; OPA) 기술에기반하여 3차원영상을획득하는라이다(Light Detection And Ranging; LiDAR) 센서를구성하는소자시스템에관한것으로, 기판상 혹은칩 상에구현되어레이저의송신광신호를송출하는광원, 상기송신광신호에의해광학안테나로부터수신되는수신광신호와송신광신호일부의기준광신호를추출하여혼합하는방향성결합기, 상기방향성결합기로부터공급된혼합광신호를전기신호로변환하고, 중간주파수정보를출력하는광검출기, 상기광원또는상기광학안테나로부터수신되는상기동위상광모드를보강간섭조건에서 N 채널규모로분기및 결합하는광분배기, 송신동작또는수신동작에따라상기광모드에순차적인위상차를인가하거나, 상기광모드들의위상을위상화하는위상제어기및 상기위상제어기를통해각 채널의상기광모드를위상차조건에따라처리하는광학안테나배열을포함한다.
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公开(公告)号：KR101718240B1
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：KR1020150160130
申请日：2015-11-16
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01Q3/26 , G02B6/42 , H04B10/2575 , H01Q1/38
Abstract: 일실시예에따르면, 광위상배열안테나를구성하는소자는저 굴절률유전체기판; 상기저 굴절률유전체기판의상부에형성된나노박막구조; 및상기저 굴절률유전체기판의상부에형성되고, 상기나노박막구조의내부에단일모드(single mode)로동작하는고 굴절률반도체도파로를포함하고, 위상변조된광파를자유공간으로발산하는안테나가소형화되어위상배열된안테나배열의방사빔을집중하고스캐닝범위를확장시킬수 있다.
Abstract translation: 根据一个实施例，构成相控阵天线的元件包括低折射率电介质基板; 形成在低折射率电介质基底上的纳米膜结构; 并且在纳米过滤结构内形成在低折射率电介质基板上且以单模工作的高折射率半导体波导，其中用于将相位调制光波发散到自由空间中的天线被小型化 集中相控阵列天线阵列的辐射束并延长扫描范围。
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公开(公告)号：KR101615826B1
公开(公告)日：2016-04-28
申请号：KR1020140170548
申请日：2014-12-02
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/14 , H01L27/12 , H01L27/098
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/098 , Y10S977/752
Abstract: 광검출기는 SOI(Silicon-On-Insulator) 기판; 상기 SOI 기판의표면이식각되어형성되는실리콘도파로(waveguide); 상기실리콘도파로중 적어도일부영역에생성되어, 접합중앙에형성된공핍영역을포함하는 PN 접합; 및상기 PN 접합과연결되는전극을포함하고, 상기 PN 접합은상기전극에서인가하는역전압에응답하여상기공핍영역에서발생되는전기장에의해, 상기실리콘도파로중 적어도일부영역에진행되는광자를흡수한다.
Abstract translation: 光电探测器包括：绝缘体上硅（SOI）衬底; 通过蚀刻SOI衬底的表面形成的硅波导; 形成在所述硅波导的区域的至少一部分中的PN结，以包括形成在结的中心的耗尽区; 以及耦合到PN结的电极。 PN结响应于由电极施加的反向电压，通过在耗尽区中产生的电场吸收在硅波导的区域的至少一部分中的光子。 本发明提供能够降低制造复杂性和成本的光电检测器。
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公开(公告)号：KR101554430B1
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：KR1020140084931
申请日：2014-07-08
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/263 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L21/263 , H01L21/28525 , H01L21/32055
Abstract: 전기적으로 구동되는 반도체 기반의 적외선 열 복사 장치가 개시된다. 적외선 열 복사 장치는, 기판, 기판 위에 형성되는 제1 유전체막, 제1 유전체막 위에 형성되는 반도체막, 및 반도체막 위에 형성되는 제2 유전체막을 포함할 수 있다.
Abstract translation: 公开了一种基于半导体的电驱动红外热辐射器。 红外热辐射体包括基板，形成在基板上的第一电介质层，形成在第一电介质层上的半导体层和形成在半导体层上的第二电介质层。
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