公开(公告)号：KR102139729B1

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：KR1020180010936

申请日：2018-01-29

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 황성주 ,  윤재홍 ,  이정태 ,  양은호

IPC: G06N3/08 ,  G06N3/04

公开(公告)号：KR1020140128637A

公开(公告)日：2014-11-06

申请号：KR1020130047282

申请日：2013-04-29

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 조규성 ,  배준형 ,  이정태

IPC: H04N5/374 ,  H04N5/355

CPC classification number: H04N5/3559 ,  H04N5/3741

Abstract: 본 발명은 CMOS 픽셀 구조 및 이를 2차원 배열로 구성한 CMOS 영상 센서에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 감도가 높고 선형 동작 범위가 넓은 능동 픽셀로 구성되는 CMOS 영상 센서에 관한 것이다. 2차원 배열로 구성되는 단위 픽셀을 포함하는 고감도 CMOS 영상 센서 구조에 있어서, 단위 픽셀은, 입력 광에 대응하여 전하를 생성하는 포토 다이오드; 생성된 전하를 전압으로 바꾸는 전하증폭 트랜지스터와 피드백 커패시터; 전하증폭 트랜지스터와 피드백 커패시터를 리셋시키기 위한 리셋 트랜지스터; 및 단위 픽셀을 선택하기 위한 낮을 문턱 전압을 가지는 셀렉트 트랜지스터를 포함하는 고감도 CMOS 영상 센서 구조가 제공될 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及CMOS像素结构和具有以二维阵列排列的CMOS像素的CMOS图像传感器，更具体地，涉及由具有高灵敏度和宽线性操作范围的有源像素组成的CMOS图像传感器。 对于包括由二维阵列组成的单位像素的高灵敏度CMOS图像传感器结构，单位像素包括：用于响应于输入光产生电荷的光电二极管; 电荷放大晶体管和用于将产生的电荷变为电压的反馈电容器; 用于复位电荷放大晶体管和反馈电容器的复位晶体管; 以及具有用于选择单位像素的低阈值电压的选择晶体管。

公开(公告)号：KR1020140128636A

公开(公告)日：2014-11-06

申请号：KR1020130047281

申请日：2013-04-29

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 조규성 ,  배준형 ,  이정태

IPC: H04N5/374

CPC classification number: H04N5/3559 ,  H04N5/3741

Abstract: 본 발명의 일실시예는 픽셀 구조 및 이를 2차원 배열로 구성한 CMOS 영상 센서에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 감도가 높고, 선형 동작 범위가 넓으며, 포토 다이오드의 리셋 전압을 조절할 수 있는 능동 픽셀로 구성되는 CMOS 영상 센서에 관한 것이다. 2차원 배열로 구성되는 단위 픽셀을 포함하는 고감도 CMOS 영상 센서 구조에 있어서, 단위 픽셀은, 입력 광에 대응하여 전하를 생성하는 포토 다이오드; 생성된 전하를 전압으로 바꾸는 전하증폭 트랜지스터와 피드백 커패시터; 전하증폭 트랜지스터와 피드백 커패시터를 리셋시키기 위한 리셋 트랜지스터; 및 단위 픽셀을 선택하기 위한 낮을 문턱 전압을 가지는 셀렉트 트랜지스터를 포함하는 고감도 CMOS 영상 센서 구조가 제공될 수 있다.

Abstract translation: 本发明的一个实施例涉及一种其2D排列的像素结构和CMOS图像传感器，更具体地说，涉及一种由能够获得高灵敏度的有源像素，扩大线性运算范围和控制的CMOS图像传感器 光电二极管的复位电压。 在包括具有2D布置的单位像素的高灵敏度CMOS图像传感器结构中，单位像素包括通过对应于输入光产生电荷的光电二极管，反馈电容器和电荷放大晶体管，以将所产生的电荷改变为电压， 复位反相电容器和电荷放大晶体管的复位晶体管，以及具有低阈值电压的选择晶体管，用于选择单位像素。