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公开(公告)号：KR101340839B1
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：KR1020120052908
申请日：2012-05-18
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H04N5/374
Abstract: 본 발명은 감도가 높고, 다이나믹 레인지가 넓으며, 포토 다이오드의 리셋 전압을 조절할 수 있는 픽셀로 구성되는 CMOS 영상 센서에 관한 것이다.
CMOS 영상 센서 장치에 있어서, 단위 픽셀의 2차원적 배열로 구성되는 센서 장치로서, 단위 픽셀은 입력 광에 대응하여 전하를 생성하는 포토 다이오드; 생성된 전하를 전압으로 바꿔주는 전하증폭 트랜지스터와 피드백 커패시터; 포토 다이오드와 피드백 커패시터를 리셋하는 리셋 트랜지스터; 포토 다이오드의 리셋 전압을 조절하는 리셋 제어 단자; 및 단위 픽셀을 선택하는 두 개의 셀렉트 트랜지스터를 포함하는 고감도 CMOS 영상 센서 장치가 제공된다.-
2.发明公开엑스선 디지털 이미지 센서 장치, 엑스선 디지털 이미지 장치 및 엑스선 디지털 이미지 센서 제조 방법 有权用于X射线数字图像的传感器装置，用于X射线的数字图像装置，以及X射线数字图像传感器的制造方法
公开(公告)号：KR1020110043043A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：KR1020090099974
申请日：2009-10-20
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/146 , A61B6/12
CPC classification number: H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14658 , H01L27/14676 , H01L27/14685 , H04N5/32
Abstract: PURPOSE: A sensor device for an x-ray digital image, a digital image device for an x-ray, and a manufacturing method of the x-ray digital image sensor are provided to directly receive a light from a scintillator on a corresponding pixel without crosstalk with another pixels, thereby improving an effective signal. CONSTITUTION: In a sensor device for an x-ray digital image, a digital image device for an x-ray, and a manufacturing method of the x-ray digital image sensor, a plurality of image sensors(260) comprises a photo diode having an area less than a predetermined value by reducing a photo diode area ratio per unit pixel area. A plurality of image sensors are corresponded to each pixel on a substrate. A micro lens(210) is bonded in the photo diode of the each image sensor. A scintillator is deposited on the micro lens to be a pixel.
Abstract translation: 目的：提供一种用于x射线数字图像的传感器装置，用于x射线的数字图像装置和x射线数字图像传感器的制造方法，以直接从相应像素上的闪烁体接收光，而无需 与另一个像素串扰，从而改善有效信号。 构成：在用于x射线数字图像的传感器装置，用于x射线的数字图像装置和x射线数字图像传感器的制造方法中，多个图像传感器（260）包括光电二极管，其具有 通过降低每单位像素面积的光电二极管面积比而小于预定值的面积。 多个图像传感器对应于基板上的每个像素。 在每个图像传感器的光电二极管中接合微透镜（210）。 闪烁体沉积在微透镜上成为像素。
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公开(公告)号：KR1020140128637A
公开(公告)日：2014-11-06
申请号：KR1020130047282
申请日：2013-04-29
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H04N5/3559 , H04N5/3741
Abstract: 본 발명은 CMOS 픽셀 구조 및 이를 2차원 배열로 구성한 CMOS 영상 센서에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 감도가 높고 선형 동작 범위가 넓은 능동 픽셀로 구성되는 CMOS 영상 센서에 관한 것이다. 2차원 배열로 구성되는 단위 픽셀을 포함하는 고감도 CMOS 영상 센서 구조에 있어서, 단위 픽셀은, 입력 광에 대응하여 전하를 생성하는 포토 다이오드; 생성된 전하를 전압으로 바꾸는 전하증폭 트랜지스터와 피드백 커패시터; 전하증폭 트랜지스터와 피드백 커패시터를 리셋시키기 위한 리셋 트랜지스터; 및 단위 픽셀을 선택하기 위한 낮을 문턱 전압을 가지는 셀렉트 트랜지스터를 포함하는 고감도 CMOS 영상 센서 구조가 제공될 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及CMOS像素结构和具有以二维阵列排列的CMOS像素的CMOS图像传感器，更具体地，涉及由具有高灵敏度和宽线性操作范围的有源像素组成的CMOS图像传感器。 对于包括由二维阵列组成的单位像素的高灵敏度CMOS图像传感器结构，单位像素包括：用于响应于输入光产生电荷的光电二极管; 电荷放大晶体管和用于将产生的电荷变为电压的反馈电容器; 用于复位电荷放大晶体管和反馈电容器的复位晶体管; 以及具有用于选择单位像素的低阈值电压的选择晶体管。
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公开(公告)号：KR101395102B1
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：KR1020130015633
申请日：2013-02-14
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: The present invention relates to a method of packaging a silicon photomultiplier using a PCB substrate. The method of packaging a silicon photomultiplier using a PCB substrate according to one embodiment of the present invention includes a step of forming at least one array-type silicon photomultiplier on a PCB substrate; a step of attaching a dam PCB to the edge of the PCB substrate and a step of forming a passivation layer in the upper part of the array-type silicon photomultiplier; and a step of cutting the edge region of the PCB substrate which includes the dam PCB attached to the PCB.
Abstract translation: 本发明涉及使用PCB基板封装硅光电倍增管的方法。 根据本发明的一个实施例的使用PCB基板封装硅光电倍增管的方法包括在PCB基板上形成至少一个阵列型硅光电倍增管的步骤; 将PCB PCB连接到PCB基板的边缘的步骤以及在阵列型硅光电倍增管的上部形成钝化层的步骤; 以及切割PCB基板的边缘区域的步骤，其包括附接到PCB的坝PCB。
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公开(公告)号：KR101356049B1
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：KR1020120027123
申请日：2012-03-16
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 상보적 램프신호를 이용하여 Ａ／Ｄ 변환을 수행하는 ＡＤＣ 및 이를 적용한 이미지 센싱 장치가 제공된다. 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센싱 장치는, 아날로그 픽셀값을 출력하는 픽셀, 픽셀에서 출력되는 아날로그 픽셀값을 샘플신호 앤드 홀드하여 샘플신호를 생성하는 S/H 및 S/H에서 생성된 샘플신호를 다수의 램프신호들과 비교하여 디지털화하는 ADC를 포함한다. 이에 의해, A/D 변환 속도를 증가시킬 수 있게 되어, 단위시간당 처리할 수 있는 픽셀값들의 개수 증가를 통해 고화질 영상을 지연 없이 제공하는 기틀을 마련할 수 있게 된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101273884B1
公开(公告)日：2013-06-17
申请号：KR1020120023214
申请日：2012-03-07
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: G11C27/02 , G11C7/16 , H03K17/687 , H03M1/12
Abstract: PURPOSE: An SHA (Sample and Hold Amplifier) for suppressing charge outflow at an internal device is provided to prevent the operation distortion of the SHA by suppressing the charge outflow at a switch which delivers an input signal to a charging device. CONSTITUTION: A switching unit (110) includes a plurality of switches (MN1-7, MP1-3), an inverter (I) and a capacitor (C1). The switching unit delivers an input signal to a charging unit. The charging unit charges the input signal delivered through the switching unit. A charge outflow suppressing unit (130) includes a micro-inductor (ML). The charge outflow suppressing unit suppresses the charge outflow at the switching unit.
Abstract translation: 目的：提供一种用于抑制内部装置的电荷流出的SHA（采样和保持放大器），以通过抑制将输入信号传送到充电装置的开关处的电荷流出来防止SHA的操作失真。 构成：开关单元（110）包括多个开关（MN1-7，MP1-3），反相器（I）和电容器（C1）。 开关单元将输入信号传送到充电单元。 充电单元对通过开关单元传送的输入信号进行充电。 电荷流出抑制单元（130）包括微电感器（ML）。 电荷流出抑制单元抑制开关单元处的电荷流出。
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公开(公告)号：KR1020130128834A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：KR1020120052908
申请日：2012-05-18
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H04N5/374
CPC classification number: H04N5/3559 , H04N5/3741
Abstract: The present invention relates to a CMOS image sensor which has high sensitivity and a wide dynamic range and comprises pixels capable of controlling the reset voltage of a photo diode. Provided is a high sensitivity CMOS image sensor device comprises a two-dimensional array of unit pixels. The unit pixel includes: a photo diode for generating electric charge corresponding to input light; a charge amplification transistor and a feedback capacitor for converting the generated electric charge to voltage; a reset transistor for resetting the photo diode and the feedback capacitor; a reset control terminal for controlling the reset voltage of the photo diode; and two select transistors for selecting a unit pixel.
Abstract translation: 本发明涉及具有高灵敏度和宽动态范围的CMOS图像传感器，并且包括能够控制光电二极管的复位电压的像素。 提供了一种高灵敏度CMOS图像传感器装置，其包括单位像素的二维阵列。 单位像素包括：用于产生对应于输入光的电荷的光电二极管; 电荷放大晶体管和用于将产生的电荷转换成电压的反馈电容器; 用于复位光电二极管和反馈电容器的复位晶体管; 复位控制端子，用于控制光电二极管的复位电压; 以及用于选择单位像素的两个选择晶体管。
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8.发明授权엑스선 디지털 이미지 센서 장치, 엑스선 디지털 이미지 장치 및 엑스선 디지털 이미지 센서 제조 방법 有权用于X射线数字图像的传感器装置，用于X射线的数字图像装置，以及X射线数字图像传感器的制造方法
公开(公告)号：KR101078694B1
公开(公告)日：2011-11-01
申请号：KR1020090099974
申请日：2009-10-20
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/146 , A61B6/12
Abstract: 엑스선디지털이미지센서장치, 엑스선디지털이미지장치및 엑스선디지털이미지센서제조방법이개시된다. 본발명은기판; 픽셀단위면적당포토다이오드면적비율을감소시켜소정의값 이하의면적을가지는포토다이오드를포함하고, 상기기판위의각각의픽셀에대응하는복수의이미지센서; 상기복수의이미지센서각각의포토다이오드위에접합된마이크로렌즈; 및상기마이크로렌즈위에증착되어픽셀화된섬광체를포함하는, 엑스선디지털이미지센서장치를제공한다. 본발명의실시예들에의하면, 엑스선이미지센서의구조를개선함으로써, 이미지센서의각 픽셀위에서섬광된빛을다른픽셀로크로스토킹되지않고해당픽셀에서바로수광하여전기적신호로변환된유효신호를향상시킬수 있고, 엑스선촬영에요구되는환자의피폭량의감소시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR101451250B1
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：KR1020130007428
申请日：2013-01-23
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/09
Abstract: 본 발명은 스트립형 PN 접합구조를 갖는 실리콘 광전자증배관 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 실리콘 광전자증배관을 구성하는 각 마이크로셀의 PN 접합(PN junction)층을 형성함에 있어서, 통상의 CMOS 공정을 이용하여 p- 에피택셜층 상에 n+층을 형성하되, 상기 n+층을 p- 에피택셜층 상부에 띠 형태의 스트립(strip) 구조로 형성하여, 섬광체로부터 입사되는 가시광에 의해 p- 에피택셜층에서 발생한 전자가 스트립 구조로 형성된 n+층으로 집속되도록 구성함으로써, 정공보다 상대적으로 아발란치(전자사태, avalanche) 효율이 우수한 전자에 의한 아발란치 브레이크다운(Avalanche Breakdown)을 유도하여, 입사되는 광의 검출 효율을 높일 수 있는 스트립형 PN 접합구조를 갖는 실리콘 광전자증배관 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
이를 위하여 본 발명은, 다수개의 마이크로셀로 이루어지는 실리콘 광전자증배관(SiPM : Silicon Photomultiplier)에 있어서, 상기 실리콘 광전자증배관을 구성하는 다수개의 마이크로셀 각각은, p+ 웨이퍼 기판, 상기 p+ 웨이퍼 기판상에 형성되는 p- 에피택셜층 및 상기 p- 에피택셜층에 도핑되어, 상기 p- 에피택셜층 표면에 띠 형태의 스트립(strip) 구조로 형성되는 n+층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR1020140094859A
公开(公告)日：2014-07-31
申请号：KR1020130007428
申请日：2013-01-23
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/09
Abstract: The present invention relates to a silicon photomultiplier with a strip-type P-N junction structure and a manufacturing method thereof and, more specifically, to a silicon photomultiplier with a strip-type P-N junction structure, and a manufacturing method thereof which forms an n+ layer on a p- epitaxial layer using an ordinary CMOS process, but forms the n+ layer as a strip structure in a band shape on the top of the p- epitaxial layer when a P-N junction layer of each microcell forming the silicon photomultiplier is formed. The silicon photomultiplier with the strip-type P-N junction structure makes an electron generated in the p- epitaxial layer by visible light inserted from a scintillator to be concentrated to an n+ layer of the strip structure, induces avalanche breakdown by the electron having excellent avalanche efficiency than a hole, and enhances detection efficiency of incident light. For the purpose mentioned above, the silicon photomultiplier (SiPM) which is formed of a plurality of microcells is provided. Each of the microcells forming the silicon photomultiplier comprises; a p+ wafer substrate; the p- epitaxial layer formed on the p+ wafer substrate; and an n+ layer which is doped on the p- epitaxial layer and is formed on the surface of the p- epitaxial layer as a strip structure in a band shape.
Abstract translation: 本发明涉及具有带状PN结结构的硅光电倍增管及其制造方法，更具体地说，涉及具有带状PN结结构的硅光电倍增管及其形成n +层的制造方法 使用普通CMOS工艺的p-外延层，但是当形成硅光电倍增管的每个微小电极的PN结层形成时，在p-外延层的顶部上形成带状结构的n +层作为带状结构。 具有带状PN结结构的硅光电倍增管通过从闪烁器插入的可见光在p-外延层中产生电子，以将其集中到带状结构的n +层，由具有优异雪崩效率的电子引起雪崩击穿 比洞，提高入射光的检测效率。 为了上述目的，提供了由多个微单元形成的硅光电倍增管（SiPM）。 形成硅光电倍增管的每个微电池包括： p +晶片衬底; 形成在p +晶片衬底上的p-外延层; 以及n +层，其被掺杂在p外延层上并且形成在p外延层的表面上，作为带状结构。
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