-
公开(公告)号：KR101909819B1
公开(公告)日：2018-10-18
申请号：KR1020170058207
申请日：2017-05-10
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H04N5/3597 , H01L27/14612 , H04N5/369
Abstract: 클리어트랜지스터를사용하는능동픽셀센서및 이미지획득방법이개시된다. 일실시예에따른능동픽셀센서는초기화된제1 신호와, 빛에의해변환된제2 신호를출력하는수광장치와, 상기초기화된제1 신호를샘플링하고, 샘플링된제1 신호를전하로서저장하기위한제1 샘플링커패시터의여분전하를제거하는제1 샘플링회로와, 상기빛에의해변환된제2 신호를샘플링하고, 샘플링된제2 신호를전하로서저장하기위한제2 샘플링커패시터의여분전하를제거하는제2 샘플링회로를포함한다.
-
公开(公告)号：KR101762430B1
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：KR1020150184026
申请日：2015-12-22
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/107 , H01L31/109 , H01L31/0216
Abstract: 광검출효율을향상시킬수 있는실리콘광전자증배센서가제공된다. 본발명의일 실시예에따른실리콘광전자증배센서는 p층위에 n웰이형성되는복수개의가이거모드아발란치포토다이오드(Geiger mode avalanche photodiode; GAPD) 구조체; 및상기가이거모드아발란치포토다이오드구조체상의 IC 기판;을구비하는실리콘광전자증배센서이며, 센싱하고자하는광은상기 p층에서상기 IC 기판방향으로조사되는광을포함하는이면조사형실리콘광전자증배센서이다.
Abstract translation: 提供了一种能够提高光检测效率的硅光电子倍增传感器。 根据本发明的实施例的硅光伏倍增传感器包括：其中在p层上形成n阱的多个盖革模式雪崩光电二极管（GAPD）结构; 以及盖革模式雪崩光电二极管结构上的IC基板，其中待感测的光是包括从p层向IC基板发射的光的背照式硅光伏放大传感器， 一。
-
-
公开(公告)号：KR1020170074579A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：KR1020150184020
申请日：2015-12-22
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/107 , H01L31/0216 , G01J1/04 , G01J1/44
Abstract: 크로스톡현상을방지할수 있는실리콘광전자증배센서가제공된다. 본발명의일 실시예에따른실리콘광전자증배센서는복수개의가이거모드아발란치포토다이오드(Geiger mode avalanche photodiode; GAPD) 구조체; 상기가이거모드아발란치포토다이오드구조체상의 IC 기판; 및하나의가이거모드아발란치포토다이오드구조체에서발생하는 2차광자가인접한가이거모드아발란치포토다이오드구조체로이동하는것을차단하도록, 상기복수개의가이거모드아발란치포토다이오드구조체각각과상기 IC 기판사이에개재되는차단막;을포함한다.
Abstract translation: 提供了可以防止串扰现象的硅光电子倍增传感器。 硅光电传感器是多个根据本发明的一个实施例中乘法盖革模式雪崩光电二极管的（盖革模式雪崩光电二极管; GAPD）结构; 盖革模式Avalanche光电二极管结构上的IC基板; 并且在该结构中自盖革模式雪崩啊，所述多个盖革模式的，所产生的盖革模式雪崩光电二极管相邻的次级光阻止的运动作为各和IC基板之间的光电二极管结构的雪崩光电二极管结构 并且在阻挡层之间插入阻挡层。
-
5.发明公开플렉서블 반도체 방사선 검출기의 제조방법, 이를 이용한 플렉서블 반도체 방사선 검출기 및 이를 포함하는 방사선 영상장치 有权使用该柔性半导体辐射探测器的柔性半导体辐射探测器的制造方法以及包括该柔性半导体辐射探测器
公开(公告)号：KR1020170001074A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：KR1020150090508
申请日：2015-06-25
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은 SOI(semiconductor-on-insulator) 기판을준비하는단계; 스티칭(stitching) 공정을이용하여상기 SOI 기판상에복수개의픽셀형이미지센서를형성하는단계; 상기복수개의픽셀형이미지센서상에 PDMS(polydimethylsiloxane)층을형성하고, 선택적식각(dicing-by-trench) 공정을이용하여상기 SOI 기판의적어도일부를제거함으로써스탬프를형성하는단계; 상기스탬프의적어도일면상에유연기판을결합하는단계; 및상기스탬프의일부인상기 PDMS층을제거하고, 상기 PDMS층과대응되는영역에섬광체를형성하는단계;를포함하는, 플렉서블반도체방사선검출기의제조방법, 이를이용하여구현한플렉서블반도체방사선검출기및 이를포함하는방사선영상장치를제공한다.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160074799A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：KR1020140183157
申请日：2014-12-18
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G01T1/20
CPC classification number: G01T1/20 , G01T1/2002 , G01T1/2004
Abstract: 모바일방사선센서의검출특성개선을위한섬광체구조가제시된다. 모바일방사선센서의검출특성개선을위한섬광체구조에있어서, 입사되는방사선을흡수하여광으로변환하는섬광체; 및상기섬광체의후방에구비되어상기섬광체에서변환된광을검출하여전기신호로변환하는광 검출기를포함하고, 상기섬광체는상기광 검출기와의접합면적보다상기방사선을흡수하는면의면적이넓게형성될수 있다.
Abstract translation: 提供了一种用于改善移动辐射传感器的检测特性的闪烁体结构。 根据用于改善移动辐射传感器的检测特性的闪烁体结构，本发明包括：闪烁体，其吸收被转换为光的入射辐射; 以及光检测器，其设置在闪烁器的后侧，以检测从闪烁器转换成的光转换为电信号。 闪烁体可以形成为使得吸收辐射的表面的面积大于与光学检测器的结合面积。
-
公开(公告)号：KR1020160006919A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：KR1020140086586
申请日：2014-07-10
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은이중경로를갖는방사선계수판독회로및 이를이용한방사선계수방법에관한것으로서, 더욱상세하게는컴퓨터단층촬영장치등에사용되는방사선계수판독회로를구성함에있어서, 센서로부터입력되는전기신호를전압신호로변환하여출력하는전치증폭기(pre-amplifier)와, 전치증폭기의출력신호를정형화하여출력하는정형증폭기(shape amplifier)로이루어지는증폭회로를, 각각병렬구조의이중경로로구성하여, 센서를통해입사되는다수의방사선신호를상기두 개의증폭회로를통해교대로처리하도록구성함으로써, 먼저입사된방사선에대한신호처리가미처끝나기전에뒤이어입사되는후속방사선에따라신호값이누적되어포화되는포화(saturation) 현상이나연이어입사되는방사선의신호중첩에의한파일-업(pile-up) 현상의발생을억제하여, 방사선의검출효율을높일수 있는방사선계수판독회로및 이를이용한방사선계수방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及具有双路径的辐射计数读出电路和使用其的辐射计数方法，更具体地，涉及用于计算机断层摄影等的辐射计数读出电路。 放大器电路包括：将由传感器输入的电信号转换为电压信号的前置放大器; 以及对前置放大器的输出信号进行构图并输出的形状放大器，其中前置放大器和形状放大器分别形成为平行结构的双路径。 通过传感器接收的多个辐射信号通过两个放大器电路交替处理。 辐射计数读出电路可以抑制饱和现象，其中信号值根据在预先辐射的辐射上的信号处理完成之前辐射的后续辐射而累积和饱和，或由重叠引起的堆积现象 信号辐射持续辐射。 因此，辐射计数读出电路可以提高辐射的检测效率。
-
公开(公告)号：KR101451250B1
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：KR1020130007428
申请日：2013-01-23
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/09
Abstract: 본 발명은 스트립형 PN 접합구조를 갖는 실리콘 광전자증배관 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 실리콘 광전자증배관을 구성하는 각 마이크로셀의 PN 접합(PN junction)층을 형성함에 있어서, 통상의 CMOS 공정을 이용하여 p- 에피택셜층 상에 n+층을 형성하되, 상기 n+층을 p- 에피택셜층 상부에 띠 형태의 스트립(strip) 구조로 형성하여, 섬광체로부터 입사되는 가시광에 의해 p- 에피택셜층에서 발생한 전자가 스트립 구조로 형성된 n+층으로 집속되도록 구성함으로써, 정공보다 상대적으로 아발란치(전자사태, avalanche) 효율이 우수한 전자에 의한 아발란치 브레이크다운(Avalanche Breakdown)을 유도하여, 입사되는 광의 검출 효율을 높일 수 있는 스트립형 PN 접합구조를 갖는 실리콘 광전자증배관 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
이를 위하여 본 발명은, 다수개의 마이크로셀로 이루어지는 실리콘 광전자증배관(SiPM : Silicon Photomultiplier)에 있어서, 상기 실리콘 광전자증배관을 구성하는 다수개의 마이크로셀 각각은, p+ 웨이퍼 기판, 상기 p+ 웨이퍼 기판상에 형성되는 p- 에피택셜층 및 상기 p- 에피택셜층에 도핑되어, 상기 p- 에피택셜층 표면에 띠 형태의 스트립(strip) 구조로 형성되는 n+층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR1020140094859A
公开(公告)日：2014-07-31
申请号：KR1020130007428
申请日：2013-01-23
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/09
Abstract: The present invention relates to a silicon photomultiplier with a strip-type P-N junction structure and a manufacturing method thereof and, more specifically, to a silicon photomultiplier with a strip-type P-N junction structure, and a manufacturing method thereof which forms an n+ layer on a p- epitaxial layer using an ordinary CMOS process, but forms the n+ layer as a strip structure in a band shape on the top of the p- epitaxial layer when a P-N junction layer of each microcell forming the silicon photomultiplier is formed. The silicon photomultiplier with the strip-type P-N junction structure makes an electron generated in the p- epitaxial layer by visible light inserted from a scintillator to be concentrated to an n+ layer of the strip structure, induces avalanche breakdown by the electron having excellent avalanche efficiency than a hole, and enhances detection efficiency of incident light. For the purpose mentioned above, the silicon photomultiplier (SiPM) which is formed of a plurality of microcells is provided. Each of the microcells forming the silicon photomultiplier comprises; a p+ wafer substrate; the p- epitaxial layer formed on the p+ wafer substrate; and an n+ layer which is doped on the p- epitaxial layer and is formed on the surface of the p- epitaxial layer as a strip structure in a band shape.
Abstract translation: 本发明涉及具有带状PN结结构的硅光电倍增管及其制造方法，更具体地说，涉及具有带状PN结结构的硅光电倍增管及其形成n +层的制造方法 使用普通CMOS工艺的p-外延层，但是当形成硅光电倍增管的每个微小电极的PN结层形成时，在p-外延层的顶部上形成带状结构的n +层作为带状结构。 具有带状PN结结构的硅光电倍增管通过从闪烁器插入的可见光在p-外延层中产生电子，以将其集中到带状结构的n +层，由具有优异雪崩效率的电子引起雪崩击穿 比洞，提高入射光的检测效率。 为了上述目的，提供了由多个微单元形成的硅光电倍增管（SiPM）。 形成硅光电倍增管的每个微电池包括： p +晶片衬底; 形成在p +晶片衬底上的p-外延层; 以及n +层，其被掺杂在p外延层上并且形成在p外延层的表面上，作为带状结构。
-
公开(公告)号：KR101381579B1
公开(公告)日：2014-04-04
申请号：KR1020120127896
申请日：2012-11-13
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G01T1/02
Abstract: Disclosed is a personal electronic dosimeter using multiple single channel analyzers. The personal electronic dosimeter, according to embodiments of the present invention, uses more than two single channel analyzers in order to form an energy window based on the radiation energy level of the radiation source, or form a reference level value greater than two. Through the reference level value, a radiation signal can be recognized, so as for a user to measure radiation of various sources, and calculate a reliable dose. [Reference numerals] (AA) Radiation energy; (BB) Time
Abstract translation: 公开了一种使用多个单通道分析仪的个人电子剂量计。 根据本发明的实施例的个人电子剂量计使用两个以上的单通道分析器，以便基于辐射源的辐射能量水平形成能量窗口，或形成大于2的参考水平值。 通过参考电平值，可以识别辐射信号，以便用户测量各种光源的辐射，并计算可靠的剂量。 （附图标记）（AA）辐射能; （BB）时间
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
72
records
(took 0.028 seconds)
