뇌파 신호 동기화 수준을 이용한 정신분열병 고위험군 진단의 정량화 방법, 장치, 및 컴퓨터로 읽을 수 있는 매체
    1.
    发明公开
    뇌파 신호 동기화 수준을 이용한 정신분열병 고위험군 진단의 정량화 방법, 장치, 및 컴퓨터로 읽을 수 있는 매체 有权
    用于使用脑干同步水平定量开发研究风险的方法和装置以及用于方法的计算机可读媒体记录码

    公开(公告)号:KR1020120082689A

    公开(公告)日:2012-07-24

    申请号:KR1020110004122

    申请日:2011-01-14

    Abstract: PURPOSE: A method for quantifying diagnosis of a high-risk group of schizophrenia using a brainwave synchronization level and an apparatus thereof and a computer-readable media are provided to prevent onset of disease by diagnosing a high-risk group of schizophrenia. CONSTITUTION: A plurality of synchronization values for each pair according to each bandwidth is obtained for each pair of a plurality of a pair of brainwaves. The number of a pair of the brainwaves having a smaller value than a second value is subtracted from the number of a pair of brainwaves having a synchronization value having larger than a first value. The subtraction value is obtained through a subtraction process. The risk of onset of disease of schizophrenia is determined according to the subtraction value.

    Abstract translation: 目的:提供一种使用脑波同步水平及其装置和计算机可读介质定量诊断高危精神分裂症患者的方法,以通过诊断高危组精神分裂症来预防疾病的发病。 构成:针对每对一对脑电波,获得根据每个带宽的每对的多个同步值。 从具有大于第一值的同步值的一对脑电波的数量中减去一对具有比第二值小的脑波的数量。 通过减法处理获得减法值。 根据减法值确定精神分裂症疾病发病的风险。

    뇌파 신호 동기화 수준을 이용한 정신분열병 고위험군 진단의 정량화 방법, 장치, 및 컴퓨터로 읽을 수 있는 매체
    2.
    发明授权
    뇌파 신호 동기화 수준을 이용한 정신분열병 고위험군 진단의 정량화 방법, 장치, 및 컴퓨터로 읽을 수 있는 매체 有权
    使用脑波同步水平量化发展精神分裂症风险的方法和装置,以及该方法的计算机可读介质记录码

    公开(公告)号:KR101249069B1

    公开(公告)日:2013-03-29

    申请号:KR1020110004122

    申请日:2011-01-14

    Abstract: 복수 개의 대역을 포함하는 뇌파신호로부터 발병 위험도를 결정하는 방법으로서, 복수 개의 뇌파신호 쌍의 각 쌍에 대하여, 각 대역별로 각 쌍에 대한 복수 개의 동기화값을 취득하는 단계, 복수 개의 뇌파신호 쌍 중, 복수 개의 동기화값이 모두 제1값보다 큰 값을 갖는 뇌파신호 쌍의 개수로부터 복수 개의 동기화값이 모두 제2값보다 작은 값은 갖는 뇌파신호 쌍의 개수를 차감한 차감값을 취득하는 단계 및 차감값에 따라 정신분열증의 발병 위험도를 결정하는 단계를 포함하는, 발병 위험도 결정방법이 공개된다.

    아크릴 측쇄에 디옥사스피로환기 유도체를 갖는 화합물을 이용한 포토레지스트
    3.
    发明公开
    아크릴 측쇄에 디옥사스피로환기 유도체를 갖는 화합물을 이용한 포토레지스트 失效
    使用具有二氧化硅环的化合物的抗光伏性能衍生成丙烯酰支链

    公开(公告)号:KR1020000012859A

    公开(公告)日:2000-03-06

    申请号:KR1019980031402

    申请日:1998-08-01

    Abstract: PURPOSE: A photoresist using a compound having a dioxaspiro ring radical derivative to an acrylic branched chain is provided, which compounds an acrylic derivative having a dioxaspiro ring radical to a branched chain and uses a photosensitive characteristic of a polymer for polymerizing the compounded acrylic derivative and a copolymer for polymerizing the compounded acrylic with a vinyl acrylic derivative. CONSTITUTION: A photoresist using a compound having a dioxaspiro ring radical derivative to an acrylic branched chain comprises: a single polymer for polymerizing an acrylic derivative compound having a dioxaspiro ring radical to a branched chain or a copolymer to be polymerized with a vinyl acrylic derivative, wherein the single polymer and the copolymer forms a positive pattern and a negative pattern using a sludge salt and the copolymer has protectors, and an exposure in the manufacturing photoresist progress using the single polymer or the copolymer forms a pattern a state which a photo mask is contacted to a coating or is not contacted to the coating. Thereby, the pattern form of a sub micron is improved.

    Abstract translation: 目的:提供使用具有二氧杂环己基衍生物的化合物至丙烯酸支链的光致抗蚀剂,其将具有二氧杂环己基的丙烯酸衍生物与支链化合,并使用聚合物的光敏特性聚合复合丙烯酸衍生物和 用于使复合丙烯酸与乙烯基丙烯酸衍生物聚合的共聚物。 构成:使用具有二氧杂环己基衍生物的化合物与丙烯酸支链的光致抗蚀剂包括:将具有二氧杂环己基的丙烯酸衍生物与支链聚合的单体聚合物或与乙烯基丙烯酸衍生物聚合的共聚物, 其中单一聚合物和共聚物使用污泥盐形成阳性图案和阴性图案,并且共聚物具有保护剂,并且使用单一聚合物或共聚物在制造光致抗蚀剂中曝光形成图案,其中光掩模为 与涂层接触或不与涂层接触。 由此,提高了亚微米的图案形式。

    아크릴 측쇄에 디옥사스피로환기 유도체를 갖는 화합물을 이용한 포토레지스트
    4.
    发明授权
    아크릴 측쇄에 디옥사스피로환기 유도체를 갖는 화합물을 이용한 포토레지스트 失效
    使用在丙烯酸侧链具有二氧杂螺环基衍生物的化合物的光致抗蚀剂

    公开(公告)号:KR100273172B1

    公开(公告)日:2001-03-02

    申请号:KR1019980031402

    申请日:1998-08-01

    Abstract: 본 발명은 디옥사스피로환기를 측쇄에 갖는 아크릴 유도체들을 합성하고 이들을 단독으로 중합시킨 중합체 또는 다른 비닐아크릴 유도체와 중합시킨 공중합체의 감광특성을 이용한 포토레지스트에 관한 것이다.
    종래의 포토레지스트는 광산발생제(photoacid generator)에 의해 탈리된 보호기가 강알카리 수용액에 용해되는 반면 본 발명은 탈리된 보호기를 선택 조절하여 약알카리 수용액이나 순수 수용액만으로도 포지티브 패턴을 형성시킬 수 있고 가공상의 조건을 조절하여 네가티브 패턴도 형성 할 수 있다.
    본 발명에 의하여 디옥사스피로기를 측쇄에 갖는 아크릴 유도체들은 다음과 같은 일반식 (I), (Ⅱ)의 화학구조를 갖는다.

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