公开(公告)号：KR101783403B1

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：KR1020150064589

申请日：2015-05-08

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 최양규 ,  문동일 ,  정의식 ,  허재

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/324

Abstract: 수직적층형나노와이어형성방법및 트랜지스터제조방법이개시된다. 본발명에따른나노와이어형성방법은, 기판에하드마스크를증착하는단계, 상기하드마스크의적어도일부를식각하는단계, 이방성식각을통하여상기기판에나노와이어를패터닝하는단계, 상기기판에보호막을형성하는단계및 등방성식각을통하여상기기판에나노와이어를형성하는단계를포함한다. 이에의하여, 나노와이어의단면크기를용이하게제어할수 있고, 다수의나노와이어가적층된채널구조에서전면게이트전극을형성할수 있으며, 수직적층형나노와이어를포함하는소스와드레인접합이없는트랜지스터를제조할수 있다.

公开(公告)号：KR1020160131677A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：KR1020150064589

申请日：2015-05-08

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 최양규 ,  문동일 ,  정의식 ,  허재

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/324

Abstract: 수직적층형나노와이어형성방법및 트랜지스터제조방법이개시된다. 본발명에따른나노와이어형성방법은, 기판에하드마스크를증착하는단계, 상기하드마스크의적어도일부를식각하는단계, 이방성식각을통하여상기기판에나노와이어를패터닝하는단계, 상기기판에보호막을형성하는단계및 등방성식각을통하여상기기판에나노와이어를형성하는단계를포함한다. 이에의하여, 나노와이어의단면크기를용이하게제어할수 있고, 다수의나노와이어가적층된채널구조에서전면게이트전극을형성할수 있으며, 수직적층형나노와이어를포함하는소스와드레인접합이없는트랜지스터를제조할수 있다.