具有改进的发射区域的平面电子发射器装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN100385543C

    公开(公告)日:2008-04-30

    申请号:CN03101080.6

    申请日:2003-01-09

    Applicant: 惠普公司

    CPC classification number: B82Y10/00 G11B9/10 H01J1/308 H01J1/312

    Abstract: 本发明披露了一种场发射平面电子发射器件(100),其具有发射电极(112),提取电极(120),以及和该发射电极、提取电极电连接的平面发射器电子发射层(214)。该平面电子发射器(214)的构型使得优先于其外部区域的电子发射而偏重其中心区域的电子发射。实现该偏重的一个例子通过这样制造平面发射器电子发射层来实现,使得该平面发射器电子发射层具有沿深度方向比其内部(216b)较厚的外周边(216a),当在发射电极和提取电极之间施加电场时,这减少了在外周边的电子发射。在内部区域比在外周边区域,电场以较高的速率从平面发射器电子发射层的表面朝向提取电极汲取电子。该平面发射器件(100)还包括和该平面电子发射器(216)电连接的聚集电极(124)。

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