公开(公告)号：KR101641654B1

公开(公告)日：2016-07-22

申请号：KR1020150066884

申请日：2015-05-13

Applicant: 한국기계연구원

Inventor： 조병진 ,  함명관 ,  김동호 ,  이규환 ,  박성규 ,  김아라

IPC: H01L33/36

Abstract: 본발명은반도체소자및 그제조방법을제공한다. 본발명의일 측면에따른반도체소자는반도체성 2차원전이금속디칼코지나이드계화합물이증착되어형성되는액티브층, 상기액티브층에전류를인입또는인출시키도록상기액티브층의일면에금속성 2차원전이금속디칼코지나이드계화합물이증착되어형성되는전극층및 상기액티브층및 상기전극층의계면에상기반도체성 2차원전이금속디칼코지나이드계화합물및 상기금속성 2차원전이금속디칼코지나이드계화합물의합금형성되어오믹접합이이루어지는컨택층을포함할수 있다.

Abstract translation: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。 根据本发明的一个方面的半导体器件可以包括通过沉积半导体2D过渡金属二硫属化合物形成的有源层，通过在活性物质的一个表面上沉积金属的二维过渡金属二硫属化物化合物形成的电极层 层，以通过将半导体2D过渡金属二硫化物化合物与金属二过渡金属二硫化物化合物合金化而形成欧姆接触的接触层在有源层和电极层的界面上 。 因此，可以形成欧姆接触。

公开(公告)号：KR1020160130927A

公开(公告)日：2016-11-15

申请号：KR1020150062778

申请日：2015-05-04

Applicant: 한국기계연구원

Inventor： 조병진 ,  함명관 ,  김동호 ,  이규환 ,  박성규 ,  김아라

IPC: G01N27/12

Abstract: 본발명은가스센서및 그제조방법을제공한다. 본발명의일 측면에따른가스센서는기판, 가스와접촉하여전기전도도변화를감지하도록상기기판의일면에반도체성 2차원전이금속디칼코지나이드계화합물이증착되어형성되는가스감지필름및 전류가유입또는유출되도록상기가스감지필름의일면에금속성 2차원전이금속디칼코지나이드계화합물이증착되어형성되는전극을포함할수 있다.

公开(公告)号：KR1020170115175A

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：KR1020160041704

申请日：2016-04-05

Applicant: 한국기계연구원

Inventor： 조병진 ,  함명관 ,  권정대 ,  이규환 ,  김동호 ,  김용훈 ,  김아라

IPC: H01L21/24 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/40 ,  H01L29/772 ,  H01L21/02 ,  C22C27/04 ,  C23C16/455 ,  C23C14/06 ,  C23C16/30

Abstract: 본발명은전이금속디칼코지나이드계합금에관한것이다. 본발명의실시예에따른전이금속디칼코지나이드계합금은반도체성 2차원전이금속디칼코지나이드계화합물(AC)과금속성 2차원전이금속디칼코지나이드계화합물(BC)로형성되고,화학식 ABC를만족하되,상기화학식 ABC에서, 상기 A는 Mo, W 중어느하나가선택될수 있고, 상기 B는 Nb, Ta, Ti, Zr, Hf, Tc, Re, Cu, Ga, In, Sn, Ge, Pb 중어느하나가선택될수 있고, 상기 C는 S, Se, te 중어느하나가선택될수 있으며, 0.04〈 x〈 0.06일수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及过渡金属双壳聚糖型合金。 根据本发明实施方案的过渡金属二钙基合金由半导体二维过渡金属氰化二氰化铝（AC）可充电二维过渡金属氰化二钙（BC）化合物形成，并具有式ABC 在式ABC中，A可以选自Mo和W，B是选自Nb，Ta，Ti，Zr，Hf，Tc，Re，Cu，Ga，In中的至少一种， 可以选择一个，并且C可以选自S，Se，te和0.04

公开(公告)号：KR1020170015645A

公开(公告)日：2017-02-09

申请号：KR1020150107588

申请日：2015-07-29

Applicant: 한국기계연구원

Inventor： 조병진 ,  함명관 ,  김동호 ,  이규환 ,  김아라

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L21/285 ,  H01L29/10 ,  H01L29/43 ,  H01L29/73

Abstract: 본발명은트랜지스터및 그제조방법을제공한다. 본발명의일 측면에따른트랜지스터는백게이트, 상기백게이트의일면에구비된게이트절연층, 상기게이트절연층의일면에반도체성이차원전이금속디칼코지나이드계화합물이증착되어형성되는채널층, 상기채널층의일면에금속성이차원전이금속디칼코지나이드계화합물이증착되어각각형성되는소스-드레인전극및 상기채널층과상기소스-드레인전극의계면에상기반도체성이차원전이금속디칼코지나이드계화합물및 상기금속성이차원전이금속디칼코지나이드계화합물의합금이형성되어오믹접합이이루어지는컨택층을포함한다.

公开(公告)号：KR101734355B1

公开(公告)日：2017-05-15

申请号：KR1020150062778

申请日：2015-05-04

Applicant: 한국기계연구원

Inventor： 조병진 ,  함명관 ,  김동호 ,  이규환 ,  박성규 ,  김아라

IPC: G01N27/12

Abstract: 본발명은가스센서및 그제조방법을제공한다. 본발명의일 측면에따른가스센서는기판, 가스와접촉하면전기전도도가변화되도록상기기판의일면에반도체성 2차원전이금속디칼코지나이드계화합물이증착되어형성되는가스감지필름및 전류가유입또는유출되도록상기가스감지필름의일면에금속성 2차원전이금속디칼코지나이드계화합물이증착되어형성되는전극을포함할수 있다.

Abstract translation: 本发明提供了一种气体传感器及其制造方法。 根据本发明的一个方面，该气体传感器包括：基板，在与气体传导率接触是d 2半导体在基板的一个表面上，使得变化的过渡金属的自由基曲基于砷化物的化合物沉积而形成的气体感应膜和电流流动或 并且通过在气体感应膜的一个表面上沉积金属化的二维过渡金属硫属化合物化合物而形成电极以排出。