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2.发明公开2차원 전이금속 디칼코지나이드계 합금 및 그 제조방법, 2차원 전이금속 디칼코지나이드계 합금을 포함하는 트랜지스터 및 그 제조방법 审中-实审二维过渡金属双壳聚糖基合金及其制备方法，包括二维过渡金属双卡米奇基合金的晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170115175A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：KR1020160041704
申请日：2016-04-05
Applicant: 한국기계연구원
IPC: H01L21/24 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/40 , H01L29/772 , H01L21/02 , C22C27/04 , C23C16/455 , C23C14/06 , C23C16/30
Abstract: 본발명은전이금속디칼코지나이드계합금에관한것이다. 본발명의실시예에따른전이금속디칼코지나이드계합금은반도체성 2차원전이금속디칼코지나이드계화합물(AC)과금속성 2차원전이금속디칼코지나이드계화합물(BC)로형성되고,화학식 ABC를만족하되,상기화학식 ABC에서, 상기 A는 Mo, W 중어느하나가선택될수 있고, 상기 B는 Nb, Ta, Ti, Zr, Hf, Tc, Re, Cu, Ga, In, Sn, Ge, Pb 중어느하나가선택될수 있고, 상기 C는 S, Se, te 중어느하나가선택될수 있으며, 0.04〈 x〈 0.06일수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及过渡金属双壳聚糖型合金。 根据本发明实施方案的过渡金属二钙基合金由半导体二维过渡金属氰化二氰化铝（AC）可充电二维过渡金属氰化二钙（BC）化合物形成，并具有式ABC 在式ABC中，A可以选自Mo和W，B是选自Nb，Ta，Ti，Zr，Hf，Tc，Re，Cu，Ga，In中的至少一种， 可以选择一个，并且C可以选自S，Se，te和0.04
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公开(公告)号：KR1020170012704A
公开(公告)日：2017-02-03
申请号：KR1020150103870
申请日：2015-07-22
Applicant: 한국기계연구원
Abstract: 본발명은구리, 니켈등과같은금속기판없이, 졸-겔(sol-gel)법으로형성된산화금속 3차원다공성구조체, 상기산화금속 3차원다공성구조체상에형성된 3차원나노사이즈다공성그래핀구조체및 이를제조방법에관한것이다. 상기와같은본 발명에따라제조된 3차원나노사이즈다공성그래핀구조체는 3차원전자소자, 에너지저장소자, 가스분리소자, 수처리시스템등 다양한응용분야에서유용하게이용될수 있다.
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公开(公告)号：KR101641654B1
公开(公告)日：2016-07-22
申请号：KR1020150066884
申请日：2015-05-13
Applicant: 한국기계연구원
IPC: H01L33/36
Abstract: 본발명은반도체소자및 그제조방법을제공한다. 본발명의일 측면에따른반도체소자는반도체성 2차원전이금속디칼코지나이드계화합물이증착되어형성되는액티브층, 상기액티브층에전류를인입또는인출시키도록상기액티브층의일면에금속성 2차원전이금속디칼코지나이드계화합물이증착되어형성되는전극층및 상기액티브층및 상기전극층의계면에상기반도체성 2차원전이금속디칼코지나이드계화합물및 상기금속성 2차원전이금속디칼코지나이드계화합물의합금형성되어오믹접합이이루어지는컨택층을포함할수 있다.
Abstract translation: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。 根据本发明的一个方面的半导体器件可以包括通过沉积半导体2D过渡金属二硫属化合物形成的有源层，通过在活性物质的一个表面上沉积金属的二维过渡金属二硫属化物化合物形成的电极层 层，以通过将半导体2D过渡金属二硫化物化合物与金属二过渡金属二硫化物化合物合金化而形成欧姆接触的接触层在有源层和电极层的界面上 。 因此，可以形成欧姆接触。
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公开(公告)号：KR101624597B1
公开(公告)日：2016-05-27
申请号：KR1020130156635
申请日：2013-12-16
Applicant: 한국기계연구원
IPC: C23C16/458
Abstract: 본발명은가공대상물의위치를제어할수 있는가동스테이지구동장치, 증착장비및 상압화학기상증착장비에관한것으로서, 증착장비의챔버내부에설치되고, 플라즈마형성공간을대향하여설치되는가동스테이지; 상기가동스테이지를전후진시키는가동스테이지전후진장치; 및상기챔버에설치되고, 상기가동스테이지전후진장치를승하강시키는가동스테이지승하강장치;를포함하고, 상기가동스테이지전후진장치는, 회전운동을직선운동으로변환할수 있는적어도한 쌍의랙기어와피니언기어를포함하고, 상기가동스테이지승하강장치는, 상기가동스테이지전후진장치와상기가동스테이지승하강장치사이의기밀이유지되도록벨로우즈관을포함할수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170015645A
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：KR1020150107588
申请日：2015-07-29
Applicant: 한국기계연구원
IPC: H01L29/08 , H01L29/417 , H01L29/45 , H01L21/285 , H01L29/10 , H01L29/43 , H01L29/73
Abstract: 본발명은트랜지스터및 그제조방법을제공한다. 본발명의일 측면에따른트랜지스터는백게이트, 상기백게이트의일면에구비된게이트절연층, 상기게이트절연층의일면에반도체성이차원전이금속디칼코지나이드계화합물이증착되어형성되는채널층, 상기채널층의일면에금속성이차원전이금속디칼코지나이드계화합물이증착되어각각형성되는소스-드레인전극및 상기채널층과상기소스-드레인전극의계면에상기반도체성이차원전이금속디칼코지나이드계화합물및 상기금속성이차원전이금속디칼코지나이드계화합물의합금이형성되어오믹접합이이루어지는컨택층을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020150095972A
公开(公告)日：2015-08-24
申请号：KR1020140016196
申请日：2014-02-12
Applicant: 한국기계연구원
IPC: C23C16/44 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/4401
Abstract: 본 발명은 클리닝 가스를 챔버 내부에 골고루 공급할 수 있는 클리닝 가스 순환 장치, 증착 장비 및 상압 화학기상증착 장비에 관한 것으로서, 증착 장비의 챔버의 일부분에 형성된 클리닝 가스 투입구에 설치되고, 클리닝 가스를 챔버 내부로 공급하는 클리닝 가스 공급관; 상기 챔버의 타부분에 형성된 클리닝 가스 배출구에 설치되고, 챔버 내부의 클리닝 가스를 배출하는 클리닝 가스 배출관; 상기 클리닝 가스 공급관과 상기 클리닝 가스 배출관을 연결시키는 클리닝 가스 순환관; 및 상기 클리닝 가스 순환관에 설치되고, 상기 클리닝 가스를 정제하는 클리닝 가스 정제 필터;를 포함하고, 상기 챔버 내부에서 클리닝 가스의 이동 경로가 길어지도록 상기 클리닝 가스 투입구는 상기 챔버의 상부의 제 1 모서리부, 제 2 모서리부, 제 3 모서리부 및 제 4 모서리부 중에서 어느 일 모서리부 근방에 설치되고, 상기 클리닝 가스 배출구는 상기 챔버의 하부의 제 5 모서리부, 제 6 모서리부, 제 7 모서리부 및 제 8 모서리부 중에서 상기 일 모서리부와 3차원 대각선 방향으로 반대편에 위치하는 다른 모서리부에 설치되는 것일 수 있다.
Abstract translation: 清洗气体循环装置，沉积装置和大气压化学气相沉积装置技术领域本发明涉及清洗气体循环装置，沉积装置和大气压化学气相沉积装置 该装置包括：清洁气体供给管，其安装在形成在沉积装置的室的一部分中的清洗气体入口处，并将清洁气体供应到室中; 清洁气体排出管，其安装在形成在所述室的另一部分中的清洗气体出口处，并且将所述清洁气体从所述室排出; 清洁气体循环管，其将清洁气体供给管与清洁气体排出管连接; 以及安装在清洗气体循环管上的净化气体净化过滤器，净化清洗气体。 清洁气体入口安装在室的上部的第一，第二，第三和第四角之间的一个周围，以便延长腔室中的清洁气体的运动路径，并且清洁气体出口安装在拐角 ，放置在3D对角线方向的相对侧，在腔室的下部的第五，第六，第七和第八角中。
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公开(公告)号：KR101734355B1
公开(公告)日：2017-05-15
申请号：KR1020150062778
申请日：2015-05-04
Applicant: 한국기계연구원
IPC: G01N27/12
Abstract: 본발명은가스센서및 그제조방법을제공한다. 본발명의일 측면에따른가스센서는기판, 가스와접촉하면전기전도도가변화되도록상기기판의일면에반도체성 2차원전이금속디칼코지나이드계화합물이증착되어형성되는가스감지필름및 전류가유입또는유출되도록상기가스감지필름의일면에금속성 2차원전이금속디칼코지나이드계화합물이증착되어형성되는전극을포함할수 있다.
Abstract translation: 本发明提供了一种气体传感器及其制造方法。 根据本发明的一个方面，该气体传感器包括：基板，在与气体传导率接触是d 2半导体在基板的一个表面上，使得变化的过渡金属的自由基曲基于砷化物的化合物沉积而形成的气体感应膜和电流流动或 并且通过在气体感应膜的一个表面上沉积金属化的二维过渡金属硫属化合物化合物而形成电极以排出。
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公开(公告)号：KR1020150070499A
公开(公告)日：2015-06-25
申请号：KR1020130156635
申请日：2013-12-16
Applicant: 한국기계연구원
IPC: C23C16/458
CPC classification number: C23C16/458
Abstract: 본발명은가공대상물의위치를제어할수 있는가동스테이지구동장치, 증착장비및 상압화학기상증착장비에관한것으로서, 증착장비의챔버내부에설치되고, 플라즈마형성공간을대향하여설치되는가동스테이지; 상기가동스테이지를전후진시키는가동스테이지전후진장치; 및상기챔버에설치되고, 상기가동스테이지전후진장치를승하강시키는가동스테이지승하강장치;를포함하고, 상기가동스테이지전후진장치는, 회전운동을직선운동으로변환할수 있는적어도한 쌍의랙기어와피니언기어를포함하고, 상기가동스테이지승하강장치는, 상기가동스테이지전후진장치와상기가동스테이지승하강장치사이의기밀이유지되도록벨로우즈관을포함할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及能够控制加工对象的位置的操作台操作装置，沉积设备和大气压化学气相沉积设备。 该装置包括安装在沉积设备的腔室中并面向等离子体形成空间的操作台; 操作台移动装置向前和向后移动操作台; 以及操作台升降装置上下移动操作台。 操作台移动装置包括一对齿条和小齿轮，用于将旋转运动转换为线性运动，并且操作台升降装置包括用于密封操作台移动装置与操作台升降装置之间的间隙的波纹管。
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公开(公告)号：KR101529232B1
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：KR1020130156636
申请日：2013-12-16
Applicant: 한국기계연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/18 , H01L31/0445
Abstract: 본발명은박막태양전지및 그제조방법에관한것으로서, 상기태양전지는기판, 상기기판상에형성된전면전극층, 상기전면전극층상에형성된복수의옥사이드층, 상기옥사이드층상에형성된광 흡수층및 상기광 흡수층상에형성되는후면전극층을구비하고, 상기복수의옥사이드층은다단구조의일함수(work function)를가지도록상기복수의옥사이드층의각각은크기가서로다른일정한일함수를가진다.
Abstract translation: 本发明涉及一种薄膜太阳能电池及其制造方法。 太阳能电池包括：基板; 形成在所述基板上的前侧电极层; 形成在前侧电极层上的多个氧化物层; 形成在氧化物层上的光吸收层; 以及形成在光吸收层上的后侧电极层。 每个氧化物层具有恒定的功函数，其大小相互不同以具有多级结构中的功函数。
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