公开(公告)号：KR1020120009326A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：KR1020100071518

申请日：2010-07-23

Applicant: 한국기계연구원

Inventor： 김재관 ,  정준호 ,  이지혜 ,  최준혁 ,  최대근 ,  김기돈

IPC: B82B3/00 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/205 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/7806

Abstract: PURPOSE: A method for forming three-dimensional graphene patterns is provided to facilitate a three-dimensional graphene pattern forming process by forming thickness stepped parts in an oxide layer. CONSTITUTION: A method for forming three-dimensional graphene patterns includes the following: an oxide layer(120) is stacked on the upper side of a substrate(110); a part of the oxide layer is recessed to form a thickness stepped part; the recessed region(121) of the oxide layer forms the stepped part by coating a metal layer(130) on the outer surface of the oxide layer; and a first graphene film(140) is deposited on the outer surface of the metal layer. The stepped part forming process is based on either a lithography technique or a nano-imprint technique. The graphene depositing process is based on a chemical vapor deposition technique. The first graphene film is further bonded with a second graphene film to form channels after the graphene depositing process.

Abstract translation: 目的：提供一种形成三维石墨烯图案的方法，以通过在氧化物层中形成厚度阶梯部分来促进三维石墨烯图案形成过程。 构成：形成三维石墨烯图案的方法包括以下：氧化物层（120）层叠在基板（110）的上侧; 氧化物层的一部分被凹入以形成厚度阶梯部分; 氧化物层的凹陷区域（121）通过在氧化物层的外表面上涂覆金属层（130）而形成台阶部分; 并且第一石墨烯膜（140）沉积在金属层的外表面上。 阶梯部分形成工艺基于光刻技术或纳米压印技术。 石墨烯沉积工艺基于化学气相沉积技术。 第一石墨烯膜进一步与第二石墨烯膜结合，以在石墨烯沉积工艺之后形成通道。

公开(公告)号：KR101102012B1

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：KR1020100107872

申请日：2010-11-01

Applicant: 한국기계연구원

Inventor： 김재관 ,  박성제 ,  김사라 ,  김기돈 ,  이지혜 ,  최준혁 ,  최대근 ,  서갑양 ,  정준호

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0275 ,  G03F7/2012

Abstract: PURPOSE: A fine structure formation method which uses a partial hardening process is provided to attach a target material by partial hardening a hardening polymer, thereby easily arranging various shapes of fine structures on a wide substrate. CONSTITUTION: A polymer pattern which includes a partial hardening layer is arranged on a first base substrate(S1). The first base substrate is installed in a target substrate in which a target material is coated in order to mutually connect the target material and partial hardening layer(S2). The partial hardening layer is completely hardened in order to attach the target material to the partial hardening layer(S3). The first base substrate is separated from the target substrate(S4).

Abstract translation: 目的：提供使用局部硬化处理的精细结构形成方法，通过部分硬化固化聚合物来附着目标材料，从而容易地在宽的基板上排列各种形状的精细结构。 构成：包括部分硬化层的聚合物图案设置在第一基底（S1）上。 为了使目标材料和部分硬化层（S2）相互连接，将第一基板安装在目标基板中，在其中涂覆目标材料。 为了将目标材料附着到部分硬化层，部分硬化层被完全硬化（S3）。 第一基底与目标基底分离（S4）。

公开(公告)号：KR101332635B1

公开(公告)日：2013-11-25

申请号：KR1020100071510

申请日：2010-07-23

Applicant: 한국기계연구원

Inventor： 김재관 ,  정준호 ,  이지혜 ,  최준혁 ,  최대근 ,  김기돈

IPC: B82B3/00 ,  H01L21/205

Abstract: 본 발명은 그래핀 패턴 형성방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 그래핀 패턴 형성방법은 기판의 상측에 금속층을 적층하는 금속층 적층단계; 상기 금속층은 내부로 함몰되는 함몰영역과 상기 함몰영역보다 외부로 돌출되는 돌출영역을 포함하도록 상기 금속층의 일부를 제거하는 금속층 제거단계; 상기 금속층의 외면에 이산화규소(SiO
2 ) 또는 이산화티타늄(TiO
2 )인 산화층을 도포하는 산화층 도포단계; 상기 돌출영역의 상면에 적층된 산화층을 제거함으로써 상기 돌출영역을 외부에 노출시키는 돌출영역 노출단계; 화학기상증착법(CVD)를 이용하여 그래핀을 상기 돌출영역의 상면에 선택적으로 증착하는 그래핀 증착단계; 상기 남아있는 산화층을 제거하는 산화층 제거단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이에 의하여, 작은 선폭을 가지는 패턴의 그래핀을 대면적에 증착할 수 있는 그래핀 패턴 형성방법이 제공된다.

公开(公告)号：KR101221965B1

公开(公告)日：2013-01-15

申请号：KR1020100071518

申请日：2010-07-23

Applicant: 한국기계연구원

Inventor： 김재관 ,  정준호 ,  이지혜 ,  최준혁 ,  최대근 ,  김기돈

IPC: B82B3/00 ,  H01L21/205

Abstract: 본 발명은 3차원 그래핀 패턴 형성방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 3차원 그래핀 패턴 형성방법은 기판의 상측에 산화층을 적층하는 산화층 적층단계; 상기 산화층의 일부영역이 내부로 함몰되어 두께단차를 형성하도록 하는 단차형성단계; 상기 산화층의 함몰된 영역에 의하여 단차를 형성하도록 상기 산화층의 외면에 금속층을 도포하는 금속층 도포단계; 상기 산화층에 의하여 단차를 형성하도록 상기 금속층의 외면에 제1그래핀막을 증착하는 그래핀 증착단계; 소정의 채널을 형성하도록 상기 제1그래핀막에 평평한 형태의 제2그래핀막을 접합하여 채널을 형성하는 채널형성단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이에 의하여, 3차원 형태의 그래핀 패턴을 대면적의 기판에 용이하게 구현할 수 있는 3차원 그래핀 패턴 형성방법이 제공된다.

公开(公告)号：KR1020120009323A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：KR1020100071510

申请日：2010-07-23

Applicant: 한국기계연구원

Inventor： 김재관 ,  정준호 ,  이지혜 ,  최준혁 ,  최대근 ,  김기돈

IPC: B82B3/00 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/205 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/7806

Abstract: PURPOSE: A method for forming graphene patterns is provided to obtain graphene patterns of small-scaled line widths by implementing a patterning process with respect to an oxide layer. CONSTITUTION: A method for forming graphene patterns includes the following: a metal layer(120) is stacked on the upper side of a substrate(110); an oxide layer(130) is stacked on the upper side of the metal layer; an exposed region(121) is prepared by eliminating a part of the oxide layer; graphene(140) is selectively deposited on the exposed region based on a chemical vapor deposition technique; and remaining oxide layer is eliminated. A method for forming the exposed region includes the following: a photo-sensitive agent is applied on the upper side of the first oxide layer; the photo-sensitive agent is exposed; the photo-sensitive is developed; and a part of the oxide layer is eliminated based on a drying etching technique.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成石墨烯图案的方法，以通过实施关于氧化物层的图案化工艺来获得小规模线宽的石墨烯图案。 构成：用于形成石墨烯图案的方法包括以下：金属层（120）层叠在基板（110）的上侧; 氧化物层（130）层叠在金属层的上侧; 通过去除氧化物层的一部分来制备曝光区域（121）; 基于化学气相沉积技术，石墨烯（140）被选择性地沉积在暴露区域上; 并且消除了剩余的氧化物层。 形成曝光区域的方法包括以下步骤：在第一氧化物层的上侧施加光敏剂; 曝光光敏剂; 开发了光敏感; 并且基于干燥蚀刻技术消除氧化物层的一部分。