Abstract:
본 발명은 나노임프린트를 이용한 금속 산화박막 패턴 형성방법 및 이를 이용한 LED 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 일 구현예에 따른 나노임프린트를 이용한 금속 산화박막 패턴 형성방법은 기판에 감광성 금속-유기물 전구체 용액을 코팅하는 단계; 요철구조가 패턴된 몰드를 준비하는 단계; 상기 패턴된 몰드로 상기 감광성 금속-유기물 전구체 코팅층을 가압하는 단계; 상기 가압된 감광성 금속-유기물 전구체 코팅층을 가열하거나 또는 가열함과 동시에 자외선을 조사하여 경화된 금속 산화박막 패턴을 형성하는 단계; 상기 패턴된 몰드를 상기 금속 산화박막 패턴으로부터 제거하는 단계;를 포함하며, 선택적으로 상기 금속 산화박막 패턴을 소성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 레지스트로 사용하기 위해 자외선 레진을 별도로 도포하는 공정이 생략될 수 있으므로 패턴 형성공정이 간소화되고, 단일 임프린트 공정으로 마이크로/나노 복합패턴을 형성할 수 있는 나노임프린트를 이용한 금속 산화박막 패턴 형성방법이 제공된다.
Abstract:
본 발명의 일 구현예에 따른 나노임프린트를 이용한 금속 산화박막 패턴 형성방법은, 기판에 감광성 금속-유기물 전구체 용액을 코팅하는 단계와, 요철구조를 가지도록 패턴된 몰드로 상기 감광성 금속-유기물 전구체 코팅층을 가압하는 단계와, 상기 가압된 감광성 금속-유기물 전구체 코팅층에 자외선을 조사하여 경화된 금속 산화박막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 패턴된 몰드를 상기 금속 산화박막 패턴으로부터 제거하는 단계를 포함한다.
Abstract:
PURPOSE: A gap filling method of a nanostructure and a manufacturing method of an organic light-emitting device(OLED) using thereof are provided to form an oxide thin film with a flat surface by pressing a gap of the nanostructure with a mold. CONSTITUTION: A gap filling method of a nanostructure comprises the following steps: supplying a substrate with the nanostructure including a gap on the upper side(S1); spreading a coating composition to fill the gap(S2); pressing the layer of the coating composition with a mold(S3); irradiation ultraviolet rays to the coating composition layer(S4); heating the layer to form a metal oxide thin film; and separating the mold from the metal oxide thin film(S5).
Abstract:
PURPOSE: A patterning method of a metal oxide thin film using nano-imprint and manufacturing method of a light emitting diode are provided to reduce a pattern process by removing a process of covering an ultraviolet resin additionally. CONSTITUTION: A photosensitivity metal-organic precursor solution is coated on a substrate(S1). A photosensitivity metal-organic precursor coating layer is pressurized into a patterned mold(S2). Ultraviolet ray is radiated on the pressured metal-organic precursor coating layer to form a hardened metal oxide film pattern(S3). The patterned mold is removed from the metal oxide thin film pattern(S4). A plastic process of processing the metal oxide thin film pattern with a thermal process is performed.
Abstract:
본 발명은 나노임프린트를 이용한 패턴형성방법에 관한 것으로서, 본 발명의 제1실시형태에 의한 나노임프린트를 이용한 패턴 형성방법은, 기판상에, 금속원소에 에너지선 또는 열 중 적어도 하나에 의하여 분해가능한 유기물 리간드가 결합하여 이루어진 금속-유기물 전구체 조성물을 코팅하는 단계; 몰드를 상기 코팅된 금속-유기물 전구체 조성물상에 가압하는 단계; 가열 또는 에너지선 조사 중 적어도 하나의 방법을 이용하여 상기 조성물에 패턴을 임프린팅하여, 상기 기판상에 금속 산화박막 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 금속 산화박막 패턴의 전면을 건식 식각에 의하여 에칭하는 단계를 포함하며, 상기 에칭단계에 의하여 상기 금속 산화박막 패턴 중 오목부(凹部)에 해당하는 부분의 기판이 함께 식각됨으로써, 상기 금속 산화박막 패턴의 두께 방향으로의 단면 형상에 상응하는 요철로 이루어진 패턴이 상기 기판 자체에 형성되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 광 추출 효율이 극대화된 나노 패턴을 형성할 수 있고, 금속 산화물 이외에 정밀하고 미세한 패턴 형성이 요구되는 재질로 패턴을 형성할 수 있으며, 아울러, 나노막대의 정밀한 정렬 및 밀도 조절이 용이하게 수행될 수 있다.
Abstract:
본 발명은 나노임프린트를 이용한 패턴형성방법에 관한 것으로서, 본 발명의 제1실시형태에 의한 나노임프린트를 이용한 패턴 형성방법은, 기판상에, 금속원소에 에너지선 또는 열 중 적어도 하나에 의하여 분해가능한 유기물 리간드가 결합하여 이루어진 금속-유기물 전구체 조성물을 코팅하는 단계; 몰드를 상기 코팅된 금속-유기물 전구체 조성물상에 가압하는 단계; 가열 또는 에너지선 조사 중 적어도 하나의 방법을 이용하여 상기 조성물에 패턴을 임프린팅하여, 상기 기판상에 금속 산화박막 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 금속 산화박막 패턴의 전면을 건식 식각에 의하여 에칭하는 단계를 포함하며, 상기 에칭단계에 의하여 상기 금속 산화박막 패턴 중 오목부(凹部)에 해당하는 부분의 기판이 함께 식각됨으로써, 상기 금속 산화박막 패턴의 두께 방향으로의 단면 형상에 상응하는 요철로 이루어진 패턴이 상기 기판 자체에 형성되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 광 추출 효율이 극대화된 나노 패턴을 형성할 수 있고, 금속 산화물 이외에 정밀하고 미세한 패턴 형성이 요구되는 재질로 패턴을 형성할 수 있으며, 아울러, 나노막대의 정밀한 정렬 및 밀도 조절이 용이하게 수행될 수 있다.