公开(公告)号：KR1020120133244A

公开(公告)日：2012-12-10

申请号：KR1020110051816

申请日：2011-05-31

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 김창규 ,  박상준 ,  김봉환

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065

Abstract: PURPOSE: A superhydrophobic surface processing method is provided to improve an anti-fouling property capable of preventing contamination due to foreign substances by elevating a range of surface roughness of a substrate or depositing a hydrophobic thin film on the surface of the substrate. CONSTITUTION: A substrate(10) is fixed with a chuck(20). The chuck fixes the substrate using vacuum or static electricity. Plasma(40) is formed on the upper side of the substrate. The roughness of the substrate surface is changed by etching the substrate surface using the plasma. The substrate surface is formed into a pyramid structure(30). [Reference numerals] (10) Substrate; (20) Chuck; (40) Plasma

Abstract translation: 目的：提供一种超疏水性表面处理方法，通过提高基板的表面粗糙度或在基板的表面上沉积疏水性薄膜，提高能够防止异物污染的防污性。 构成：用卡盘（20）固定衬底（10）。 卡盘使用真空或静电固定基板。 等离子体（40）形成在基板的上侧。 通过使用等离子体蚀刻衬底表面来改变衬底表面的粗糙度。 基板表面形成为金字塔结构（30）。 （附图标记）（10）基板; （20）卡盘; （40）等离子体

公开(公告)号：KR101667856B1

公开(公告)日：2016-10-20

申请号：KR1020140182862

申请日：2014-12-18

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 김창규 ,  이준우 ,  박상준

IPC: G01Q60/48

Abstract: 일실시예에따른프로브팁 제조방법은, 실리콘재질을포함하는상판및 하판, 및상기상판및 하판사이에접하도록마련되는산화막판을포함하는 SOI(silicon-on-insulator) 기판을제공하는단계; 상기 SOI 기판의상면과하면각각에 1차보호막을증착하는단계; 상기상면에증착된 1차보호막에서프로브팁의기둥부분을남기고상기상면에증착된 1차보호막을제거하는단계; 상기하면에증착된 1차보호막에서지지부부분만남기고상기하면에증착된 1차보호막을제거하는단계; 상기하면의상기 1차보호막이제거된부분의하판을산화막판까지식각하는단계; 상기상면에 2차보호막을증착하는단계; 상기상면에증착된 2차보호막에서외팔보(cantilever) 부분과지지부부분을남기고상기 2차보호막을제거하는단계; 상기상면의상기 2차보호막이제거된부분의상판을식각하는단계; 상기상면의 2차보호막을제거하는단계; 상기상판을일정한깊이까지식각하여실리콘기둥을형성하는단계; 남아있는상기상면의 1차보호막을제거하는단계; 상기실리콘기둥의옆면을포함한상기상면에 3차보호막을증착하는단계; 상기실리콘기둥끝단의테두리부분의 3차보호막을식각하는단계; 상기 3차보호막이식각된틈을통해상기실리콘기둥끝단을뾰족하게식각하는단계; 및남아있는상기보호막들을모두제거하고상기프로브팁을분리하는단계;를포함할수 있다.

公开(公告)号：KR1020160074073A

公开(公告)日：2016-06-28

申请号：KR1020140182862

申请日：2014-12-18

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 김창규 ,  이준우 ,  박상준

IPC: G01Q60/48

CPC classification number: G01Q60/24 ,  G01Q60/38 ,  G01Q60/48 ,  Y10S977/852

Abstract: 일실시예에따른프로브팁 제조방법은, 실리콘재질을포함하는상판및 하판, 및상기상판및 하판사이에접하도록마련되는산화막판을포함하는 SOI(silicon-on-insulator) 기판을제공하는단계; 상기 SOI 기판의상면과하면각각에 1차보호막을증착하는단계; 상기상면에증착된 1차보호막에서프로브팁의기둥부분을남기고상기상면에증착된 1차보호막을제거하는단계; 상기하면에증착된 1차보호막에서지지부부분만남기고상기하면에증착된 1차보호막을제거하는단계; 상기하면의상기 1차보호막이제거된부분의하판을산화막판까지식각하는단계; 상기상면에 2차보호막을증착하는단계; 상기상면에증착된 2차보호막에서외팔보(cantilever) 부분과지지부부분을남기고상기 2차보호막을제거하는단계; 상기상면의상기 2차보호막이제거된부분의상판을식각하는단계; 상기상면의 2차보호막을제거하는단계; 상기상판을일정한깊이까지식각하여실리콘기둥을형성하는단계; 남아있는상기상면의 1차보호막을제거하는단계; 상기실리콘기둥의옆면을포함한상기상면에 3차보호막을증착하는단계; 상기실리콘기둥끝단의테두리부분의 3차보호막을식각하는단계; 상기 3차보호막이식각된틈을통해상기실리콘기둥끝단을뾰족하게식각하는단계; 및남아있는상기보호막들을모두제거하고상기프로브팁을분리하는단계;를포함할수 있다.

Abstract translation: 根据本发明的实施例，探针尖端的制造方法包括：提供绝缘体上硅（SOI）衬底的步骤，该衬底包括上板和含有硅的下板和形成在上和 下板与上板和下板接触; 在SOI衬底的顶表面和下侧的每一个上沉积第一保护膜的步骤; 消除沉积在顶表面上的第一保护膜，同时保留沉积在顶表面上的第一保护膜的探针尖端的柱部分; 除去沉积在SOI衬底的下侧上的第一保护膜，同时保留沉积在下侧上的第一保护膜的支撑单元部分的步骤; 蚀刻下面的第一保护膜的下部的一部分被去除到氧化膜的步骤; 在顶表面上沉积第二保护膜的步骤; 除去沉积在顶表面上的第二保护膜，同时保留第二保护膜的悬臂部分和支撑单元部分的步骤; 蚀刻除去第二保护膜的上板的一部分的步骤; 从上表面除去第二保护膜的步骤; 通过以预定深度蚀刻上板来形成硅柱的步骤; 消除顶表面上剩余的第一保护膜的步骤; 在顶表面上沉积第三保护膜的步骤和硅柱的侧表面; 在所述硅柱的端部的边缘上蚀刻所述第三保护膜的一部分的步骤; 通过蚀刻第三保护膜形成的第三保护膜中的间隙蚀刻硅柱的端部以使其尖锐的步骤; 以及消除剩余的保护膜并分离探针尖端的步骤。 本发明的目的是使用硅板和氧化膜制造探针尖端。