公开(公告)号：KR101277365B1

公开(公告)日：2013-06-20

申请号：KR1020110010469

申请日：2011-02-07

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 이성남 ,  신수진 ,  오동섭

IPC: H01L33/16 ,  H01L21/20

Abstract: 본 발명은 m-면 사파이어 기판에 질화물계 박막을 형성하는 방법 및 이에 의해 제조된 질화물계 반도체에 관한 것이다. 본 발명에 따른 질화물계 박막을 형성하는 방법은 (A) m-면 사파이어 기판을 질화 처리하는 단계와; (B) 상기 질화 처리된 m-면 사파이어 기판을 고온 수소 분위기 하에서 질화물계 물질을 기 설정된 제1 성장 시간 동안 에피텍셜 성장시켜 에피텍셜 성장층을 형성하는 단계와; (C) 상기 에피텍셜 성장층의 표면을 열 에칭시켜 상기 에피텍셜 성장층의 표면에 식각면을 형성하는 단계와; (D) 고온 수소 분위기 하에서 기 설정된 제2 성장 시간 동안 상기 식각면으로부터 질화물계 물질을 에피텍셜 성장시켜 질화물계 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, m-면 사파이어 기판 상에 질화물계 박막을 형성하는데 있어, 표면 특성과 결정성, 광학적 효율을 증가시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020120090189A

公开(公告)日：2012-08-17

申请号：KR1020110010469

申请日：2011-02-07

Applicant: 한국산업기술대학교산학협력단

Inventor： 이성남 ,  신수진 ,  오동섭

IPC: H01L33/16 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L21/02458 ,  H01L33/16

Abstract: PURPOSE: A method for forming a nitride thin film on an m-surface sapphire substrate and the nitride semiconductor manufactured thereby are provided to increase photoluminescence intensity by epitaxially re-growing an etching surface after a heat etching process. CONSTITUTION: An M-surface sapphire substrate(10) is nitrified. A nitride thin film(32) is formed by epitaxially growing the nitrified M-surface sapphire substrate with nitride materials under a high temperature hydrogen atmosphere. The M-surface sapphire substrate is nitrified within an MOCVD(Metalorganic Chemical Vapor Deposition) chamber in an atmosphere including hydrogen gas and ammonia gas for over 5 minutes. The growth temperature for the nitrified M-surface sapphire substrate is 1030°C. The nitride materials include GaN(Gallium Nitride).

Abstract translation: 目的：提供一种在m面蓝宝石衬底上形成氮化物薄膜的方法和由其制造的氮化物半导体，以通过在热蚀刻工艺之后外延再生蚀刻表面来提高光致发光强度。 构成：M表面蓝宝石衬底（10）被硝化。 通过在高温氢气氛下用氮化物材料外延生长硝化的M面蓝宝石衬底来形成氮化物薄膜（32）。 M表面蓝宝石衬底在包含氢气和氨气的气氛中在MOCVD（金属有机化学气相沉积）室内硝化超过5分钟。 硝化的M面蓝宝石衬底的生长温度为1030℃。 氮化物材料包括GaN（氮化镓）。